Νέα

Η TOSHIBA λανσάρει διακριτά IGBT που βοηθούν στη μείωση της κατανάλωσης ενέργειας και της ακτινοβολίας οικιακών συσκευών: GT30J110SRA

Συγγραφέας:TOSHIBA
Απελευθερώστε το:2021-01-18

Η Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. (εφεξής "Toshiba") κυκλοφόρησε πρόσφατα ένα διακριτό 1100V IGBT-GT30J110SRA, το οποίο είναι κατάλληλο για εστίες ρυζιού IH και οικιακές συσκευές, όπως φούρνους μικροκυμάτων που χρησιμοποιούν κύκλωμα συντονισμού τάσης εισόδου AC 100V.

Τα χαρακτηριστικά του νέου προϊόντος GT30J110SRA έχουν βελτιωθεί σημαντικά. Με υπάρχοντα προϊόντα^【1】Σε σύγκριση, η απώλεια, η καταστολή ρεύματος βραχυκυκλώματος, η ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία είναι χαμηλότερες και η ασφαλής περιοχή εργασίας είναι ευρύτερη.

Μειώνοντας τις απώλειες διακόπτη απενεργοποίησης και αγωγιμότητας διόδων, μπορούν να επιτευχθούν χαμηλότερες απώλειες. Με τη μείωση του θορύβου ακτινοβολίας, είναι δυνατή η χρήση μικρότερης αντίστασης κίνησης πύλης από ό, τι στο παρελθόν. Τυπικός χρόνος ανοίγματος^【2】0,2μs, σε σύγκριση με τα υπάρχοντα προϊόντα^【1】Μειώθηκε κατά περίπου 20%, τυπικός χρόνος εκτός λειτουργίας^【2】Είναι 0,33μs, που είναι περίπου 29% λιγότερο από τα υπάρχοντα προϊόντα. Τυπική προς τα εμπρός τάση της διόδου^【3】Είναι 1,40V, το οποίο μειώνεται κατά περίπου 33%, μειώνοντας σημαντικά την κατανάλωση ισχύος του εξοπλισμού.

Η καταστολή ρεύματος βραχυκυκλώματος επιτυγχάνεται μειώνοντας το ρεύμα κορεσμού, το οποίο μπορεί να μειώσει το ρεύμα βραχυκυκλώματος του συντονιστή πυκνωτή κατά την εκκίνηση της συσκευής. Το τυπικό μέγιστο ρεύμα κορεσμού του νέου προϊόντος είναι 200Α, το οποίο είναι υψηλότερο από αυτό του υπάρχοντος προϊόντος^【1】Μειώθηκε κατά περίπου 40%, στα 60Α ή χαμηλότερα, η τάση κορεσμού συλλέκτη-εκπομπής είναι ίση με το υπάρχον προϊόν^【1】.

Με υπάρχοντα προϊόντα^【1】Σε σύγκριση, η πλευρά υψηλής πίεσης της περιοχής ασφαλούς χρήσης της διευρύνεται, καθιστώντας το προϊόν λιγότερο πιθανό να υποστεί ζημιά.

Με τη βελτιστοποίηση της δομής των τσιπ, επιτυγχάνεται χαμηλότερη ηλεκτρομαγνητική ακτινοβολία^【4】. Όταν το τσιπ είναι περίπου 30MHz όπου το επίπεδο ηλεκτρομαγνητικής ακτινοβολίας είναι το ισχυρότερο, η εκπομπή ακτινοβολίας είναι μόνο 35,8dBμV / m, που είναι περίπου 10dBμV / m χαμηλότερη από τα υπάρχοντα προϊόντα.^【5】.

[1] Υφιστάμενο προϊόν GT60PR21
[2] @V_CE＝ 600V, VI_ντο= 60Α, V_ΓΕ= + 15V, Τ_ένα＝ 25 ° C
[3] @ Εγώ_φά= 30Α, V_ΓΕ= 0V, Τ_ένα＝ 25 ° C
[4] Η μετρούμενη τιμή της Toshiba
[5] Υφιστάμενο προϊόν GT40QR21

χαρακτηριστικό γνώρισμα

6.5 γενιά
Ενσωματωμένη δίοδος δομής RC
Χαμηλή τάση προς τα εμπρός διόδων: V_φά＝ 1,40V (τυπική τιμή) @I_φά= 30Α, Τ_ένα＝ 25 ° C

εφαρμογή

Συντονισμός τάσης οικιακών συσκευών

Κουζίνα ρυζιού IH
Επαγωγική κουζίνα IH
Φούρνος μικροκυμάτων κ.λπ.

