Κάρτα Γραμμής

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Η Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG"), που ιδρύθηκε το 2007, είναι μια ολοκληρωμένη εταιρία ανάπτυξης και κατασκευής προϊόντων που βασίζεται σε τεχνολογίες καρβιδίου του πυριτίου (SiC). Τα προϊόντα αυτά θα είναι θεμελιώδη για τις βιομηχανίες ηλεκτρονικών ισχύος και ενέργειας κατά τα επόμενα έτη, όπου απαιτούνται προηγμένες τεχνολογίες για χαμηλού κόστους, υψηλής αποδοτικότητας παραγωγή, μετατροπή και μετάδοση ενέργειας.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
GHXS030A060S-D3 Image GHXS030A060S-D3 DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227 Έρευνα
GP1M006A065CH Image GP1M006A065CH MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK Έρευνα
GP2M011A090NG Image GP2M011A090NG MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN Έρευνα
S16K DIODE GEN PURP 800V 16A DO203AA Έρευνα
1N3208R DIODE GEN PURP REV 50V 15A DO5 Έρευνα
S6J DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 Έρευνα
GCMS080A120S1-E1 SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C Έρευνα
GKR26/04 DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 Έρευνα
GHIS060A120S1-E1 SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S Έρευνα
GPA020A120MN-FD Image GPA020A120MN-FD IGBT 1200V 40A 223W TO3PN Έρευνα
FR16D02 DIODE GEN PURP 200V 16A DO4 Έρευνα
FR20K05 DIODE GEN PURP 800V 20A DO5 Έρευνα
GP1M003A050PG Image GP1M003A050PG MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK Έρευνα
GP2D020A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 Έρευνα
GPA030A120MN-FD Image GPA030A120MN-FD IGBT 1200V 60A 329W TO3PN Έρευνα
GP2M020A050N Image GP2M020A050N MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN Έρευνα
GP2M005A060CG Image GP2M005A060CG MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK Έρευνα
FR30D02 DIODE GEN PURP 200V 30A DO5 Έρευνα
S6D DIODE GEN PURP 200V 6A DO4 Έρευνα
1N1183AR DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5 Έρευνα
GP2D012A065C DIODE SCHOTTKY 650V 29A TO252-2 Έρευνα
GP1M003A050CG Image GP1M003A050CG MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK Έρευνα
S25D DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA Έρευνα
FR12GR02 DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4 Έρευνα
GP2M005A060PGH Image GP2M005A060PGH MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK Έρευνα
GP1M009A050HS Image GP1M009A050HS MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220 Έρευνα
GP1M009A070F Image GP1M009A070F MOSFET N-CH 700V 9A TO220F Έρευνα
GHIS100A120T2C1 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Έρευνα
GSID100A120T2C1A SILICON IGBT MODULES Έρευνα
1N3880R DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 Έρευνα
GSXD060A020S1-D3 Image GSXD060A020S1-D3 DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227 Έρευνα
FR6KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4 Έρευνα
S16GR DIODE GEN REV 400V 16A DO203AA Έρευνα
S16DR DIODE GEN REV 200V 16A DO203AA Έρευνα
GHIS100A120S1-E1 SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S Έρευνα
FR12G05 Image FR12G05 DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 Έρευνα
GHIS060A060S-A1 Image GHIS060A060S-A1 IGBT BOOST CHOP 600V 120A SOT227 Έρευνα
FR16DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 Έρευνα
FR6J05 DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 Έρευνα
MUR2560 DIODE GEN PURP 600V 25A DO4 Έρευνα
GAP05SLT80-220 Image GAP05SLT80-220 DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL Έρευνα
MUR2540 DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 Έρευνα
FST10020 Image FST10020 DIODE MODULE 20V 100A TO249AB Έρευνα
GP1M011A050FH Image GP1M011A050FH MOSFET N-CH 500V 11A TO220F Έρευνα
FR12DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 Έρευνα
FR16M05 DIODE GEN PURP 1KV 16A DO4 Έρευνα
1N1189R DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5 Έρευνα
1N3766R DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5 Έρευνα
GP2D040A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 Έρευνα
GP2M012A060F Image GP2M012A060F MOSFET N-CH 600V 12A TO220F Έρευνα
εγγραφές 639