Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
GP1M005A050CH	MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK	Penyelidikan
GP2D036A060B	DIODE SCHOTTKY 600V 82A TO247-2	Penyelidikan
FR30M05	DIODE GEN PURP 1KV 30A DO5	Penyelidikan
GSXD160A020S1-D3	DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227	Penyelidikan
GP1M023A050N	MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN	Penyelidikan
GSXF120A040S1-D3	DIODE FAST REC 400V 120A SOT227	Penyelidikan
S25JR	DIODE GEN REV 600V 25A DO203AA	Penyelidikan
FST100100	DIODE MODULE 100V 100A TO249AB	Penyelidikan
FR16BR05	DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4	Penyelidikan
GSXF030A100S1-D3	DIODE FAST REC 1000V 30A SOT227	Penyelidikan
GP1M007A090H	MOSFET N-CH 900V 7A TO220	Penyelidikan
GSXD100A010S1-D3	DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227	Penyelidikan
GHIS080A060S-A1	IGBT BOOST CHOP 600V 160A SOT227	Penyelidikan
S40JR	DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5	Penyelidikan
GP2M005A060PG	MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK	Penyelidikan
GHIS075A120T2P2	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Penyelidikan
1N1188AR	DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5	Penyelidikan
FR6GR02	DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4	Penyelidikan
FST16080	DIODE MODULE 80V 160A TO249AB	Penyelidikan
FST10030	DIODE MODULE 30V 100A TO249AB	Penyelidikan
S6DR	DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4	Penyelidikan
GSXF100A020S1-D3	DIODE FAST REC 200V 120AA SOT227	Penyelidikan
GP2D010A170B	DIODE SCHOTTKY 1.7KV 10A TO247-2	Penyelidikan
FR6DR02	DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4	Penyelidikan
FR20BR02	DIODE GEN PURP REV 100V 20A DO5	Penyelidikan
GP2D020A120B	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247-2	Penyelidikan
1N2129A	DIODE GEN PURP 100V 60A DO5	Penyelidikan
FR20D02	DIODE GEN PURP 200V 20A DO5	Penyelidikan
GP1M016A025PG	MOSFET N-CH 250V 16A IPAK	Penyelidikan
FR30JR02	DIODE GEN PURP REV 600V 30A DO5	Penyelidikan
GP1M007A065CG	MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK	Penyelidikan
GP1M008A080FH	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F	Penyelidikan
GSXD050A020S1-D3	DIODE SCHOTTKY 200V 50A SOT227	Penyelidikan
GHXS030A120S-D1E	MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227	Penyelidikan
GHXS020A060S-D1	MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227	Penyelidikan
GSXF060A120S1-D3	DIODE FAST REC 1200V 60A SOT227	Penyelidikan
GP1M020A060M	MOSFET N-CH 600V 20A TO3P	Penyelidikan
GP2M005A060HG	MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220	Penyelidikan
GP1M005A040PG	MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK	Penyelidikan
GSXD030A004S1-D3	DIODE SCHOTTKY 45V 30A SOT227	Penyelidikan
1N1184A	DIODE GEN PURP 100V 40A DO5	Penyelidikan
GSID150A120S5C1	IGBT MODULE 1200V 285A	Penyelidikan
GP1M009A060H	MOSFET N-CH 600V 9A TO220	Penyelidikan
GP1M003A040PG	MOSFET N-CH 400V 2A IPAK	Penyelidikan
GSXD160A010S1-D3	DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227	Penyelidikan
GCMS040A120B1H1	SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1	Penyelidikan
GPA060A060MN-FD	IGBT 600V 120A 347W TO3PN	Penyelidikan
GP1M003A050FG	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F	Penyelidikan
GP2M004A065CG	MOSFET N-CH 650V 4A DPAK	Penyelidikan
GHXS045A120S-D3	DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:8/13Sebelumnya 1 2 3 4 5 6 789 10 11 12 13 Berikutnya Akhir