Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
1N3210R	DIODE GEN PURP REV 200V 15A DO5	Penyelidikan
FR12D05	DIODE GEN PURP 200V 12A DO4	Penyelidikan
FR40B02	DIODE GEN PURP 100V 40A DO5	Penyelidikan
GP1M003A080FH	MOSFET N-CH 800V 3A TO220F	Penyelidikan
GP2M004A060CG	MOSFET N-CH 600V 4A DPAK	Penyelidikan
GCMS004A120S7B1	SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL	Penyelidikan
GP1M015A050FH	MOSFET N-CH 500V 14A TO220F	Penyelidikan
GP1M003A080H	MOSFET N-CH 800V 3A TO220	Penyelidikan
GP2D005A120C	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2	Penyelidikan
GHXS045A120S-D1	MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227	Penyelidikan
1N1187R	DIODE GEN PURP REV 300V 35A DO5	Penyelidikan
GP2M004A060HG	MOSFET N-CH 600V 4A TO220	Penyelidikan
FST16020	DIODE MODULE 20V 160A TO249AB	Penyelidikan
GPA015A120MN-ND	IGBT 1200V 30A 212W TO3PN	Penyelidikan
GSID100A120S5C1	IGBT MODULE 1200V 170A	Penyelidikan
GP1M009A050FSH	MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F	Penyelidikan
GP2D006A065A	DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2	Penyelidikan
FR12K05	DIODE GEN PURP 800V 12A DO4	Penyelidikan
1N1204A	DIODE GEN PURP 400V 12A DO4	Penyelidikan
FR6B02	DIODE GEN PURP 100V 6A DO4	Penyelidikan
GP2D030A060B	DIODE SCHOTTKY 600V 30A TO247-2	Penyelidikan
GSXF060A100S1-D3	DIODE FAST REC 1000V 60A SOT227	Penyelidikan
S40K	DIODE GEN PURP 800V 40A DO5	Penyelidikan
GHXS020A060S-D1E	MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227	Penyelidikan
GP1M010A080H	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220	Penyelidikan
GSXF030A020S1-D3	DIODE FAST REC 200V 30A SOT227	Penyelidikan
FST120100	DIODE MODULE 100V 120A TO249AB	Penyelidikan
GSXD060A006S1-D3	DIODE SCHOTTKY 60V 60A SOT227	Penyelidikan
1N3211R	DIODE GEN PURP REV 300V 15A DO5	Penyelidikan
GHIS080A120S-A1	IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227	Penyelidikan
FR12J05	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4	Penyelidikan
GP2D030A120B	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2	Penyelidikan
GP1M008A025HG	MOSFET N-CH 250V 8A TO220	Penyelidikan
S25B	DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA	Penyelidikan
FR12DR02	DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4	Penyelidikan
1N3882R	DIODE GEN PURP REV 300V 6A DO4	Penyelidikan
S6BR	DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4	Penyelidikan
FR30KR05	DIODE GEN PURP REV 800V 30A DO5	Penyelidikan
S6Q	DIODE GEN PURP 1.2KV 6A DO4	Penyelidikan
S6B	DIODE GEN PURP 100V 6A DO4	Penyelidikan
FR40BR05	DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5	Penyelidikan
1N1187	DIODE GEN PURP 300V 35A DO5	Penyelidikan
GSXF120A120S1-D3	DIODE FAST REC 1200V 120A SOT227	Penyelidikan
GP2M013A050F	MOSFET N-CH 500V 13A TO220F	Penyelidikan
GDP48Y060B	DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-3	Penyelidikan
1N3767	DIODE GEN PURP 900V 35A DO5	Penyelidikan
GHIS050A120T1P2	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Penyelidikan
FST160100	DIODE MODULE 100V 160A TO249AB	Penyelidikan
FR16KR05	DIODE GEN PURP REV 800V 16A DO4	Penyelidikan
GHXS020A060S-D3	DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:4/13Sebelumnya 1 2 345 6 7 8 9 10 11 12 13 Berikutnya Akhir