Svenska
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Om oss | Kontakta oss | Begär ett citat |
Hem > Nyheter > TOSHIBA lanserar diskreta IGBT som hjälper till att minska energiförbrukningen och strålningen av hushållsapparater: GT30J110SRA

Nyheter

TOSHIBA lanserar diskreta IGBT som hjälper till att minska energiförbrukningen och strålningen av hushållsapparater: GT30J110SRA

  • Författare:TOSHIBA
  • Släpp på:2021-01-18

Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (nedan kallat "Toshiba") har nyligen lanserat en 1100V diskret IGBT-GT30J110SRA, som är lämplig för IH-riskokare och hushållsapparater som mikrovågsugnar som använder AC 100V-ingångsspänningresonanskrets.

Egenskaperna hos den nya GT30J110SRA-produkten har förbättrats avsevärt. Med befintliga produkter【1】Som jämförelse är dess förlust, kortslutningsströmundertryckning, elektromagnetisk strålning lägre och det säkra arbetsområdet är bredare.

Genom att minska avstängnings- och diodledningsförlusterna kan lägre förluster uppnås. Genom att minska strålningsbruset är det möjligt att använda ett mindre grinddrivmotstånd än tidigare. Typisk öppettid【2】0,2 μs jämfört med befintliga produkter【1】Minskad med cirka 20%, typisk ledighet【2】Det är 0,33 μs, vilket är ungefär 29% mindre än befintliga produkter. Typisk diodspänning framåt【3】Det är 1,40 V, vilket minskar med cirka 33%, vilket kraftigt minskar utrustningens energiförbrukning.

Kortslutningsströmundertryckning uppnås genom att minska mättnadsströmmen, vilket kan minska kortslutningsströmmen hos resonanskondensatorn under enhetsstart. Den typiska toppmättnadsströmmen för den nya produkten är 200A, vilket är högre än för den befintliga produkten【1】Minskad med cirka 40%, vid 60A eller lägre, är mätningsspänningen för kollektor-emitter lika med den befintliga produkten【1】.

Med befintliga produkter【1】Som jämförelse förstoras högtryckssidan av dess säkra användningsområde, vilket gör att produkten är mindre sannolikt att skadas.

Genom att optimera chipstrukturen uppnås lägre elektromagnetisk strålning【4】. När chipet är cirka 30 MHz där den elektromagnetiska strålningsnivån är starkast är strålningsemissionen endast 35,8 dBμV / m, vilket är cirka 10 dBμV / m lägre än befintliga produkter.【5】.

[1] Befintlig produkt GT60PR21
[2] @VCE＝ 600V, VIC= 60A, VGE= + 15V, Ta＝ 25 ° C
[3] @IF= 30A, VGE= 0V, Ta＝ 25 ° C
[4] Toshibas uppmätta värde
[5] Befintlig produkt GT40QR21

karakteristisk

  • 6,5 generation
  • RC-struktur inbyggd diod
  • Låg diod framspänning: V.F＝ 1,40V (typiskt värde) @IF= 30A, Ta＝ 25 ° C

Ansökan

Spänningsresonans för hushållsapparater

  • IH riskokare
  • IH induktionskokare
  • Mikrovågsugn, etc.

Produktspecifikationer

(Om inte annat anges, @Ta＝ 25 ℃)

Enhetsmodell Paket Absolut maximalt betyg samlare-
Emitter
Mättnadsspänning
VCE (lö)Typiskt värde (V)		 diod
Framspänning
VFTypiskt värde (V)		 Växlingstid
(Höst ​​tid)
tfTypiskt värde (µs)		 Korsningens termiska motstånd
Rth (j-c)Maximalt (° C / W)
samlare
-Sändare
Spänning
VCES(V)		 Kollektorström (DC) IC(A) Korsningstemperatur
Tj(° C)
@Tc＝ 25 ° C
 @Tc＝ 100 ° C
 @ JagC= 30A,
VGE＝ 15V		 @ JagF= 30A,
VGE= 0V
GT30J110SRA TO-3P (N) 1100 60 30 175 1,60 1,40 0,17 0,48

Intern krets

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Exempel på applikationskrets

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Applikationskretsen som visas i den här artikeln är endast för referens.
En grundlig utvärdering krävs, särskilt i designfasen för massproduktion.
Tillhandahållandet av dessa exempel på applikationskretsar betyder inte att någon licens för industriell egendom beviljas.

Karaktäristisk kurva

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Ny diod framspänning【3】Det typiska värdet vid 25 ° C och 30A är 1,40V, vilket är bättre än befintliga produkter【1】Minskade med cirka 33%, vilket bidrar till att minska energiförbrukningen på enheten.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Jämfört med befintliga produkter har den nya produkten ändrat chipdesignen för att minska kondensatorns kortslutningsström på grund av spänningsresonans vid start【1】. När tC= 25 ° C och V.GE = 15V, undertrycks kollektorströmmen till 150A till 200A. Vid 60A eller lägre är mättnadsspänningen för kollektor-emitter lika med den befintliga produkten【1】Spänningen.
  • Jämfört med befintliga produkter har den nya produkten mer balanserad prestanda och ett större grindmotstånd【1】.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Med befintliga liknande produkter【5】Som jämförelse har den nya produkten den högsta elektromagnetiska strålningsintensiteten runt 30 MHz, och strålningsnivån har minskat med cirka 10 dBμV / m.

Produktpriser och specifikationer, serviceinnehåll och kontaktinformation i detta dokument är fortfarande den senaste informationen dagen för tillkännagivandet och kan komma att ändras utan föregående meddelande.