Az utóbbi években a "Carbonmentes Társaság megteremtése" és a "szén semlegesség" és a "szén semlegesség", az elektromos járművek (XEV) egyre népszerűbbek. A rendszer hatékonyságának további javítása érdekében különböző autóberendezésekInverterÁtalakítóÁramkörA táptalajban használt teljesítmény félvezető is javasolt, és az ultra-alacsony veszteség SIC ereje.Összetevő(Sic Moszfet, SIC SBD stb.) És a hagyományos szilícium-erő komponensek (IGBT, SJ-MOSFET stb.) A technológiai változások tapasztalhatók.

A ROHM elkötelezte magát amellett, hogy széles körű alkalmazások, nemcsak az iparág fejlett SIC Power komponenseire összpontosít, hanem aktívan elősegíti az SI teljesítménykomponensek és a vezetői ICS technológiáját és termékfejlesztését is. Ezúttal kifejlesztett egy magas költségű hibrid IGBT, amely magasabb költséghatékony hibrid IGBT-t biztosít a járművekhez és ipari berendezésekhez.

Az "RGWXX65C sorozat" hibrid típusú IGBT, amely ROHM alacsony veszteségű SIC Schottky Barrier diódát (SIC SBD) alkalmazza az IGBT * 2 visszacsatolóegységében, és az IGBT-termék sikeres megjelenése be van kapcsolva.kapcsolóVeszteség (a továbbiakban: "Nyitvesztés" * 3). Ha ezt a terméket a járművek töltőjében használja, a veszteség 67% -kal csökkenthető az előző IGBT termékhez képest, és a veszteség 24% -kal csökkenthető a Super Junction MOSFET (SJ-MOSFET) összehasonlítva, amely tovább segít További költségek. Csökkentse az energiafogyasztást az autó- és ipari berendezések alkalmazásában.

Az új terméket március 2021-ben értékesítették (mintaár: 1,200 jen / egyetlen, az adó kizárása), várhatóan 20 000 hónapos skálán kell alávetni 2021-től. Ezenkívül a ROHM hivatalos honlapján szerepel a ROHM hivatalos honlapján, beleértve az alkalmazási útmutatót és a vezetési áramköri tervezési módszert tartalmazó alkalmazási útmutatót és S-t is.PiCE modell, stb. A piac gyors bevezetésének támogatása.

A jövőben a Rohm továbbra is olyan alacsony veszteséges erőelemeket fog kidolgozni, amelyek megfelelnek a különböző igényeknek, miközben tervezési eszközöket és különböző megoldásokat biztosítanak, az alkalmazási rendszerek energiatakarékos és miniatedizálásával a környezeti terhelési hozzájárulás csökkentése érdekében.

<Új termék jellemzői>

● A veszteség 67% -kal alacsonyabb, mint az előző IGBT termék, amely magasabb költségteljesítményt biztosít a jármű elektronikus berendezések és ipari berendezések népszerűségében.

Az "RGWXX65C sorozat" hibrid típusú IGBT, amely ROHM alacsony veszteségű SIC SBD-t használ az IGBT visszajelzési egységében (megújítás). Sikeresen csökkentette a nyitvatartási veszteséget az IGBT termékeihez képest az SI Fast Recovery dióda (SI-FRD), valamint a járműveköltség-alkalmazás elvesztése 67% -kal alacsonyabb, mint a korábbi IGBT termékek. Összehasonlítva az SJ-Mosfets, mint az IGBT, a veszteség 24% -kal csökkenthető. A konverziós hatékonyság szempontjából az új termékek több mint 97% -ot biztosítanak a nagy hatékonyság több mint 97% -a szélesebb működési frekvenciatartományban, és 100 kHz-es működési frekvencián a hatékonyság 3% -kal magasabb lehet, mint az IGBT, ami segít tovább csökkenteni az autógyártás nagyobb mértékű csökkentését költségteljesítmény. Az ipari berendezések alkalmazásainak energiafogyasztása.

● Tartsa be az AEC-Q101 szabványt, használhatod kemény környezetben

Az új terméksorozat összhangban van az autóipari elektronikai termékek "AEC-Q101" megbízhatósági szabványának, még a kemény környezetben, például az autó- és ipari berendezésekben is.

※ Amellett, hogy ez a sorozat a hibrid IGBT, a termék felállás termékeket is tartalmaz felhasználásával Si-FRD, mint a termék a dióda a dióda és a dióda dióda.

· Autós töltő · Autó DC / DC átalakító

· Solar inverter (teljesítményszabályozó) · Szünetmentes tápegység (UPS)

* 1) Az autóipari elektronika megbízhatósága "AEC-Q101"

AEC automoTiVE Electronics A Tanács rövidítése egy nagy autógyártó és egy nagy amerikaiElektronikus alkatrészekA gyártó összeállt a fejlesztésű autóipari elektronikai alkatrészek megbízhatósági szabványával. A Q101 kifejezetten célzottFélvezetőÖsszetevőTranzisztor, Dióda stb.) Kormodtált szabványok.

* 2) IGBT (szigetelt kapu bipoláris tranzisztor, szigetelt kapu bipoláris)KristályCső), SJ-MOSFET (SUPER JUNCTiA fém-oxid-félvezető terepi hatás tranzisztor

Mindkettő minden olyan hatalmi félvezetőt tartalmaz, amelyeket általában SI szubsztrátumok állítanak elő, és az eszközök különbözőek. IGBT alacsonyabb, mint más teljesítmény-félvezetők, de van egy probléma, hogy a két chip szerkezet működik (szükség két chip szerkezetek is dolgozott), és az SJ-MOSFET nem kell folytatni a di-MOSFET képest IGBT. ( Az egyszeri-chipstruktúra működtethető), és van egy kisebb forgalom, de probléma merül fel, hogy nehéz megbirkózni a nagy teljesítményt. Átszakításként az IGBT hetedik diódáját a hibrid IGBT csökkentésére használják, amely csökkentheti a SIC SBD veszteségeinek elvesztését, nem pedig a hagyományos SI-FRD-t.

* 3) Nyitvesztés és leállítás elvesztése

Mindkettő a veszteség (váltási veszteség), amikor a félvezető elemkapcsolók, például a tranzisztorok. A nyitó veszteség az összetevőnél keletkezett veszteség, és a leállítási veszteség az a veszteség, amelyet az összetevő kialszik. Ideális esetben ezeknek a veszteségeknek nulla lehetnek, de valójában a strukturális feltételek miatt, amikor be- és kikapcsoláskor elkerülhetetlenül felesleges lesz.JelenlegiÍgy a veszteség, így a hatalom félvezetők, próbálja csökkenteni ezeket a veszteséget nagyon fontos.