Aktualności

TOSHIBA wprowadza na rynek dyskretne tranzystory IGBT, które pomagają zmniejszyć zużycie energii i promieniowanie urządzeń gospodarstwa domowego: GT30J110SRA

Autor:TOSHIBA
Zwolnij na:2021-01-18

Firma Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (zwana dalej „Toshiba”) niedawno wprowadziła dyskretny IGBT-GT30J110SRA 1100 V, który jest odpowiedni do urządzeń do gotowania ryżu IH i urządzeń gospodarstwa domowego, takich jak kuchenki mikrofalowe, które wykorzystują obwód rezonansu napięcia wejściowego 100 V AC.

Charakterystyka nowego produktu GT30J110SRA została znacznie ulepszona. Z istniejącymi produktami^【1】Dla porównania mniejsze są jego straty, tłumienie prądu zwarciowego, promieniowanie elektromagnetyczne, a bezpieczny obszar pracy jest szerszy.

Zmniejszając wyłącznik i straty przewodzenia diody, można osiągnąć niższe straty. Zmniejszając hałas promieniowania, można zastosować mniejszy rezystor sterujący bramką niż w przeszłości. Typowy czas otwarcia^【2】0,2 μs w porównaniu z istniejącymi produktami^【1】Zredukowany o około 20%, typowy czas wyłączenia^【2】Jest to 0,33 μs, czyli około 29% mniej niż w przypadku istniejących produktów. Typowe napięcie przewodzenia diody^【3】Jest to 1,40 V, które jest zmniejszone o około 33%, znacznie zmniejszając zużycie energii przez sprzęt.

Tłumienie prądu zwarciowego uzyskuje się poprzez zmniejszenie prądu nasycenia, co może zmniejszyć prąd zwarciowy kondensatora rezonansowego podczas uruchamiania urządzenia. Typowy szczytowy prąd nasycenia nowego produktu wynosi 200 A, czyli jest wyższy niż w przypadku istniejącego produktu^【1】Zmniejszone o około 40%, przy 60 A lub mniej, napięcie nasycenia kolektor-emiter jest równe istniejącemu produktowi^【1】.

Z istniejącymi produktami^【1】Dla porównania, strona wysokiego ciśnienia obszaru bezpiecznego użytkowania jest powiększona, co zmniejsza prawdopodobieństwo uszkodzenia produktu.

Dzięki optymalizacji struktury chipa uzyskuje się niższe promieniowanie elektromagnetyczne^{】 4】}. Gdy chip ma około 30 MHz, gdzie poziom promieniowania elektromagnetycznego jest najsilniejszy, emisja promieniowania wynosi tylko 35,8 dBμV / m, czyli około 10 dBμV / m mniej niż w przypadku istniejących produktów.^{】 5】}.

[1] Istniejący produkt GT60PR21
[2] @V_CE＝ 600V, VI_do= 60 A, V._GE= + 15 V, T._za＝ 25 ° C
[3] @I_fa= 30 A, V._GE= 0 V, T._za＝ 25 ° C
[4] Wartość zmierzona Toshiby
[5] Istniejący produkt GT40QR21

Charakterystyka

6.5 generacji
Dioda wbudowana w strukturę RC
Niskie napięcie przewodzenia diody: V_fa＝ 1,40 V (wartość typowa) @ I._fa= 30A, T._za＝ 25 ° C

podanie

Rezonans napięciowy urządzeń gospodarstwa domowego

Urządzenie do gotowania ryżu IH
Kuchenka indukcyjna IH
Kuchenka mikrofalowa itp.

Specyfikacja produktu

(O ile nie określono inaczej, @T_za＝ 25 ℃)

Model urządzenia	Pakiet	Absolutna maksymalna ocena				kolektor- Emiter Napięcie nasycenia V_{CE (sat)}Wartość typowa (V)	dioda Napięcie przewodzenia V_faWartość typowa (V)	Czas przełączania (Czas upadku) t_faTypowa wartość (µs)	Opór cieplny złącza R_{th (j-c)}Maksymalnie (° C / W)
		kolektor -Emitter Napięcie V_CES(V)	Prąd kolektora (DC) I_do(ZA)		Temperatura złącza T_jot(° C)		dioda Napięcie przewodzenia V_faWartość typowa (V)
		kolektor -Emitter Napięcie V_CES(V)	@T_do＝ 25 ° C	@T_do＝ 100 ° C	Temperatura złącza T_jot(° C)	@JA_do= 30A, V_GE＝ 15V	@JA_fa= 30A, V_GE= 0V
GT30J110SRA	TO-3P (N)	1100	60	30	175	1.60	1.40	0,17	0.48

Obwód wewnętrzny

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Przykład obwodu aplikacji

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Obwód aplikacji przedstawiony w tym artykule ma jedynie charakter poglądowy.
Wymagana jest dokładna ocena, szczególnie w fazie projektowania produkcji masowej.
Dostarczenie tych przykładów obwodów aplikacji nie oznacza, że przyznano licencję na własność przemysłową.

Charakterystyczna krzywa

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Nowe napięcie przewodzenia diody^【3】Typowa wartość przy 25 ° C i 30 A to 1,40 V, co jest lepsze niż w przypadku istniejących produktów^【1】Zmniejszone o około 33%, pomagając w ten sposób zmniejszyć zużycie energii przez urządzenie.

W porównaniu z istniejącymi produktami nowy produkt zmienił konstrukcję chipa, aby zmniejszyć prąd zwarciowy kondensatora z powodu rezonansu napięcia podczas uruchamiania^【1】. Kiedy T._do= 25 ° C i V._GE= 15 V, prąd kolektora jest tłumiony do 150A do 200A. Dla wartości 60 A lub niższej napięcie nasycenia kolektor-emiter jest równe istniejącemu produktowi^【1】Napięcie.

W porównaniu z istniejącymi produktami nowy produkt ma bardziej zrównoważoną wydajność i większy zakres rezystancji bramy^【1】.

Z istniejącymi podobnymi produktami^{】 5】}Dla porównania nowy produkt ma największe natężenie promieniowania elektromagnetycznego w okolicach 30 MHz, a poziom promieniowania został obniżony o około 10 dBμV / m.

Ceny i specyfikacje produktów, zawartość usług i dane kontaktowe w tym dokumencie są nadal najnowszymi informacjami w dniu ogłoszenia i mogą ulec zmianie bez powiadomienia.