في السنوات الأخيرة، في جهود "خلق مجتمع خالي من الكربون" و "حياد الكربون" و "حياد الكربون"، تتمتع المركبات الكهربائية (XEV) بشكل متزايد. من أجل تحسين تحسين كفاءة النظام، معدات السيارات المختلفةالعاكسمحولدائرة كهربائيةكما اقترح الموصلات أشباه الموصلات المستخدمة في المتوسط، وقوة SIC للخسارة المنخفضة للغاية.مكون(كذا mosfet.و SIC SBD، إلخ) ومكونات طاقة السيليكون التقليدية (IGBT، SJ-MOSFET، إلخ) تعاني من تغييرات تكنولوجية.

تلتزم ROHM بتوفير مجموعة واسعة من التطبيقات، وليس التركيز فقط على مكونات الطاقة المتطورة في الصناعة، ولكن أيضا تشجيع بنشاط التكنولوجيا وتطوير المنتج مكونات الطاقة SI والبرنامج ICS. هذه المرة، قامت بتطوير IGBT Hybrid Hybrid عالية التكلفة والتي يمكن أن توفرها هجينة أعلى من حيث التكلفة للمركبات والمعدات الصناعية.

"سلسلة RGWXX65C" هي نوع الهجين IGBT، والذي يستخدم صمام حاجز رواي منخفضة الخسارة SIC SIC SIC (SIC SBD) في وحدة التعليقات IGBT * 2، ويتم تشغيل العرض الناجح لمنتج IGBT.تحولالخسارة (المشار إليها فيما يلي باسم "خسارة مفتوحة" * 3). عند استخدام هذا المنتج في الشاحن داخل السيارة، يمكن تخفيض الخسارة بنسبة 67٪ مقارنة بمنتج IGBT السابق، ويمكن تخفيض الخسارة بنسبة 24٪ مقارنة ب Mosfet Super Junction (SJ-MOSFET)، والذي سيساعد كذلك تكلفة أخرى. تقليل استهلاك الطاقة في تطبيقات السيارات والمعدات الصناعية.

تم بيع المنتج الجديد في مارس 2021 (سعر العينة: 1200 ين / ضريبة واحدة، باستثناء الضريبة)، من المتوقع أن يتعرض لمقياس 20،000 شهر من ديسمبر 2021. بالإضافة إلى ذلك، يتم توفير بيانات التصميم الغنية اللازمة لتقييم واستيراد هذه السلسلة من المنتجات على الموقع الرسمي ROHM، بما في ذلك دليل التطبيقات و S التي تحتوي على طريقة تصميم دائرة القيادة.بي.نموذج CE، وما إلى ذلك لدعم المقدمة السريعة للسوق.

في المستقبل، سيستمر ROHM في تطوير مكونات الطاقة المنخفضة الخسارة التي تلبي الاحتياجات المختلفة، مع توفير أدوات التصميم والحلول المختلفة، من خلال توفير الطاقة وتصغير أنظمة التطبيقات لتقليل مساهمة الحمل البيئي.

<ميزات المنتج الجديدة>

● الخسارة أقل بنسبة 67٪ من منتج IGBT السابق، مما يوفر أداء أعلى من حيث التكلفة لمعدات السيارات والمعدات الصناعية في الشعبية.

"RGWXX65C Series" هي نوع الهجين IGBT، والذي يستخدم Rohm Low Loss SIC SIC SBD في وحدة التعليقات IGBT (التجديد). خفضت بنجاح الخسارة الافتتاحية بشكل كبير مقارنة بمنتجات IGBT باستخدام SI Recovery Diode (SI-FRD)، وفقدان تطبيق الشاحن في السيارة أقل بنسبة 67٪ من منتجات IGBT السابقة. مقارنة مع SJ-Mosfets أقل من IGBT، يمكن تخفيض الخسارة بنسبة 24٪. من حيث كفاءة التحويل، يمكن للمنتجات الجديدة أن تضمن أكثر من 97٪ من الكفاءة العالية في نطاق تردد التشغيل على نطاق أوسع، وعلى تردد التشغيل 100 كيلو هرتز، يمكن أن تكون الكفاءة أعلى بنسبة 3٪ من IGBT، مما يساعد على تقليل حمولة السيارة مع أعلى أداء التكلفة. استهلاك الطاقة لتطبيقات المعدات الصناعية.

