Suomi
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Meistä | Ota meihin yhteyttä | Pyydä tarjous |
Koti > Uutiset > TOSHIBA tuo markkinoille erilliset IGBT-laitteet, jotka auttavat vähentämään kodinkoneiden virrankulutusta ja säteilyä: GT30J110SRA

Uutiset

TOSHIBA tuo markkinoille erilliset IGBT-laitteet, jotka auttavat vähentämään kodinkoneiden virrankulutusta ja säteilyä: GT30J110SRA

  • kirjailija:TOSHIBA
  • Vapauta:2021-01-18

Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (jäljempänä "Toshiba") on vastikään tuonut markkinoille 1100 V: n erillisen IGBT-GT30J110SRA-laitteen, joka soveltuu IH-riisikeittimille ja kodinkoneille, kuten mikroaaltouuneille, jotka käyttävät 100 V: n AC-jänniteresonanssipiiriä.

Uuden GT30J110SRA-tuotteen ominaisuuksia on parannettu huomattavasti. Nykyisten tuotteiden kanssa【1】Vertailun vuoksi sen häviö, oikosulkuvirran vaimennus, sähkömagneettinen säteily ovat pienempiä ja turvallinen työskentelyalue laajempi.

Pienentämällä katkaisukytkimen ja diodin johtohäviöitä voidaan saavuttaa pienempi häviö. Vähentämällä säteilykohinaa on mahdollista käyttää pienempää hilaohjausvastusta kuin aiemmin. Tyypillinen avausaika【2】0,2 μs verrattuna olemassa oleviin tuotteisiin【1】Vähentynyt noin 20%, tyypillinen sammutusaika【2】Se on 0,33 μs, mikä on noin 29% vähemmän kuin olemassa olevat tuotteet. Tyypillinen diodin eteenpäin suuntautuva jännite【3】Se on 1,40 V, mikä pienenee noin 33%, mikä vähentää huomattavasti laitteiden virrankulutusta.

Oikosulkuvirran vaimennus saavutetaan vähentämällä kyllästysvirtaa, mikä voi vähentää resonanssikondensaattorin oikosulkuvirtaa laitteen käynnistyksen aikana. Uuden tuotteen tyypillinen huippukyllästysvirta on 200 A, joka on korkeampi kuin nykyisen tuotteen【1】Keräin-emitterikyllästysjännite on yhtä suuri kuin nykyinen tuote, pienennettynä noin 40% 60 A: n lämpötilassa tai pienemmällä【1】.

Nykyisten tuotteiden kanssa【1】Vertailun vuoksi sen turvallisen käyttöalueen korkeapainepuoli on laajentunut, jolloin tuote ei todennäköisesti vahingoitu.

Optimoimalla sirun rakenne saavutetaan pienempi sähkömagneettinen säteily【4】. Kun siru on noin 30 MHz, missä sähkömagneettisen säteilyn taso on voimakkain, säteilypäästöt ovat vain 35,8dBμV / m, mikä on noin 10dBμV / m pienempi kuin olemassa olevat tuotteet.【5】.

[1] Olemassa oleva tuote GT60PR21
[2] @VCE＝ 600 V, VIC= 60A, VGE= + 15 V, T.a25 ° C
[3] @IF= 30A, VGE= 0 V, T.a25 ° C
[4] Toshiban mitattu arvo
[5] Olemassa oleva tuote GT40QR21

ominaisuus

  • 6,5 sukupolvi
  • RC-rakenteinen sisäänrakennettu diodi
  • Pieni diodin lähtöjännite: V.F＝ 1,40 V (tyypillinen arvo) @ IF= 30A, Ta25 ° C

sovellus

Kodinkoneiden jänniteresonanssi

  • IH-riisikeitin
  • IH-induktioliesi
  • Mikroaaltouuni jne.

Tuotetiedot

(Ellei toisin mainita, @Ta＝ 25 ℃)

Laitemalli Paketti Absoluuttinen maksimiluokitus keräilijä-
Emitter
Kylläisyysjännite
VCE (sat)Tyypillinen arvo (V)		 diodi
Eteenpäin jännite
VFTyypillinen arvo (V)		 Vaihtoaika
(Syksyn aika)
tfTyypillinen arvo (µs)		 Ristin lämmönkestävyys
Rth (j-c)Suurin (° C / W)
keräilijä
-Emitter
Jännite
VCES(V)		 Keräimen virta (DC) IC(A) Risteyksen lämpötila
Tj(° C)
@Tc25 ° C
 @Tc＝ 100 ° C
 @IC= 30A,
VGE＝ 15 V		 @IF= 30A,
VGE= 0 V
GT30J110SRA TO-3P (N) 1100 60 30 175 1.60 1.40 0,17 0,48

Sisäinen piiri

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Esimerkki sovelluspiiristä

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Tässä artikkelissa esitetty sovelluspiiri on vain viitteellinen.
Tarvitaan perusteellinen arviointi erityisesti massatuotannon suunnitteluvaiheessa.
Näiden sovelluspiiriesimerkkien toimittaminen ei tarkoita, että teollisoikeuksien lisenssejä myönnetään.

Tyypillinen käyrä

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Uusi diodin lähtöjännite【3】Tyypillinen arvo lämpötiloissa 25 ° C ja 30 A on 1,40 V, mikä on parempi kuin olemassa olevat tuotteet【1】Pienennetty noin 33%, mikä auttaa vähentämään laitteen virrankulutusta.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Olemassa oleviin tuotteisiin verrattuna uusi tuote on muuttanut sirun rakennetta vähentämään kondensaattorin oikosulkuvirtaa käynnistysvaiheessa olevan jänniteresonanssin vuoksi【1】. Milloin tC= 25 ° C ja VGE = 15 V, kollektorivirta vaimennetaan 150 A - 200 A. 60A: n tai sitä alhaisemmassa tapauksessa kollektori-emitterikylläisyysjännite on yhtä suuri kuin olemassa oleva tuote【1】Jännite.
  • Verrattuna nykyisiin tuotteisiin, uudella tuotteella on tasapainoisempi suorituskyky ja suurempi porttivastusalue【1】.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.
  • Olemassa olevien vastaavien tuotteiden kanssa【5】Vertailun vuoksi uudella tuotteella on korkein sähkömagneettisen säteilyn intensiteetti noin 30 MHz, ja säteilytaso pienenee noin 10 dBm / v.

Tämän asiakirjan tuotteiden hinnat ja tekniset tiedot, palvelun sisältö ja yhteystiedot ovat edelleen viimeisimmät tiedot ilmoituspäivänä, ja niitä voidaan muuttaa ilman erillistä ilmoitusta.