Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
GSXD060A018S1-D3	DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227	Penyelidikan
GSXD060A004S1-D3	DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227	Penyelidikan
GHIS060A120S-A2	IGBT BUCK CHOP 1200V 120A SOT227	Penyelidikan
1N1183A	DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB	Penyelidikan
GHIS080A060S1-E1	IGBT 600V 160A SOT227	Penyelidikan
FR30A02	DIODE GEN PURP 50V 30A DO5	Penyelidikan
GHXS050A060S-D4	DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227	Penyelidikan
GKN26/12	DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4	Penyelidikan
1N2137A	DIODE GEN PURP 500V 60A DO5	Penyelidikan
GHIS200A120S3B1	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Penyelidikan
GP1M009A060FH	MOSFET N-CH 600V 9A TO220F	Penyelidikan
S6K	DIODE GEN PURP 800V 6A DO4	Penyelidikan
GP1M008A025CG	MOSFET N-CH 250V 8A DPAK	Penyelidikan
GHXS030A120S-D4	DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227	Penyelidikan
1N3765	DIODE GEN PURP 700V 35A DO5	Penyelidikan
1N1190R	DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5	Penyelidikan
1N3671AR	DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4	Penyelidikan
GSID100A120T2C1	SILICON IGBT MODULES	Penyelidikan
GP1M009A020HG	MOSFET N-CH 200V 9A TO220	Penyelidikan
FR40G05	DIODE GEN PURP 400V 40A DO5	Penyelidikan
FST12045	DIODE MODULE 45V 120A TO249AB	Penyelidikan
GSXF100A060S1-D3	DIODE FAST REC 600V 100A SOT227	Penyelidikan
1N3882	DIODE GEN PURP 300V 6A DO4	Penyelidikan
GSXD120A010S1-D3	DIODE SCHOTTKY 100V 120A SOT227	Penyelidikan
FR12MR05	DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4	Penyelidikan
GHXS010A060S-D4	DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227	Penyelidikan
1N1189	DIODE GEN PURP 600V 35A DO5	Penyelidikan
GSXD050A004S1-D3	DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227	Penyelidikan
GSXD030A006S1-D3	DIODE SCHOTTKY 60V 30A SOT227	Penyelidikan
GP1M006A065PH	MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK	Penyelidikan
S12KR	DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4	Penyelidikan
S25J	DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA	Penyelidikan
FR16GR05	DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4	Penyelidikan
GPA025A120MN-ND	IGBT 1200V 50A 312W TO3PN	Penyelidikan
1N3212	DIODE GEN PURP 400V 15A DO5	Penyelidikan
GHXS045A120S-D4	DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227	Penyelidikan
GP2M023A050N	MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN	Penyelidikan
GP1M008A080H	MOSFET N-CH 800V 8A TO220	Penyelidikan
GHIS100A120S2B1	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Penyelidikan
GP1M008A050PG	MOSFET N-CH 500V 8A IPAK	Penyelidikan
S40GR	DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5	Penyelidikan
GSXF100A120S1-D3	DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227	Penyelidikan
GP1M010A080FH	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F	Penyelidikan
FR40D02	DIODE GEN PURP 200V 40A DO5	Penyelidikan
GPA040A120L-FD	IGBT 1200V 80A 480W TO264	Penyelidikan
GP2M005A050HG	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220	Penyelidikan
MBRT200200	DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER	Penyelidikan
GHIS020A060B1P2	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Penyelidikan
S40V	DIODE GEN PURP 1.4KV 40A DO5	Penyelidikan
1N1184R	DIODE GEN PURP REV 100V 35A DO5	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:1/13Sebelumnya12 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 Berikutnya Akhir