메시지

TOSHIBA, 가전 제품의 전력 소비와 방사능을 줄이는 데 도움이되는 개별 IGBT 출시 : GT30J110SRA

  • 저자:TOSHIBA
  • 출시일:2021-01-18

Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (이하 "Toshiba"라고 함)는 AC 100V 입력 전압 공진 회로를 사용하는 전자 레인지와 같은 IH 밥솥 및 가전 제품에 적합한 1100V 개별 IGBT-GT30J110SRA를 새로 출시했습니다.

새로운 GT30J110SRA 제품의 특성이 크게 향상되었습니다. 기존 제품과 함께【1】이에 비해 손실, 단락 전류 억제, 전자기 방사가 적고 안전한 작업 영역이 더 넓습니다.

턴 오프 스위치 및 다이오드 전도 손실을 줄임으로써 손실을 줄일 수 있습니다. 방사 노이즈를 줄임으로써 이전보다 더 작은 게이트 구동 저항을 사용할 수 있습니다. 일반적인 개장 시간【2】0.2μs, 기존 제품 대비【1】약 20 % 감소, 일반적인 오프 타임【2】0.33μs로 기존 제품보다 약 29 % 적습니다. 다이오드의 일반적인 순방향 전압【삼】1.40V로 약 33 % 감소하여 장비 전력 소비를 크게 줄입니다.

단락 전류 억제는 포화 전류를 줄임으로써 달성되며, 이는 장치 시작 중에 공진 커패시터의 단락 전류를 줄일 수 있습니다. 신제품의 일반적인 피크 포화 전류는 200A로 기존 제품보다 높습니다.【1】60A 이하에서 약 40 % 감소, 컬렉터-이미 터 포화 전압은 기존 제품과 동일합니다.【1】.

기존 제품과 함께【1】이에 비해 안전한 사용 영역의 고압 측이 확대되어 제품 손상 가능성이 적습니다.

칩 구조를 최적화하여 낮은 전자기 방사를 달성합니다.【4】. 전자파 방사 레벨이 가장 강한 칩이 30MHz 정도일 때 방사 방출량은 35.8dBμV / m로 기존 제품보다 약 10dBμV / m 정도 낮다.【5】.

[1] 기존 제품 GT60PR21
[2] @VCE= 600V, VI= 60A, VGE= + 15V, T= 25 ° C
[3] @I에프= 30A, VGE= 0V, T= 25 ° C
[4] Toshiba의 측정 값
[5] 기존 제품 GT40QR21

특성

  • 6.5 세대
  • RC 구조 내장 다이오드
  • 낮은 다이오드 순방향 전압 : V에프= 1.40V (일반 값) @I에프= 30A, T= 25 ° C

신청

가전 ​​제품의 전압 공명

  • IH 밥솥
  • IH 인덕션 쿠커
  • 전자 레인지 등

제품 사양

(달리 지정하지 않는 한 @T= 25 ℃)

장치 모델 꾸러미 절대 최대 등급 수집기-
이미 터
포화 전압
VCE (토)일반적인 값 (V)
다이오드
순방향 전압
V에프일반적인 값 (V)
전환 시간
(가을 시간)
에프일반적인 값 (µs)
접합의 열 저항
아르 자형일 (j-c)최대 (° C / W)
수집기
-이미 터
전압
VCES(V)
콜렉터 전류 (DC) I(ㅏ) 접합 온도
제이(° C)
@티= 25 ° C
@티= 100 ° C
@나는= 30A,
VGE= 15V
@나는에프= 30A,
VGE= 0V
GT30J110SRA TO-3P (N) 1100 년 60 30 175 1. 60 1.40 0.17 0.48

내부 회로

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

응용 회로 예

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

이 기사에 표시된 애플리케이션 회로는 참조 용입니다.
특히 양산 설계 단계에서 철저한 평가가 필요합니다.
이러한 응용 회로 예제를 제공한다고해서 산업 재산권 라이센스가 부여 된 것은 아닙니다.

특성 곡선

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • 새로운 다이오드 순방향 전압【삼】25 ° C 및 30A에서 일반적인 값은 1.40V로 기존 제품보다 우수합니다.【1】약 33 % 감소하여 장치의 전력 소비를 줄이는 데 도움이됩니다.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • 신제품은 기존 제품에 비해 스타트 업시 전압 공진으로 인한 커패시터 단락 전류를 줄이기 위해 칩 디자인을 변경했다.【1】. 때 T= 25 ° C 및 VGE = 15V, 콜렉터 전류는 150A ~ 200A로 억제됩니다. 60A 이하의 경우 콜렉터-이미 터 포화 전압은 기존 제품과 동일합니다.【1】전압.
  • 기존 제품에 비해보다 균형 잡힌 성능과 더 넓은 게이트 저항 범위를 가진 신제품【1】.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • 기존 유사 제품【5】이에 비해 신제품은 30MHz 부근에서 가장 높은 전자기 방사 강도를 가지며 방사 수준이 약 10dBμV / m 감소합니다.

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