Türk dili
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Hakkımızda | Bizimle iletişime geçin | Bir teklif isteği |
Ev > haber > TOSHIBA, ev aletlerinin güç tüketimini ve radyasyonunu azaltmaya yardımcı olan ayrı IGBT'leri piyasaya sürdü: GT30J110SRA

haber

TOSHIBA, ev aletlerinin güç tüketimini ve radyasyonunu azaltmaya yardımcı olan ayrı IGBT'leri piyasaya sürdü: GT30J110SRA

  • Yazar:TOSHIBA
  • Üzerinde serbest bırakmak:2021-01-18

Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (bundan sonra "Toshiba" olarak anılacaktır), kısa bir süre önce IH pirinç pişiricileri ve AC 100V giriş voltajı rezonans devresi kullanan mikrodalga fırınlar gibi ev aletleri için uygun olan 1100V ayrı bir IGBT-GT30J110SRA'yı piyasaya sürdü.

Yeni GT30J110SRA ürününün özellikleri büyük ölçüde iyileştirildi. Mevcut ürünlerle【1】Buna karşılık, kaybı, kısa devre akımı bastırma, elektromanyetik radyasyon daha düşük ve güvenli çalışma alanı daha geniştir.

Kapatma anahtarı ve diyot iletim kayıplarını azaltarak daha düşük kayıplar elde edilebilir. Radyasyon gürültüsünü azaltarak, geçmişte olduğundan daha küçük bir geçit sürücü direnci kullanmak mümkündür. Tipik açılış zamanı【2】0,2 μs, mevcut ürünlerle karşılaştırıldığında【1】Tipik kapalı kalma süresi yaklaşık% 20 azaldı【2】Mevcut ürünlerden yaklaşık% 29 daha az olan 0.33μs'dir. Tipik ileri diyot voltajı【3】Yaklaşık% 33 oranında düşürülen 1,40V'dur ve ekipmanın güç tüketimini büyük ölçüde azaltır.

Kısa devre akımı bastırma, satürasyon akımını azaltarak elde edilir, bu da cihaz başlatılırken rezonans kapasitörünün kısa devre akımını azaltabilir. Yeni ürünün tipik tepe doygunluk akımı, mevcut üründen daha yüksek olan 200A'dır.【1】60A veya daha düşük sıcaklıkta yaklaşık% 40 azaltılmış, kollektör-yayıcı doyma voltajı mevcut ürüne eşittir【1】.

Mevcut ürünlerle【1】Buna karşılık, güvenli kullanım alanının yüksek basınç tarafı genişleyerek ürünün hasar görme olasılığını azaltır.

Çip yapısını optimize ederek daha düşük elektromanyetik radyasyon elde edilir【4】. Çip, elektromanyetik radyasyon seviyesinin en güçlü olduğu 30MHz civarında olduğunda, radyasyon emisyonu sadece 35.8dBμV / m'dir, bu da mevcut ürünlerden yaklaşık 10dBμV / m daha düşüktür.【5】.

[1] Mevcut ürün GT60PR21
[2] @VCE＝ 600V, VIC= 60A, VGE= + 15V, Ta＝ 25 ° C
[3] @IF= 30A, VGE= 0V, Ta＝ 25 ° C
[4] Toshiba'nın ölçülen değeri
[5] Mevcut ürün GT40QR21

karakteristik

  • 6.5 nesil
  • RC yapısı yerleşik diyot
  • Düşük diyot ileri voltajı: VF＝ 1.40V (tipik değer) @IF= 30A, Ta＝ 25 ° C

uygulama

Ev aletlerinin voltaj rezonansı

  • IH pirinç pişirici
  • IH indüksiyonlu ocak
  • Mikrodalga vb.

Ürün Özellikleri

(Aksi belirtilmedikçe, @Ta＝ 25 ℃)

Cihaz modeli Paket içeriği Mutlak maksimum derece kolektör-
Verici
Doygunluk voltajı
VCE (oturdu)Tipik değer (V)		 diyot
İleri Gerilim
VFTipik değer (V)		 Anahtarlama zamanı
(Güz zamanı)
tfTipik değer (µs)		 Bağlantı noktasının ısıl direnci
Rth (j-c)Maksimum (° C / W)
kolektör
-Emiter
Voltaj
VCES(V)		 Kollektör akımı (DC) IC(A) Birleşme sıcaklığı
Tj(° C)
@Tc＝ 25 ° C
 @Tc＝ 100 ° C
 @BENC= 30A,
VGE＝ 15V		 @BENF= 30A,
VGE= 0V
GT30J110SRA TO-3P (N) 1100 60 30 175 1.60 1.40 0.17 0.48

İç devre

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Uygulama devresi örneği

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Bu makalede gösterilen uygulama devresi sadece referans içindir.
Özellikle seri üretim tasarım aşamasında kapsamlı bir değerlendirme gereklidir.
Bu uygulama devre örneklerinin sağlanması, herhangi bir sınai mülkiyet lisansının verildiği anlamına gelmez.

Karakteristik eğri

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Yeni diyot ileri voltajı【3】25 ° C ve 30A'daki tipik değer 1,40V'tur ve bu mevcut ürünlerden daha iyidir【1】Yaklaşık% 33 oranında azaltılır ve böylece cihazın güç tüketiminin azaltılmasına yardımcı olur.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Mevcut ürünlerle karşılaştırıldığında, yeni ürün, başlatma sırasında voltaj rezonansından kaynaklanan kapasitör kısa devre akımını azaltmak için çip tasarımını değiştirdi.【1】. TC= 25 ° C ve VGE = 15V, kolektör akımı 150A ila 200A arasında bastırılır. 60A veya daha düşük olması durumunda, kollektör-emitör doyma voltajı mevcut ürüne eşittir【1】Voltaj.
  • Mevcut ürünlerle karşılaştırıldığında, yeni ürün daha dengeli performansa ve daha geniş bir kapı direnç aralığına sahiptir.【1】.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Mevcut benzer ürünlerle【5】Buna karşılık, yeni ürün 30MHz civarında en yüksek elektromanyetik radyasyon yoğunluğuna sahip ve radyasyon seviyesi yaklaşık 10dBμV / m düşürüldü.

Bu belgedeki ürün fiyatları ve teknik özellikleri, hizmet içeriği ve iletişim bilgileri hala duyuru tarihindeki en son bilgilerdir ve önceden haber verilmeksizin değiştirilebilir.