hírek

A TOSHIBA diszkrét IGBT-ket dob ​​piacra, amelyek segítenek csökkenteni a háztartási gépek energiafogyasztását és sugárzását: GT30J110SRA

  • Szerző:TOSHIBA
  • Engedje fel:2021-01-18

A Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (a továbbiakban: Toshiba) újonnan bevezetett egy 1100 V-os diszkrét IGBT-GT30J110SRA készüléket, amely alkalmas IH rizstűzhelyekhez és háztartási készülékekhez, például mikrohullámú sütőkhöz, amelyek 100 V AC bemeneti feszültségű rezonancia áramkört használnak.

Az új GT30J110SRA termék jellemzői jelentősen javultak. Meglévő termékekkel1. évadEhhez képest a vesztesége, a rövidzárlati áram elnyomása, az elektromágneses sugárzás kisebb, a biztonságos munkaterület pedig szélesebb.

A kikapcsoló és a dióda vezetési veszteségeinek csökkentésével alacsonyabb veszteség érhető el. A sugárzaj csökkentésével kisebb kapu meghajtó ellenállás alkalmazható, mint a múltban. Tipikus nyitási idő【20,2μs, összehasonlítva a meglévő termékekkel1. évadKörülbelül 20% -kal csökken, a tipikus kikapcsolási idő【2Ez 0,33μs, ami körülbelül 29% -kal kevesebb, mint a meglévő termékeké. A dióda tipikus előrefeszültsége【3Ez 1,40 V, amely körülbelül 33% -kal csökken, ami jelentősen csökkenti a berendezések energiafogyasztását.

A rövidzárlati áram elnyomása a telítettség áramának csökkentésével érhető el, amely csökkentheti a rezonáns kondenzátor rövidzárlati áramát az eszköz indítása során. Az új termék tipikus csúcstelítettségi áramának értéke 200A, amely magasabb, mint a meglévő terméké1. évadKörülbelül 40% -kal csökkentve 60 A-nál alacsonyabb hőmérsékleten a kollektor-emitter telítési feszültsége megegyezik a meglévő termékkel1. évad.

Meglévő termékekkel1. évadÖsszehasonlításképpen: biztonságos használatának nagynyomású oldala megnövekszik, így kevésbé valószínű a termék károsodása.

A chip szerkezetének optimalizálásával alacsonyabb elektromágneses sugárzás érhető el【4. Amikor a chip 30 MHz körül van, ahol az elektromágneses sugárzás a legerősebb, akkor a sugárzás csak 35,8dBμV / m, ami körülbelül 10dBμV / m-rel alacsonyabb, mint a meglévő termékeké.【5.

[1] Meglévő termék: GT60PR21
[2] @VCE= 600 V, VIC= 60A, VGE= + 15 V, Ta25 ° C
[3] @IF= 30A, VGE= 0V, Ta25 ° C
[4] A Toshiba mért értéke
[5] Meglévő termék: GT40QR21

jellegzetes

  • 6,5 generáció
  • RC szerkezetű beépített dióda
  • Alacsony dióda előrefeszültség: VF= 1,40 V (tipikus érték) @ IF= 30A, Ta25 ° C

Alkalmazás

Háztartási készülékek feszültségrezonanciája

  • IH rizsfőző
  • IH indukciós tűzhely
  • Mikrohullámú stb.

Termékleírás

(Eltérő rendelkezés hiányában a @Ta= 25 ℃)

Eszköz modell Csomag Abszolút maximális besorolás gyűjtő-
Kibocsátó
Telítettségi feszültség
VCE (szombat)Tipikus érték (V)
dióda
Előre feszültség
VFTipikus érték (V)
Kapcsolási idő
(Őszi idő)
tfTipikus érték (µs)
A csomópont hőállósága
Rth (j-c)Maximum (° C / W)
gyűjtő
-Kibocsátó
Feszültség
VCES(V)
Kollektoráram (DC) IC(A) A csomópont hőmérséklete
Tj(° C)
@Tc25 ° C
@Tc100 ° C
@ÉNC= 30A,
VGE= 15V
@ÉNF= 30A,
VGE= 0V
GT30J110SRA TO-3P (N) 1100 60 30 175 1.60 1.40 0,17 0,48

Belső áramkör

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Alkalmazási áramkör példa

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Az ebben a cikkben bemutatott alkalmazás áramkör csak tájékoztató jellegű.
Alapos értékelésre van szükség, különösen a sorozatgyártás tervezési szakaszában.
Ezeknek az alkalmazási áramköröknek a bemutatása nem jelenti azt, hogy bármilyen ipari tulajdonra vonatkozó engedélyt adnának.

Jellegzetes görbe

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Új dióda előrefeszültség【3A tipikus érték 25 ° C-on és 30A-on 1,40 V, ami jobb, mint a meglévő termékek1. évadKörülbelül 33% -kal csökkentve, ezáltal csökkentve a készülék energiafogyasztását.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • A meglévő termékekkel összehasonlítva az új termék megváltoztatta a chip kialakítását, hogy csökkentse a kondenzátor rövidzárlati áramát az indításkor fellépő feszültségrezonancia miatt1. évad. Amikor TC= 25 ° C és VGE = 15V, a kollektoráramot 150A és 200A között elnyomják. 60A vagy alacsonyabb esetben a kollektor-emitter telítési feszültség megegyezik a meglévő termékkel1. évadA feszültség.
  • A meglévő termékekkel összehasonlítva az új termék kiegyensúlyozottabb teljesítményű, és nagyobb a kapuellenállási tartománya1. évad.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Meglévő hasonló termékekkel【5Összehasonlításképpen: az új termék elektromágneses sugárzási intenzitása a 30MHz körüli, és a sugárzási szintet körülbelül 10dBμV / m-rel csökkentették.

Az ebben a dokumentumban szereplő termékárak és specifikációk, a szolgáltatás tartalma és az elérhetőségek továbbra is a legfrissebb információk a bejelentés napján, és előzetes értesítés nélkül változhatnak.