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TOSHIBAは、家庭用電化製品の電力消費と放射を削減するのに役立つディスクリートIGBを発売します:GT30J110SRA

  • 著者:東芝
  • 発行::2021-01-18

東芝電子部品貯蔵株式会社(以下「東芝」といいます)は、IH炊飯器やAC100V入力電圧共振回路を使用するマイクロ波オーブンなどの家電製品に適した1100VディスクリートIGBT-GT30J110SRAを新発売しました。

新GT30J110SRA製品の特性が大幅に改善されました。既存の製品で【1】それに比べて、その損失、短絡電流抑制、電磁放射は低く、安全な作業領域は広くなっています。

ターンオフスイッチとダイオードの導通損失を減らすことにより、より低い損失を達成できます。放射ノイズを低減することにより、従来よりも小型のゲート駆動抵抗器を使用することが可能になります。典型的な営業時間【2】既存製品と比較して0.2μs【1】通常のオフタイムで約20%短縮【2】0.33μsで、既存製品より約29%少なくなっています。ダイオードの典型的な順方向電圧【3】これは1.40Vで約33%削減され、機器の消費電力を大幅に削減します。

短絡電流の抑制は、飽和電流を減らすことによって実現されます。これにより、デバイスの起動時に共振コンデンサの短絡電流を減らすことができます。新製品の代表的なピーク飽和電流は200Aであり、既存製品よりも高い。【1】60A以下で約40%削減され、コレクター-エミッター飽和電圧は既存の製品と同じになります【1】

既存の製品で【1】それに比べて、安全使用領域の高圧側が拡大され、製品が損傷しにくくなっています。

チップ構造を最適化することにより、より低い電磁放射が達成されます【4】。電磁放射レベルが最も強いチップが約30MHzの場合、放射放出はわずか35.8dBμV/ mであり、既存の製品よりも約10dBμV/ m低くなっています。【5】

【1】既存品GT60PR21
[2] @VCE= 600V、VIC= 60A、VGE= + 15V、TA= 25℃
[3] @IF= 30A、VGE= 0V、TA= 25℃
【4】東芝の測定値
[5]既存製品GT40QR21

特性

  • 6.5世代
  • RC構造内蔵ダイオード
  • 低ダイオード順方向電圧:VF= 1.40V(代表値)@IF= 30A、TA= 25℃

応用

家電製品の電圧共振

  • IHライスクッカー
  • IH誘導調理器
  • マイクロ波など

製品仕様

(特に指定のない限り、@ TA= 25℃)

デバイスモデル パッケージ 絶対最大定格 コレクタ-
エミッター
飽和電圧
VCE(土)代表値(V)
ダイオード
順方向電圧
VF代表値(V)
切り替え時間
(秋)
tf標準値(µs)
接合部の熱抵抗
Rth(j-c)最大(°C / W)
コレクタ
-エミッター
電圧
VCES(V)
コレクタ電流(DC)IC(A) 接合部温度
Tj(°C)
@Tc= 25℃
@Tc= 100℃
@私C= 30A、
VGE= 15V
@私F= 30A、
VGE= 0V
GT30J110SRA TO-3P(N) 1100 60 30 175 1.60 1.40 0.17 0.48

内部回路

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

応用回路例

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

この記事に示されているアプリケーション回路は参照用です。
特に大量生産の設計段階では、徹底的な評価が必要です。
これらのアプリケーション回路の例の提供は、工業所有権のライセンスが付与されることを意味するものではありません。

特性曲線

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • 新しいダイオード順方向電圧【3】25°C、30Aでの標準値は1.40Vで、既存の製品よりも優れています【1】約33%削減されるため、デバイスの消費電力を削減できます。
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • 新製品は、既存製品と比較して、チップ設計を変更し、起動時の電圧共振によるコンデンサ短絡電流を低減しています。【1】。 TのときC= 25°CおよびVGE = 15Vの場合、コレクタ電流は150A〜200Aに抑制されます。 60A以下の場合、コレクター・エミッター飽和電圧は既存製品と同じです。【1】電圧。
  • 新製品は、既存製品と比較して、よりバランスの取れた性能とより広いゲート抵抗範囲を備えています。【1】
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • 既存の同様の製品で【5】比較すると、新製品は約30MHzで最も高い電磁放射強度を持ち、放射レベルは約10dBμV/ m減少します。

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