ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ข่าว > TOSHIBA เปิดตัว IGBT แบบแยกที่ช่วยลดการใช้พลังงานและการแผ่รังสีของเครื่องใช้ในครัวเรือน: GT30J110SRA

ข่าว

TOSHIBA เปิดตัว IGBT แบบแยกที่ช่วยลดการใช้พลังงานและการแผ่รังสีของเครื่องใช้ในครัวเรือน: GT30J110SRA

  • ผู้เขียน:โตชิบา
  • เผยแพร่เมื่อ:2021-01-18

Toshiba Electronic Components and Storage Co. , Ltd. (ซึ่งต่อไปนี้จะเรียกว่า "Toshiba") ได้เปิดตัว IGBT-GT30J110SRA แบบแยก 1100V ซึ่งเหมาะสำหรับหม้อหุงข้าว IH และเครื่องใช้ในครัวเรือนเช่นเตาไมโครเวฟที่ใช้วงจรเรโซแนนซ์แรงดันไฟฟ้าอินพุต AC 100V

คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์ GT30J110SRA ใหม่ได้รับการปรับปรุงอย่างมาก กับผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่【 1 】ในการเปรียบเทียบการสูญเสียการปราบปรามกระแสไฟฟ้าลัดวงจรการแผ่รังสีแม่เหล็กไฟฟ้าต่ำกว่าและพื้นที่ทำงานที่ปลอดภัยกว้างกว่า

ด้วยการลดสวิตช์เปิดปิดและการสูญเสียการนำไฟฟ้าของไดโอดทำให้สามารถลดการสูญเสียได้ ด้วยการลดสัญญาณรบกวนจากการแผ่รังสีทำให้สามารถใช้ตัวต้านทานเกตไดรฟ์ที่มีขนาดเล็กกว่าในอดีตได้ เวลาเปิดทำการโดยทั่วไป【 2 】0.2μsเมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่【 1 】ลดลงประมาณ 20% ตามเวลาปกติ【 2 】มีขนาด0.33μsซึ่งน้อยกว่าผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ประมาณ 29% แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้าโดยทั่วไปของไดโอด【 3 】เป็น 1.40V ซึ่งลดลงประมาณ 33% ช่วยลดการใช้พลังงานของอุปกรณ์ได้อย่างมาก

การป้องกันกระแสลัดวงจรทำได้โดยการลดกระแสอิ่มตัวซึ่งสามารถลดกระแสไฟฟ้าลัดวงจรของตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์ระหว่างการเริ่มต้นอุปกรณ์ กระแสอิ่มตัวสูงสุดโดยทั่วไปของผลิตภัณฑ์ใหม่คือ 200A ซึ่งสูงกว่าของผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่【 1 】ลดลงประมาณ 40% ที่ 60A หรือต่ำกว่าแรงดันความอิ่มตัวของตัวเก็บรวบรวม - ตัวปล่อยจะเท่ากับผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่【 1 】.

กับผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่【 1 】ในการเปรียบเทียบด้านแรงดันสูงของพื้นที่ใช้งานที่ปลอดภัยจะขยายใหญ่ขึ้นทำให้ผลิตภัณฑ์มีโอกาสเสียหายน้อยลง

ด้วยการปรับโครงสร้างชิปให้เหมาะสมจะทำให้ได้รับรังสีแม่เหล็กไฟฟ้าต่ำลง【 4 】. เมื่อชิปอยู่ที่ประมาณ 30MHz ซึ่งระดับการแผ่รังสีแม่เหล็กไฟฟ้าสูงที่สุดการแผ่รังสีจะอยู่ที่35.8dBμV / m ซึ่งต่ำกว่าผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ประมาณ10dBμV / m【 5 】.

