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A TOSHIBA lança IGBTs discretos que ajudam a reduzir o consumo de energia e a radiação de eletrodomésticos: GT30J110SRA

Autor:TOSHIBA
Lançamento em:2021-01-18

A Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (doravante denominada "Toshiba") lançou recentemente um IGBT-GT30J110SRA discreto de 1100V, que é adequado para panelas elétricas IH e eletrodomésticos, como fornos de microondas que usam circuito de ressonância de voltagem de entrada AC 100V.

As características do novo produto GT30J110SRA foram bastante aprimoradas. Com produtos existentes^【1】Em comparação, sua perda, supressão de corrente de curto-circuito, radiação eletromagnética são menores e a área de trabalho segura é mais ampla.

Reduzindo o interruptor de desligamento e as perdas por condução do diodo, perdas menores podem ser alcançadas. Ao reduzir o ruído de radiação, é possível usar um resistor de acionamento de porta menor do que no passado. Horário típico de abertura^【2】0,2 μs, em comparação com produtos existentes^【1】Reduzido em cerca de 20%, tempo normal de inatividade^【2】É 0,33 μs, o que é cerca de 29% menos do que os produtos existentes. Tensão direta típica do diodo^【3】É 1,40 V, o que é reduzido em cerca de 33%, reduzindo bastante o consumo de energia do equipamento.

A supressão da corrente de curto-circuito é obtida reduzindo a corrente de saturação, que pode reduzir a corrente de curto-circuito do capacitor ressonante durante a inicialização do dispositivo. A corrente de saturação de pico típica do novo produto é 200A, que é maior do que o produto existente^【1】Reduzida em cerca de 40%, a 60A ou inferior, a tensão de saturação do coletor-emissor é igual ao produto existente^【1】.

Com produtos existentes^【1】Em comparação, o lado de alta pressão de sua área de uso seguro é ampliado, tornando o produto menos provável de ser danificado.

Ao otimizar a estrutura do chip, menor radiação eletromagnética é alcançada^【4】. Quando o chip está em torno de 30 MHz, onde o nível de radiação eletromagnética é mais forte, a emissão de radiação é de apenas 35,8 dBμV / m, o que é cerca de 10 dBμV / m menor do que os produtos existentes.^【5】.

[1] Produto existente GT60PR21
[2] @V_CE＝ 600V, VI_C= 60A, V_GE= + 15V, T_uma＝ 25 ° C
[3] @I_F= 30A, V_GE= 0V, T_uma＝ 25 ° C
[4] Valor medido da Toshiba
[5] Produto existente GT40QR21

característica

6,5 geração
Diodo embutido de estrutura RC
Baixa tensão direta do diodo: V_F＝ 1,40 V (valor típico) @I_F= 30A, T_uma＝ 25 ° C

inscrição

Ressonância de tensão de eletrodomésticos

Panela de arroz IH
Fogão de indução IH
Microondas, etc.

Especificações do produto

(A menos que especificado de outra forma, @T_uma＝ 25 ℃)

Modelo do dispositivo	Pacote	Classificação máxima absoluta				colecionador- Emissor Tensão de saturação V_{CE (sat)}Valor típico (V)	diodo Tensão para frente V_FValor típico (V)	Tempo de troca (Tempo de outono) t_fValor típico (µs)	Resistência térmica da junção R_{th (j-c)}Máximo (° C / W)
		colecionador -Emitter Voltagem V_CES(V)	Corrente de coletor (DC) I_C(UMA)		Temperatura de junção T_j(° C)		diodo Tensão para frente V_FValor típico (V)
		colecionador -Emitter Voltagem V_CES(V)	@T_c＝ 25 ° C	@T_c＝ 100 ° C	Temperatura de junção T_j(° C)	@EU_C= 30A, V_GE＝ 15V	@EU_F= 30A, V_GE= 0V
GT30J110SRA	TO-3P (N)	1100	60	30	175	1,60	1,40	0,17	0,48

Circuito interno

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Exemplo de circuito de aplicação

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

O circuito de aplicação mostrado neste artigo é apenas para referência.
Uma avaliação completa é necessária, especialmente na fase de design de produção em massa.
O fornecimento destes exemplos de circuitos de aplicação não significa que qualquer licença de propriedade industrial seja concedida.

Curva característica

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Nova tensão direta do diodo^【3】O valor típico a 25 ° C e 30A é 1,40 V, que é melhor do que os produtos existentes^【1】Reduzido em cerca de 33%, ajudando assim a reduzir o consumo de energia do aparelho.

Em comparação com os produtos existentes, o novo produto mudou o design do chip para reduzir a corrente de curto-circuito do capacitor devido à ressonância da tensão durante a inicialização^【1】. Quando T_C= 25 ° C e V_GE= 15V, a corrente do coletor é suprimida para 150A a 200A. No caso de 60A ou inferior, a tensão de saturação do coletor-emissor é igual ao produto existente^【1】A voltagem.

Em comparação com os produtos existentes, o novo produto tem um desempenho mais equilibrado e uma faixa de resistência de portão maior^【1】.

Com produtos semelhantes existentes^【5】Em comparação, o novo produto tem a maior intensidade de radiação eletromagnética em torno de 30 MHz, e o nível de radiação foi reduzido em cerca de 10dBμV / m.

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