Προδιαγραφές προϊόντος

(Εκτός εάν ορίζεται διαφορετικά, @T_ένα＝ 25 ℃)

Μοντέλο συσκευής	Πακέτο	Απόλυτη μέγιστη βαθμολογία				συλλέκτης- Εκπόμπος Τάση κορεσμού Β_{CE (καθ.)}Τυπική τιμή (V)	δίοδος Μπροστινή τάση Β_φάΤυπική τιμή (V)	Χρόνος εναλλαγής (Χρόνος πτώσης) τ_φάΤυπική τιμή (μs)	Θερμική αντίσταση της διασταύρωσης Ρ_{ου (j-c)}Μέγιστο (° C / W)
		συλλέκτης -Εκπόμπος Τάση Β_CES(V)	Ρεύμα συλλέκτη (DC) I_ντο(ΕΝΑ)		Θερμοκρασία διασταύρωσης Τ_ι(° C)		δίοδος Μπροστινή τάση Β_φάΤυπική τιμή (V)
		συλλέκτης -Εκπόμπος Τάση Β_CES(V)	@ Τ_ντο＝ 25 ° C	@ Τ_ντο＝ 100 ° C	Θερμοκρασία διασταύρωσης Τ_ι(° C)	@ΕΓΩ_ντο= 30Α, Β_ΓΕ＝ 15V	@ΕΓΩ_φά= 30Α, Β_ΓΕ= 0V
GT30J110SRA	TO-3P (N)	1100	60	30	175	1.60	1.40	0.17	0,48

Εσωτερικό κύκλωμα

The illustration of internal circuit of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Παράδειγμα κυκλώματος εφαρμογής

The illustration of application circuit example of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Το κύκλωμα εφαρμογής που εμφανίζεται σε αυτό το άρθρο προορίζεται μόνο για αναφορά.
Απαιτείται διεξοδική αξιολόγηση, ειδικά στη φάση σχεδιασμού μαζικής παραγωγής.
Η παροχή αυτών των παραδειγμάτων κυκλώματος εφαρμογής δεν σημαίνει ότι χορηγείται άδεια βιομηχανικής ιδιοκτησίας.

Χαρακτηριστική καμπύλη

The illustration of characteristics curves of a discrete IGBT that helps reduce the power consumption and radiated emission of home appliances : GT30J110SRA.

Νέα τάση προς τα εμπρός διόδων^【3】Η τυπική τιμή στους 25 ° C και 30A είναι 1,40V, η οποία είναι καλύτερη από τα υπάρχοντα προϊόντα^【1】Μειώθηκε κατά περίπου 33%, συμβάλλοντας έτσι στη μείωση της κατανάλωσης ισχύος της συσκευής.

Σε σύγκριση με τα υπάρχοντα προϊόντα, το νέο προϊόν άλλαξε τη σχεδίαση τσιπ για να μειώσει το ρεύμα βραχυκυκλώματος πυκνωτή λόγω συντονισμού τάσης κατά την εκκίνηση^【1】. Όταν Τ_ντο= 25 ° C και V_ΓΕ= 15V, το ρεύμα συλλέκτη καταστέλλεται στα 150A έως 200A. Στην περίπτωση 60Α ή χαμηλότερη, η τάση κορεσμού συλλέκτη-εκπομπής είναι ίση με το υπάρχον προϊόν^【1】Η τάση.

Σε σύγκριση με τα υπάρχοντα προϊόντα, το νέο προϊόν έχει πιο ισορροπημένη απόδοση και μεγαλύτερη γκάμα αντοχής στην πύλη^【1】.

Με υπάρχοντα παρόμοια προϊόντα^【5】Συγκριτικά, το νέο προϊόν έχει την υψηλότερη ένταση ηλεκτρομαγνητικής ακτινοβολίας περίπου 30MHz, και το επίπεδο ακτινοβολίας έχει μειωθεί κατά περίπου 10dBμV / m.

Οι τιμές και οι προδιαγραφές του προϊόντος, το περιεχόμενο της υπηρεσίας και τα στοιχεία επικοινωνίας σε αυτό το έγγραφο παραμένουν οι τελευταίες πληροφορίες την ημέρα της ανακοίνωσης και υπόκεινται σε αλλαγές χωρίς προειδοποίηση.