[1] ผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ GT60PR21
[2] @Vซี＝ 600V, VIค= 60A, V.GE= + 15V, Tก＝ 25 องศาเซลเซียส
[3] @Iฉ= 30A, V.GE= 0V, Tก＝ 25 องศาเซลเซียส
[4] ค่าที่วัดได้ของ Toshiba
[5] ผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ GT40QR21

ลักษณะ

  • 6.5 รุ่น
  • โครงสร้าง RC ในตัวไดโอด
  • แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้าไดโอดต่ำ: V.ฉ＝ 1.40V (ค่าปกติ) @Iฉ= 30A, Tก＝ 25 องศาเซลเซียส

ใบสมัคร

การสั่นพ้องของแรงดันไฟฟ้าของเครื่องใช้ในครัวเรือน

  • หม้อหุงข้าว IH
  • เตาแม่เหล็กไฟฟ้า IH
  • ไมโครเวฟ ฯลฯ

ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์

(เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น @Tก＝ 25 ℃)

รุ่นอุปกรณ์ แพ็คเกจ คะแนนสูงสุดแน่นอน นักสะสม -
ตัวส่ง
แรงดันไฟฟ้าอิ่มตัว
VCE (เสาร์)ค่าโดยทั่วไป (V)		 ไดโอด
แรงดันไปข้างหน้า
Vฉค่าโดยทั่วไป (V)		 เปลี่ยนเวลา
(เวลาตก)
tฉค่าโดยทั่วไป (µs)		 ความต้านทานความร้อนของทางแยก
รth (ญ - ค)สูงสุด (° C / W)
นักสะสม
- เครื่องส่งสัญญาณ
แรงดันไฟฟ้า
Vงาน CES(V)		 กระแสสะสม (DC)ค(ก) อุณหภูมิทางแยก
ทีญ(° C)
@ ทค＝ 25 องศาเซลเซียส
 @ ทค＝ 100 ° C
 @ผมค= 30A,
VGE＝ 15V		 @ผมฉ= 30A,
VGE= 0V
GT30J110SRA TO-3P (N) 1100 60 30 175 1.60 1.40 0.17 0.48

วงจรภายใน

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

ตัวอย่างวงจรแอปพลิเคชัน

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

วงจรแอปพลิเคชันที่แสดงในบทความนี้ใช้สำหรับการอ้างอิงเท่านั้น
จำเป็นต้องมีการประเมินอย่างละเอียดโดยเฉพาะอย่างยิ่งในขั้นตอนการออกแบบการผลิตจำนวนมาก
การจัดทำตัวอย่างวงจรการใช้งานเหล่านี้ไม่ได้หมายความว่าจะได้รับใบอนุญาตทรัพย์สินทางอุตสาหกรรมใด ๆ

เส้นโค้งลักษณะ

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้าไดโอดใหม่【 3 】ค่าปกติที่ 25 ° C และ 30A คือ 1.40V ซึ่งดีกว่าผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่【 1 】ลดลงประมาณ 33% จึงช่วยลดการใช้พลังงานของอุปกรณ์
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ผลิตภัณฑ์ใหม่ได้เปลี่ยนการออกแบบชิปเพื่อลดกระแสไฟฟ้าลัดวงจรของตัวเก็บประจุเนื่องจากการสั่นพ้องของแรงดันไฟฟ้าระหว่างการเริ่มต้น【 1 】. เมื่อ Tค= 25 ° C และ VGE = 15V กระแสของตัวสะสมถูกระงับไว้ที่ 150A ถึง 200A ในกรณีของ 60A หรือต่ำกว่าแรงดันอิ่มตัวของตัวเก็บรวบรวม - ตัวปล่อยจะเท่ากับผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่【 1 】แรงดันไฟฟ้า
  • เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ที่มีอยู่ผลิตภัณฑ์ใหม่มีประสิทธิภาพที่สมดุลมากกว่าและมีช่วงต้านทานประตูที่กว้างขึ้น【 1 】.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • ด้วยผลิตภัณฑ์ที่คล้ายคลึงกันที่มีอยู่【 5 】ในการเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ใหม่นี้มีความเข้มของรังสีแม่เหล็กไฟฟ้าสูงสุดประมาณ 30MHz และระดับการแผ่รังสีจะลดลงประมาณ10dBμV / m

ราคาผลิตภัณฑ์และข้อกำหนดเนื้อหาบริการและข้อมูลติดต่อในเอกสารนี้ยังคงเป็นข้อมูลล่าสุดในวันที่ประกาศและอาจเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบ