Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
1N3890R	DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4	Penyelidikan
GHXS050A060S-D3	DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227	Penyelidikan
GP2D003A065C	DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2	Penyelidikan
S16J	DIODE GEN PURP 600V 16A DO203AA	Penyelidikan
GP2D010A120U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247	Penyelidikan
FR12JR02	DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4	Penyelidikan
GP2M002A065CG	MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK	Penyelidikan
GP1M010A080N	MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN	Penyelidikan
GCMS080A120B1H1	SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1	Penyelidikan
1N3673A	DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4	Penyelidikan
1N2135A	DIODE GEN PURP 400V 60A DO5	Penyelidikan
FR20A02	DIODE GEN PURP 50V 20A DO5	Penyelidikan
GP1M005A050H	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220	Penyelidikan
GP1M013A050H	MOSFET N-CH 500V 13A TO220	Penyelidikan
FST12030	DIODE MODULE 30V 120A TO249AB	Penyelidikan
FR20JR02	DIODE GEN PURP REV 600V 20A DO5	Penyelidikan
FR30DR02	DIODE GEN PURP REV 200V 30A DO5	Penyelidikan
GSXD160A008S1-D3	DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227	Penyelidikan
1N1186	DIODE GEN PURP 200V 35A DO5	Penyelidikan
1N3768	DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5	Penyelidikan
GKN71/04	DIODE GEN PURP 400V 95A DO5	Penyelidikan
FR16JR05	DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4	Penyelidikan
GP1M005A050FH	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F	Penyelidikan
FR30MR05	DIODE GEN PURP REV 1KV 30A DO5	Penyelidikan
GP2M004A060PG	MOSFET N-CH 600V 4A IPAK	Penyelidikan
GP2M005A050FG	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F	Penyelidikan
FST16060	DIODE MODULE 60V 160A TO249AB	Penyelidikan
GP2M010A060H	MOSFET N-CH 600V 10A TO220	Penyelidikan
GP2D005A065C	DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO252	Penyelidikan
GCMS020A120B1H1	SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1	Penyelidikan
FR40GR05	DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5	Penyelidikan
GP2D010A065C	DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO252	Penyelidikan
GP2M008A060FGH	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F	Penyelidikan
GKR26/16	DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4	Penyelidikan
1N1204AR	DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4	Penyelidikan
GP1M008A050HG	MOSFET N-CH 500V 8A TO220	Penyelidikan
FST12020	DIODE MODULE 20V 120A TO249AB	Penyelidikan
FR40DR05	DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5	Penyelidikan
GP1M020A060N	MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN	Penyelidikan
FST16045	DIODE MODULE 45V 160A TO249AB	Penyelidikan
GHIS025A120T1P2	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Penyelidikan
S16D	DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA	Penyelidikan
GPA042A100L-ND	IGBT 1000V 60A 463W TO264	Penyelidikan
GP2D015A120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO220-2	Penyelidikan
GSXF060A040S1-D3	DIODE FAST REC 400V 60A SOT227	Penyelidikan
FR6BR05	DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4	Penyelidikan
S6GR	DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4	Penyelidikan
FR40DR02	DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5	Penyelidikan
S16B	DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA	Penyelidikan
GP1M016A060N	MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:12/13Sebelumnya 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111213 Berikutnya Akhir