● الامتثال لمعايير AEC-Q101، يمكنك استخدامها في البيئات القاسية

تتماشى السلسلة الجديدة من المنتجات أيضا مع موثوقية الموثوقية "AEC-Q101" من منتجات إلكترونيات السيارات، حتى في البيئة القاسية مثل المعدات والسيارات الصناعية.

<معلومات عن بيانات التصميم المختلفة>

من أجل تسريع تطبيق هذه السلسلة، يتم توفير بيانات التصميم الغنية اللازمة لتقييم واستيراد هذه السلسلة من المنتجات الجديدة على الموقع الرسمي ROHM، بما في ذلك النموذج (نموذج التوابل) لدليل التطبيق ومحاكاة القيادة طريقة تصميم الدائرة.

※ بالإضافة إلى هذه السلسلة من IGBT Hybrid IGBT، تشمل تشكيلة المنتج أيضا المنتجات التي تستخدم SI-FRD كمنتج ثنائي الصمام الثنائي وصمام الثنائي الصمام الثنائي.

<مثال التطبيق>

شاحن سيارة · سيارة DC / DC محول

· العاكس الشمسي (منظم الطاقة) · جهاز امدادات الطاقة غير المنقطعة (UPS)

* 1) موثوقية إلكترونيات السيارات القياسية "AEC-Q101"

AEC هو AUTOMOتياختصار مجلس Electronics هو شركة تصنيع سيارات كبيرة وناالمكون الإلكترونيتعاونت الشركة المصنعة مع معيار موثوقية مكونات إلكترونية السيارات التي تم تطويرها. Q101 مستهدفة خصيصاأشباه الموصلاتمكونالترانزستورديود، إلخ) صياغة المعايير.

* 2) IGBT (بوابة معزولة ثنائي القطب الترانزستور، بوابة معزولة ثنائي القطبكريستالأنبوب)، SJ-MOSFET (سوبر juncتيعلى تأثير حقل أكسيد الأكسيد-أشباه الموصلات الترانزستور

كلاهما كلهم ​​جميع أشباه الموصلات التي يتم إنتاجها عادة بواسطة ركائز SI، وأجهزها مختلفة. IGBT أقل من أشباه الموصلات الأخرى الأخرى، ولكن هناك مشكلة في أن هيكل الفريق الذي يمكن أن يعمله (تحتاج إلى هياكل رقاقة يمكن أن تعمل)، ولا يحتاج SJ-MOSFET إلى مواصلة DI-MOSFET مقارنة ب IGBT. ( يمكن تشغيل هيكل رقاقة واحدة)، وهناك دوران أصغر، ولكن هناك مشكلة في أنه من الصعب التعامل مع الطاقة العالية. كخدمة، يتم استخدام الصمام الثنائي السابع في IGBT للحد من IGBT الهجين الذي يمكن أن يقلل من فقدان فقدان الخسائر في SIC SBD بدلا من SI-FRD التقليدية.

* 3) فتح وفقدان وإغلاق

كلاهما هو الخسارة (خسارة التبديل) التي تم إنشاؤها عند مفاتيح عنصر أشباه الموصلات مثل الترانزستورات. الخسارة الافتتاحية هي الخسارة الناتجة عن المكون، وفقدان الإغلاق هو الخسارة الناتجة عند إيقاف تشغيل المكون. من الناحية المثالية، يجب أن تكون هذه الخسائر صفرية، ولكن في الواقع، نظرا للظروف الهيكلية، عند التبديل بين إيقاف التشغيل وإيقافها، فإنه سيتدفق حتما غير ضروري.تياروبالتالي، فقدت الخسارة، لذلك بالنسبة لأشباه الموصلات، حاول تقليل هذه الخسائر أمر مهم للغاية.