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TOSHIBA lancia IGBT discreti che aiutano a ridurre il consumo energetico e le radiazioni degli elettrodomestici: GT30J110SRA
- Autore:TOSHIBA
- Rilascio:2021-01-18
Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (di seguito denominata "Toshiba") ha recentemente lanciato un IGBT-GT30J110SRA discreto da 1100 V, adatto per cuociriso IH ed elettrodomestici come forni a microonde che utilizzano circuiti di risonanza con tensione di ingresso CA 100 V.
Le caratteristiche del nuovo prodotto GT30J110SRA sono state notevolmente migliorate. Con prodotti esistenti【1】In confronto, la sua perdita, la soppressione della corrente di cortocircuito, la radiazione elettromagnetica sono inferiori e l'area di lavoro sicura è più ampia.
Riducendo l'interruttore di spegnimento e le perdite di conduzione del diodo, è possibile ottenere perdite inferiori. Riducendo il rumore della radiazione, è possibile utilizzare una resistenza di gate drive più piccola rispetto al passato. Orario di apertura tipico【2】0,2μs, rispetto ai prodotti esistenti【1】Ridotto di circa il 20%, tipico tempo spento【2】È 0,33μs, circa il 29% in meno rispetto ai prodotti esistenti. Tensione diretta tipica del diodo【3】È 1,40 V, che viene ridotto di circa il 33%, riducendo notevolmente il consumo energetico dell'apparecchiatura.
La soppressione della corrente di cortocircuito si ottiene riducendo la corrente di saturazione, che può ridurre la corrente di cortocircuito del condensatore risonante durante l'avvio del dispositivo. La corrente di saturazione di picco tipica del nuovo prodotto è 200A, che è superiore a quella del prodotto esistente【1】Ridotta di circa il 40%, a 60A o inferiore, la tensione di saturazione collettore-emettitore è uguale al prodotto esistente【1】.
Con prodotti esistenti【1】In confronto, il lato ad alta pressione della sua area di utilizzo sicuro viene ingrandito, riducendo le probabilità che il prodotto venga danneggiato.
Ottimizzando la struttura del chip, si ottiene una radiazione elettromagnetica inferiore【4】. Quando il chip si trova a circa 30 MHz, dove il livello di radiazione elettromagnetica è il più forte, l'emissione di radiazioni è di soli 35,8 dBμV / m, ovvero circa 10 dBμV / m inferiore rispetto ai prodotti esistenti.【5】.
[1] Prodotto esistente GT60PR21
[2] @VCE＝ 600 V, VIC= 60A, VGE= + 15V, Tun＝ 25 ° C
[3] @IF= 30A, VGE= 0V, Tun＝ 25 ° C
[4] Valore misurato di Toshiba
[5] Prodotto esistente GT40QR21
caratteristica
- 6.5 generazione
- Diodo integrato nella struttura RC
- Bassa tensione diretta del diodo: V.F＝ 1,40 V (valore tipico) @IF= 30A, Tun＝ 25 ° C
applicazione
Risonanza di tensione degli elettrodomestici
- Cuociriso IH
- Fornello a induzione IH
- Forno a microonde, ecc.
Specifiche del prodotto
(Se non diversamente specificato, @Tun＝ 25 ℃)
Circuito interno
Esempio di circuito applicativo
Il circuito applicativo mostrato in questo articolo è solo di riferimento.
È necessaria una valutazione approfondita, soprattutto nella fase di progettazione della produzione di massa.
La fornitura di questi esempi di circuiti applicativi non significa che venga concessa alcuna licenza di proprietà industriale.
Curva caratteristica
- Nuova tensione diretta del diodo【3】Il valore tipico a 25 ° C e 30 A è 1,40 V, che è migliore rispetto ai prodotti esistenti【1】Ridotto di circa il 33%, contribuendo così a ridurre il consumo energetico del dispositivo.
- Rispetto ai prodotti esistenti, il nuovo prodotto ha modificato il design del chip per ridurre la corrente di cortocircuito del condensatore dovuta alla risonanza di tensione durante l'avvio【1】. Quando TC= 25 ° C e VGE = 15 V, la corrente del collettore viene soppressa da 150 A a 200 A. Nel caso di 60A o inferiore, la tensione di saturazione collettore-emettitore è uguale al prodotto esistente【1】La tensione.
- Rispetto ai prodotti esistenti, il nuovo prodotto ha prestazioni più bilanciate e un intervallo di resistenza del gate più ampio【1】.
- Con prodotti simili esistenti【5】In confronto, il nuovo prodotto ha la più alta intensità di radiazione elettromagnetica intorno ai 30 MHz e il livello di radiazione è stato ridotto di circa 10dBμV / m.
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