Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
GSXD080A010S1-D3	DIODE SCHOTTKY 100V 80A SOT227	Penyelidikan
GHIS030A120S-A2	IGBT BUCK CHOP 1200V 60A SOT227	Penyelidikan
GSXD120A012S1-D3	DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227	Penyelidikan
GKR26/08	DIODE GEN PURP 800V 25A DO4	Penyelidikan
S12GR	DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4	Penyelidikan
GCMS010A120S7B1	SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL	Penyelidikan
FR6M05	DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4	Penyelidikan
GSID300A125S5C1	IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS	Penyelidikan
GP2D005A060A	DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220-2	Penyelidikan
GHXS030A120S-D3	DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227	Penyelidikan
GSXD050A015S1-D3	DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227	Penyelidikan
GCMS080A120B3C1	SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY	Penyelidikan
GHXS030A120S-D1	MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227	Penyelidikan
FR16JR02	DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4	Penyelidikan
GSID150A120T2C1	SILICON IGBT MODULES	Penyelidikan
S85QR	DIODE GEN PURP REV 1.2KV 85A DO5	Penyelidikan
GHIS100A120T2P2	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Penyelidikan
GSXD300A170S2D5	DIODE GP 1.7KV 300A ADD-A-PAK	Penyelidikan
GP1M015A050H	MOSFET N-CH 500V 14A TO220	Penyelidikan
FR30B02	DIODE GEN PURP 100V 30A DO5	Penyelidikan
GDP60D120B	DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3	Penyelidikan
MBRT20030	DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER	Penyelidikan
GSXD080A004S1-D3	DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227	Penyelidikan
GP1M004A090H	MOSFET N-CH 900V 4A TO220	Penyelidikan
FR6B05	DIODE GEN PURP 100V 16A DO4	Penyelidikan
GHXS030A060S-D1E	MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227	Penyelidikan
S16JR	DIODE GEN REV 600V 16A DO203AA	Penyelidikan
GP2D006A065C	DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2	Penyelidikan
GP2M008A060CG	MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK	Penyelidikan
FR16B05	DIODE GEN PURP 100V 16A DO4	Penyelidikan
1N3209R	DIODE GEN PURP REV 100V 15A DO5	Penyelidikan
GDP24D060B	DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO247-3	Penyelidikan
GPA040A120MN-FD	IGBT 1200V 80A 480W TO3PN	Penyelidikan
FR12JR05	DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4	Penyelidikan
GP2M005A060FG	MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F	Penyelidikan
1N2128A	DIODE GEN PURP 50V 60A DO5	Penyelidikan
GP3D060A120B	DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247	Penyelidikan
1N1184AR	DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5	Penyelidikan
S25K	DIODE GEN PURP 800V 25A DO203AA	Penyelidikan
FR6AR05	DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO4	Penyelidikan
GP2M009A090NG	MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN	Penyelidikan
1N2128AR	DIODE GEN PURP REV 50V 60A DO5	Penyelidikan
GP1M005A040CG	MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK	Penyelidikan
S40D	DIODE GEN PURP 200V 40A DO5	Penyelidikan
1N8034-GA	DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257	Penyelidikan
GP2M004A065FG	MOSFET N-CH 650V 4A TO220F	Penyelidikan
GP1M006A070FH	MOSFET N-CH 700V 5A TO220F	Penyelidikan
GP2M004A060FG	MOSFET N-CH 600V 4A TO220F	Penyelidikan
S40J	DIODE GEN PURP 600V 40A DO5	Penyelidikan
FR6G05	DIODE GEN PURP 400V 16A DO4	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:3/13Sebelumnya 1 234 5 6 7 8 9 10 11 12 13 Berikutnya Akhir