Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
FR16G05	DIODE GEN PURP 400V 16A DO4	Penyelidikan
GP1M018A020PG	MOSFET N-CH 200V 18A IPAK	Penyelidikan
GSID080A120B1A5	SILICON IGBT MODULES	Penyelidikan
GP2D020A060U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247	Penyelidikan
GP3D050A120B	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2	Penyelidikan
FST12060	DIODE MODULE 60V 120A TO249AB	Penyelidikan
GSXD120A008S1-D3	DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227	Penyelidikan
S40QR	DIODE GEN PURP REV 1.2KV 40A DO5	Penyelidikan
1N3891R	DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4	Penyelidikan
GP2D024A060U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247	Penyelidikan
GHXS015A120S-D4	DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227	Penyelidikan
1N1206A	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4	Penyelidikan
GP2D006A060C	DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2	Penyelidikan
GP1M006A065FH	MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F	Penyelidikan
S25KR	DIODE GEN REV 800V 25A DO203AA	Penyelidikan
FR12BR02	DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4	Penyelidikan
GP1M012A060H	MOSFET N-CH 600V 12A TO220	Penyelidikan
GP1M016A025CG	MOSFET N-CH 250V 16A DPAK	Penyelidikan
GP2M020A050F	MOSFET N-CH 500V 18A TO220F	Penyelidikan
GP2M005A050PG	MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK	Penyelidikan
GP1M011A050H	MOSFET N-CH 500V 11A TO220	Penyelidikan
GHXS010A060S-D3	DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227	Penyelidikan
GKR26/12	DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4	Penyelidikan
GB50SLT12-247	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC	Penyelidikan
GB05SLT12-252	DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252	Penyelidikan
FR16J05	DIODE GEN PURP 600V 16A DO4	Penyelidikan
GHXS060A120S-D4	DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227	Penyelidikan
GHIS050A060B3P2	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Penyelidikan
GP1M005A050PH	MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK	Penyelidikan
GSXD100A004S1-D3	DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT227	Penyelidikan
GP2M002A060FG	MOSFET N-CH 600V 2A TO220F	Penyelidikan
1N3212R	DIODE GEN PURP REV 400V 15A DO5	Penyelidikan
FST16030	DIODE MODULE 30V 160A TO249AB	Penyelidikan
FR40J02	DIODE GEN PURP 600V 40A DO5	Penyelidikan
GHXS010A060S-D1	MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227	Penyelidikan
GP2D003A060C	DIODE SCHOTTKY 600V 3A DPAK-2	Penyelidikan
GPI040A060MN-FD	IGBT 600V 80A 231W TO3PN	Penyelidikan
GP2M007A080F	MOSFET N-CH 800V 7A TO220F	Penyelidikan
GSXD050A010S1-D3	DIODE SCHOTTKY 100V 50A SOT227	Penyelidikan
GCMS040A120B3C1	SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY	Penyelidikan
GP1M009A090N	MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN	Penyelidikan
GPA040A120L-ND	IGBT 1200V 80A 455W TO264	Penyelidikan
FST10035	DIODE MODULE 35V 100A TO249AB	Penyelidikan
FR30BR02	DIODE GEN PURP REV 100V 30A DO5	Penyelidikan
S12JR	DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4	Penyelidikan
GP1M012A060FH	MOSFET N-CH 600V 12A TO220F	Penyelidikan
FST12035	DIODE MODULE 35V 120A TO249AB	Penyelidikan
GSXD030A010S1-D3	DIODE SCHOTTKY 100V 30A SOT227	Penyelidikan
FR16K05	DIODE GEN PURP 800V 16A DO4	Penyelidikan
GP1M008A050FG	MOSFET N-CH 500V 8A TO220F	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:9/13Sebelumnya 1 2 3 4 5 6 7 8910 11 12 13 Berikutnya Akhir