Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > Zprávy > TOSHIBA uvádí na trh diskrétní IGBT, které pomáhají snižovat spotřebu energie a záření domácích spotřebičů: GT30J110SRA

Zprávy

TOSHIBA uvádí na trh diskrétní IGBT, které pomáhají snižovat spotřebu energie a záření domácích spotřebičů: GT30J110SRA

  • Autor:TOSHIBA
  • Uvolněte:2021-01-18

Společnost Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (dále jen „Toshiba“) nově uvedla na trh 1100 V diskrétní IGBT-GT30J110SRA, který je vhodný pro vařiče rýže IH a domácí spotřebiče, jako jsou mikrovlnné trouby, které používají rezonanční obvod vstupního napětí 100 V stř.

Vlastnosti nového produktu GT30J110SRA byly výrazně vylepšeny. Se stávajícími produkty【1】Ve srovnání s tím je jeho ztráta, potlačení zkratového proudu, elektromagnetické záření nižší a bezpečná pracovní oblast širší.

Snížením ztrát při vypnutí a ztrátách vedení diod lze dosáhnout nižších ztrát. Snížením radiačního šumu je možné použít menší odpor pohonu brány než v minulosti. Typická otevírací doba【2】0,2 μs, ve srovnání se stávajícími produkty【1】Sníženo přibližně o 20%, typická doba mimo provoz【2】Je to 0,33 μs, což je o 29% méně než u stávajících produktů. Typické dopředné napětí diody【3】Je to 1,40 V, což je sníženo přibližně o 33%, což výrazně snižuje spotřebu energie zařízení.

Potlačení zkratového proudu je dosaženo snížením saturačního proudu, což může snížit zkratový proud rezonančního kondenzátoru během spouštění zařízení. Typický špičkový saturační proud nového produktu je 200 A, což je vyšší proud než u stávajícího produktu【1】Sníženo přibližně o 40%, při 60 A nebo méně, je saturační napětí kolektor-emitor stejné jako stávající produkt【1】.

Se stávajícími produkty【1】Ve srovnání s tím je vysokotlaká strana jeho bezpečné oblasti použití zvětšena, což snižuje pravděpodobnost poškození produktu.

Optimalizací struktury čipu je dosaženo nižšího elektromagnetického záření【4】. Když je čip kolem 30MHz, kde je úroveň elektromagnetického záření nejsilnější, je emise záření pouze o 35,8dBμV / m, což je o 10dBμV / m nižší než u stávajících produktů.【5】.

[1] Stávající produkt GT60PR21
[2] @VCE600 V, VIC= 60A, VGE= + 15 V, T.A＝ 25 ° C
[3] @ I.F= 30A, VGE= 0V, TA＝ 25 ° C
[4] Naměřená hodnota společnosti Toshiba
[5] Stávající produkt GT40QR21

charakteristický

  • 6,5 generace
  • RC struktura vestavěná dioda
  • Nízké dopředné napětí diody: VF＝ 1,40 V (typická hodnota) @IF= 30A, T.A＝ 25 ° C

aplikace

Napěťová rezonance domácích spotřebičů

  • IH rýžovar
  • IH indukční vařič
  • Mikrovlnná trouba atd.

Specifikace produktu

(Pokud není uvedeno jinak, @TA＝ 25 ℃)

Model zařízení Balík Absolutní maximální hodnocení kolektor-
Vysílač
Saturační napětí
PROTICE (sat)Typická hodnota (V)		 dioda
Dopředné napětí
PROTIFTypická hodnota (V)		 Spínací čas
(Podzim)
tFTypická hodnota (µs)		 Tepelný odpor křižovatky
Rth (j-c)Maximum (° C / W)
kolektor
- Vysílač
Napětí
PROTICES(PROTI)		 Kolektorový proud (DC) IC(A) Teplota spojení
Tj(° C)
@TC＝ 25 ° C
 @TC＝ 100 ° C
 @IC= 30A,
PROTIGE＝ 15V		 @IF= 30A,
PROTIGE= 0V
GT30J110SRA TO-3P (N) 1100 60 30 175 1,60 1,40 0,17 0,48

Vnitřní obvod

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Příklad aplikačního obvodu

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Aplikační obvod zobrazený v tomto článku slouží pouze pro informaci.
Je zapotřebí důkladné vyhodnocení, zejména ve fázi návrhu hromadné výroby.
Poskytnutí těchto příkladů aplikačních obvodů neznamená, že je udělena jakákoli licence průmyslového vlastnictví.

Charakteristická křivka

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Nové dopředné napětí diody【3】Typická hodnota při 25 ° C a 30 A je 1,40 V, což je lepší než u stávajících produktů【1】Sníženo přibližně o 33%, což pomáhá snížit spotřebu energie zařízení.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Ve srovnání se stávajícími produkty nový produkt změnil design čipu, aby snížil zkratový proud kondenzátoru v důsledku rezonance napětí během spouštění【1】. Když TC= 25 ° C a VGE = 15 V, je proud kolektoru potlačen na 150 A až 200 A. V případě 60 A nebo méně je saturační napětí kolektor-emitor stejné jako stávající produkt【1】Napětí.
  • Ve srovnání se stávajícími produkty má nový produkt vyváženější výkon a větší rozsah odporu brány【1】.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Se stávajícími podobnými produkty【5】Ve srovnání má nový produkt nejvyšší intenzitu elektromagnetického záření kolem 30 MHz a úroveň záření je snížena přibližně o 10 dBmV / m.

Ceny a specifikace produktu, obsah služeb a kontaktní informace v tomto dokumentu jsou stále nejnovějšími informacemi ke dni oznámení a mohou být změněny bez předchozího upozornění.