Balita

Naglunsad ang TOSHIBA ng mga discrete na IGBT na makakatulong na mabawasan ang pagkonsumo ng kuryente at radiation ng mga gamit sa bahay: GT30J110SRA

May-akda:TOSHIBA
Bitawan:2021-01-18

Ang Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (simula dito na tinukoy bilang "Toshiba") ay bagong ipinakilala ang isang 1100V discrete na IGBT-GT30J110SRA, na angkop para sa mga IH rice cooker at gamit sa bahay tulad ng mga microwave oven na gumagamit ng AC 100V input voltage resonance circuit.

Ang mga katangian ng bagong produkto ng GT30J110SRA ay napabuti. Sa mga mayroon nang mga produkto^【1】Sa paghahambing, ang pagkawala nito, panandaliang kasalukuyang pagpigil, electromagnetic radiation ay mas mababa, at ang ligtas na lugar ng pagtatrabaho ay mas malawak.

Sa pamamagitan ng pagbawas ng turn-off switch at diode conduction loss, maaaring makamit ang mas mababang pagkalugi. Sa pamamagitan ng pagbawas ng ingay ng radiation, posible na gumamit ng isang mas maliit na risistor ng drive ng gate kaysa sa nakaraan. Karaniwang oras ng pagbubukas^【2】0.2μs, kumpara sa mga mayroon nang mga produkto^【1】Nabawasan ng tungkol sa 20%, karaniwang off time^【2】Ito ay 0.33μs, na halos 29% mas mababa kaysa sa mga mayroon nang mga produkto. Karaniwang pasulong na boltahe ng diode^【3】Ito ay 1.40V, na kung saan ay nabawasan ng tungkol sa 33%, lubos na binabawasan ang pagkonsumo ng kuryente ng kagamitan.

Ang kasalukuyang pagpigil sa kasalukuyang circuit ay nakakamit sa pamamagitan ng pagbawas ng kasalukuyang saturation, na maaaring mabawasan ang kasalukuyang maikling circuit ng resonant capacitor habang nagsisimula ang aparato. Ang karaniwang kasalukuyang puspos ng saturation ng bagong produkto ay 200A, na mas mataas kaysa sa umiiral na produkto^【1】Nabawasan ng halos 40%, sa 60A o mas mababa, ang boltahe ng saturation ng kolektor-emitter ay katumbas ng umiiral na produkto^【1】.

Sa mga mayroon nang mga produkto^【1】Sa paghahambing, ang bahagi ng mataas na presyon ng ligtas na lugar ng paggamit nito ay pinalaki, na ginagawang mas malamang na masira ang produkto.

Sa pamamagitan ng pag-optimize ng istraktura ng maliit na tilad, nakakamit ang mas mababang electromagnetic radiation^【4】. Kapag ang maliit na tilad ay nasa paligid ng 30MHz kung saan ang antas ng electromagnetic radiation ay pinakamalakas, ang pagpapalabas ng radiation ay 35.8dBμV / m lamang, na halos 10dBμV / m mas mababa kaysa sa mga mayroon nang produkto.^【5】.

[1] Umiiral na produkto GT60PR21
[2] @V_CE＝ 600V, VI_C= 60A, V_GE= + 15V, T_a＝ 25 ° C
[3] @I_F= 30A, V_GE= 0V, T_a＝ 25 ° C
[4] Sinukat na halaga ng Toshiba
[5] Umiiral na produkto GT40QR21

katangian

6.5 henerasyon
Built-in na diode ng istraktura ng RC
Mababang boltahe ng pasulong na diode: V_F＝ 1.40V (tipikal na halaga) @I_F= 30A, T_a＝ 25 ° C

aplikasyon

Pag-irog ng boltahe ng mga gamit sa bahay

IH rice cooker
IH induction cooker
Microwave, atbp.

Mga pagtutukoy ng produkto

(Maliban kung tinukoy man, @T_a＝ 25 ℃)

Modelo ng aparato	Package	Ganap na maximum na rating				kolektor- Emitter Boltahe ng saturation V_{CE (sat)}Karaniwang halaga (V)	diode Pagpasa ng Boltahe V_FKaraniwang halaga (V)	Oras ng paglipat (Tag lagas) t_fKaraniwang halaga (µs)	Thermal paglaban ng kantong R_{ika (j-c)}Maximum (° C / W)
		maniningil -Emitter Boltahe V_CES(V)	Kasalukuyang kolektor (DC) I_C(A)		Temperatura ng junction T_j(° C)		diode Pagpasa ng Boltahe V_FKaraniwang halaga (V)
		maniningil -Emitter Boltahe V_CES(V)	@T_c＝ 25 ° C	@T_c＝ 100 ° C	Temperatura ng junction T_j(° C)	@I_C= 30A, V_GE＝ 15V	@I_F= 30A, V_GE= 0V
GT30J110SRA	TO-3P (N)	1100	60	30	175	1.60	1.40	0.17	0.48

Panloob na circuit

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Halimbawa ng circuit ng application

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Ang application circuit na ipinapakita sa artikulong ito ay para sa sanggunian lamang.
Kinakailangan ang isang masusing pagsusuri, lalo na sa yugto ng disenyo ng produksyon ng masa.
Ang pagkakaloob ng mga halimbawang circuit ng aplikasyon na ito ay hindi nangangahulugang naibigay ang anumang lisensya sa pang-industriya na pag-aari.

Katangian curve

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Bagong boltahe ng pasulong na diode^【3】Ang tipikal na halaga sa 25 ° C at 30A ay 1.40V, na mas mahusay kaysa sa mga mayroon nang mga produkto^【1】Nabawasan ng tungkol sa 33%, kaya nakakatulong upang mabawasan ang pagkonsumo ng kuryente ng aparato.

Kung ikukumpara sa mga mayroon nang mga produkto, binago ng bagong produkto ang disenyo ng maliit na tilad upang mabawasan ang kasalukuyang kapasitor ng maikling circuit dahil sa boltahe na taginting habang nagsisimula^【1】. Nang si T_C= 25 ° C at V_GE= 15V, ang kasalukuyang kolektor ay pinigilan sa 150A hanggang 200A. Sa kaso ng 60A o mas mababa, ang boltahe ng saturator ng kolektor-emitter ay katumbas ng umiiral na produkto^【1】Ang boltahe.

Kung ikukumpara sa mga mayroon nang produkto, ang bagong produkto ay may mas balanseng pagganap at isang mas malaking saklaw ng paglaban sa gate^【1】.

Sa mayroon nang mga katulad na produkto^【5】Sa paghahambing, ang bagong produkto ay may pinakamataas na intensity ng electromagnetic radiation sa paligid ng 30MHz, at ang antas ng radiation ay nabawasan ng halos 10dBμV / m.

Ang mga presyo ng produkto at detalye, nilalaman ng serbisyo, at impormasyon sa pakikipag-ugnay sa dokumentong ito ay ang pinakabagong impormasyon pa rin sa petsa ng anunsyo at maaaring magbago nang walang abiso.