Линейна карта

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG"), основана през 2007 г., е интегрирана компания за разработка и производство, посветена на продукти, базирани на технологии на силициев карбид (SiC). Тези продукти ще бъдат основополагащи за силовата електроника и енергийната индустрия през следващите години, когато са необходими модерни технологии за нискостойностно и високоефективно производство, преобразуване и пренос на електроенергия.
Изображение Номер на частта описание изглед
GHXS030A060S-D3 Image GHXS030A060S-D3 DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227 Разследване
GP1M006A065CH Image GP1M006A065CH MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK Разследване
GP2M011A090NG Image GP2M011A090NG MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN Разследване
S16K DIODE GEN PURP 800V 16A DO203AA Разследване
1N3208R DIODE GEN PURP REV 50V 15A DO5 Разследване
S6J DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 Разследване
GCMS080A120S1-E1 SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C Разследване
GKR26/04 DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 Разследване
GHIS060A120S1-E1 SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S Разследване
GPA020A120MN-FD Image GPA020A120MN-FD IGBT 1200V 40A 223W TO3PN Разследване
FR16D02 DIODE GEN PURP 200V 16A DO4 Разследване
FR20K05 DIODE GEN PURP 800V 20A DO5 Разследване
GP1M003A050PG Image GP1M003A050PG MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK Разследване
GP2D020A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 Разследване
GPA030A120MN-FD Image GPA030A120MN-FD IGBT 1200V 60A 329W TO3PN Разследване
GP2M020A050N Image GP2M020A050N MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN Разследване
GP2M005A060CG Image GP2M005A060CG MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK Разследване
FR30D02 DIODE GEN PURP 200V 30A DO5 Разследване
S6D DIODE GEN PURP 200V 6A DO4 Разследване
1N1183AR DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5 Разследване
GP2D012A065C DIODE SCHOTTKY 650V 29A TO252-2 Разследване
GP1M003A050CG Image GP1M003A050CG MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK Разследване
S25D DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA Разследване
FR12GR02 DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4 Разследване
GP2M005A060PGH Image GP2M005A060PGH MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK Разследване
GP1M009A050HS Image GP1M009A050HS MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220 Разследване
GP1M009A070F Image GP1M009A070F MOSFET N-CH 700V 9A TO220F Разследване
GHIS100A120T2C1 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Разследване
GSID100A120T2C1A SILICON IGBT MODULES Разследване
1N3880R DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 Разследване
GSXD060A020S1-D3 Image GSXD060A020S1-D3 DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227 Разследване
FR6KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4 Разследване
S16GR DIODE GEN REV 400V 16A DO203AA Разследване
S16DR DIODE GEN REV 200V 16A DO203AA Разследване
GHIS100A120S1-E1 SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S Разследване
FR12G05 Image FR12G05 DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 Разследване
GHIS060A060S-A1 Image GHIS060A060S-A1 IGBT BOOST CHOP 600V 120A SOT227 Разследване
FR16DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 Разследване
FR6J05 DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 Разследване
MUR2560 DIODE GEN PURP 600V 25A DO4 Разследване
GAP05SLT80-220 Image GAP05SLT80-220 DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL Разследване
MUR2540 DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 Разследване
FST10020 Image FST10020 DIODE MODULE 20V 100A TO249AB Разследване
GP1M011A050FH Image GP1M011A050FH MOSFET N-CH 500V 11A TO220F Разследване
FR12DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 Разследване
FR16M05 DIODE GEN PURP 1KV 16A DO4 Разследване
1N1189R DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5 Разследване
1N3766R DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5 Разследване
GP2D040A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 Разследване
GP2M012A060F Image GP2M012A060F MOSFET N-CH 600V 12A TO220F Разследване
Записва 639