Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
GHXS030A060S-D3	DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227	Penyelidikan
GP1M006A065CH	MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK	Penyelidikan
GP2M011A090NG	MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN	Penyelidikan
S16K	DIODE GEN PURP 800V 16A DO203AA	Penyelidikan
1N3208R	DIODE GEN PURP REV 50V 15A DO5	Penyelidikan
S6J	DIODE GEN PURP 600V 6A DO4	Penyelidikan
GCMS080A120S1-E1	SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C	Penyelidikan
GKR26/04	DIODE GEN PURP 400V 25A DO4	Penyelidikan
GHIS060A120S1-E1	SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S	Penyelidikan
GPA020A120MN-FD	IGBT 1200V 40A 223W TO3PN	Penyelidikan
FR16D02	DIODE GEN PURP 200V 16A DO4	Penyelidikan
FR20K05	DIODE GEN PURP 800V 20A DO5	Penyelidikan
GP1M003A050PG	MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK	Penyelidikan
GP2D020A120U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247	Penyelidikan
GPA030A120MN-FD	IGBT 1200V 60A 329W TO3PN	Penyelidikan
GP2M020A050N	MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN	Penyelidikan
GP2M005A060CG	MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK	Penyelidikan
FR30D02	DIODE GEN PURP 200V 30A DO5	Penyelidikan
S6D	DIODE GEN PURP 200V 6A DO4	Penyelidikan
1N1183AR	DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5	Penyelidikan
GP2D012A065C	DIODE SCHOTTKY 650V 29A TO252-2	Penyelidikan
GP1M003A050CG	MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK	Penyelidikan
S25D	DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA	Penyelidikan
FR12GR02	DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4	Penyelidikan
GP2M005A060PGH	MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK	Penyelidikan
GP1M009A050HS	MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220	Penyelidikan
GP1M009A070F	MOSFET N-CH 700V 9A TO220F	Penyelidikan
GHIS100A120T2C1	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Penyelidikan
GSID100A120T2C1A	SILICON IGBT MODULES	Penyelidikan
1N3880R	DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4	Penyelidikan
GSXD060A020S1-D3	DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227	Penyelidikan
FR6KR05	DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4	Penyelidikan
S16GR	DIODE GEN REV 400V 16A DO203AA	Penyelidikan
S16DR	DIODE GEN REV 200V 16A DO203AA	Penyelidikan
GHIS100A120S1-E1	SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S	Penyelidikan
FR12G05	DIODE GEN PURP 400V 12A DO4	Penyelidikan
GHIS060A060S-A1	IGBT BOOST CHOP 600V 120A SOT227	Penyelidikan
FR16DR05	DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4	Penyelidikan
FR6J05	DIODE GEN PURP 600V 6A DO4	Penyelidikan
MUR2560	DIODE GEN PURP 600V 25A DO4	Penyelidikan
GAP05SLT80-220	DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL	Penyelidikan
MUR2540	DIODE GEN PURP 400V 25A DO4	Penyelidikan
FST10020	DIODE MODULE 20V 100A TO249AB	Penyelidikan
GP1M011A050FH	MOSFET N-CH 500V 11A TO220F	Penyelidikan
FR12DR05	DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4	Penyelidikan
FR16M05	DIODE GEN PURP 1KV 16A DO4	Penyelidikan
1N1189R	DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5	Penyelidikan
1N3766R	DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5	Penyelidikan
GP2D040A120U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247	Penyelidikan
GP2M012A060F	MOSFET N-CH 600V 12A TO220F	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:7/13Sebelumnya 1 2 3 4 5 678 9 10 11 12 13 Berikutnya Akhir