Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
FR16GR02	DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4	Penyelidikan
1N3213R	DIODE GEN PURP REV 500V 15A DO5	Penyelidikan
GHIS040A060S-A2	IGBT BUCK CHOP 600V 80A SOT227	Penyelidikan
GP1M010A060FH	MOSFET N-CH 600V 10A TO220F	Penyelidikan
GP2M020A060N	MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN	Penyelidikan
GP2D020A120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2	Penyelidikan
S16QR	DIODE GEN REV 1.2KV 16A DO203AA	Penyelidikan
1N3213	DIODE GEN PURP 500V 15A DO5	Penyelidikan
GP2M005A050CG	MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK	Penyelidikan
FR20J02	DIODE GEN PURP 600V 20A DO5	Penyelidikan
GP1M009A020PG	MOSFET N-CH 200V 9A IPAK	Penyelidikan
GHIS060A120S-A1	IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227	Penyelidikan
S12J	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4	Penyelidikan
1N1188A	DIODE GEN PURP 400V 40A DO5	Penyelidikan
1N2138A	DIODE GEN PURP 600V 60A DO5	Penyelidikan
GP1M003A080PH	MOSFET N-CH 800V 3A IPAK	Penyelidikan
MUR2505	DIODE GEN PURP 50V 25A DO4	Penyelidikan
GHIS040A120S-A1	IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227	Penyelidikan
GSXF120A100S1-D3	DIODE FAST REC 1000V 120A SOT227	Penyelidikan
GHXS030A060S-D4	DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227	Penyelidikan
FR6GR05	DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4	Penyelidikan
S12MR	DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4	Penyelidikan
GP2M002A065FG	MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F	Penyelidikan
1N3890	DIODE GEN PURP 100V 12A DO4	Penyelidikan
GP2D005A170B	DIODE SCHOTTKY 1700V 5A TO247-2	Penyelidikan
GP3D050A060B	DIODE SCHOTTKY 600V 50A TO247-2	Penyelidikan
GSXD160A018S1-D3	DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227	Penyelidikan
GP2M007A065HG	MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220	Penyelidikan
FR20B02	DIODE GEN PURP 100V 20A DO5	Penyelidikan
S40M	DIODE GEN PURP 1KV 40A DO5	Penyelidikan
1N1199AR	DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4	Penyelidikan
1N3767R	DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5	Penyelidikan
GSXD050A006S1-D3	DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227	Penyelidikan
GP2D003A060A	DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2	Penyelidikan
GSXF030A060S1-D3	DIODE FAST REC 600V 30A SOT227	Penyelidikan
GSXD080A008S1-D3	DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227	Penyelidikan
GP3D030A060B	DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247	Penyelidikan
GP2M002A060PG	MOSFET N-CH 600V 2A	Penyelidikan
FR6MR05	DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4	Penyelidikan
1N1183R	DIODE GEN PURP REV 50V 35A DO5	Penyelidikan
1N2133A	DIODE GEN PURP 300V 60A DO5	Penyelidikan
GP1M003A090PH	MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK	Penyelidikan
GSID100A120T2P2	SILICON IGBT MODULES	Penyelidikan
1N3766	DIODE GEN PURP 800V 35A DO5	Penyelidikan
GSXF120A060S1-D3	DIODE FAST REC 600V 120A SOT227	Penyelidikan
FR6J02	DIODE GEN PURP 600V 6A DO4	Penyelidikan
GSXD080A020S1-D3	DIODE 200V 80A SOT227	Penyelidikan
FR12B05	DIODE GEN PURP 100V 12A DO4	Penyelidikan
FR20G02	DIODE GEN PURP 400V 20A DO5	Penyelidikan
FST12080	DIODE MODULE 80V 120A TO249AB	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:11/13Sebelumnya 1 2 3 4 5 6 7 8 9 101112 13 Berikutnya Akhir