Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
GP2M002A065PG	MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK	Penyelidikan
GSXD060A012S1-D3	DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227	Penyelidikan
GSXD100A015S1-D3	DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227	Penyelidikan
FR6G02	DIODE GEN PURP 400V 6A DO4	Penyelidikan
GP2D005A065A	DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220-2	Penyelidikan
GSXD060A008S1-D3	DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227	Penyelidikan
GCMS040A120S1-E1	SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C	Penyelidikan
S12G	DIODE GEN PURP 400V 12A DO4	Penyelidikan
GP1M018A020CG	MOSFET N-CH 200V 18A DPAK	Penyelidikan
GP1M016A025HG	MOSFET N-CH 250V 16A TO220	Penyelidikan
GP1M018A020HG	MOSFET N-CH 200V 18A TO220	Penyelidikan
GCMS007A120S7B1	SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL	Penyelidikan
1N1183	DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB	Penyelidikan
GP1M007A090FH	MOSFET N-CH 900V 7A TO220F	Penyelidikan
MUR2520	DIODE GEN PURP 200V 25A DO4	Penyelidikan
GP1M009A090FH	MOSFET N-CH 900V 9A TO220F	Penyelidikan
GSXD030A008S1-D3	DIODE SCHOTTKY 80V 30A SOT227	Penyelidikan
FR16MR05	DIODE GEN PURP REV 1KV 16A DO4	Penyelidikan
1N1186R	DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5	Penyelidikan
GP2D016A120U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247	Penyelidikan
MBRT400150	DIODE SCHOTTKY 150V 200A 3 TOWER	Penyelidikan
1N3211	DIODE GEN PURP 300V 15A DO5	Penyelidikan
1N2129AR	DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5	Penyelidikan
FST12040	DIODE MODULE 40V 120A TO249AB	Penyelidikan
GP2M010A065H	MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220	Penyelidikan
GPA020A135MN-FD	IGBT 1350V 40A 223W TO3PN	Penyelidikan
GP1M010A060H	MOSFET N-CH 600V 10A TO220	Penyelidikan
S6MR	DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4	Penyelidikan
GP1M006A065F	MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F	Penyelidikan
FST10045	DIODE MODULE 45V 100A TO249AB	Penyelidikan
GSID150A120S6A4	SILICON IGBT MODULES	Penyelidikan
GP1M008A050CG	MOSFET N-CH 500V 8A DPAK	Penyelidikan
FR40B05	DIODE GEN PURP 100V 40A DO5	Penyelidikan
FR12GR05	DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4	Penyelidikan
1N1190	DIODE GEN PURP 600V 35A DO5	Penyelidikan
FR6DR05	DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4	Penyelidikan
S16Q	DIODE GEN PURP 1.2KV 16A DO203AA	Penyelidikan
GSXF120A020S1-D3	DIODE FAST REC 200V 120A SOT227	Penyelidikan
FR12KR05	DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4	Penyelidikan
GSXD060A010S1-D3	DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227	Penyelidikan
FR16DR02	DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4	Penyelidikan
GSXD100A020S1-D3	DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227	Penyelidikan
FR16B02	DIODE GEN PURP 100V 16A DO4	Penyelidikan
GKN71/14	DIODE GEN PURP 1.4KV 95A DO5	Penyelidikan
FR6D02	DIODE GEN PURP 200V 6A DO4	Penyelidikan
FR20M05	DIODE GEN PURP 1KV 20A DO5	Penyelidikan
GP2D010A120B	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-2	Penyelidikan
GSXF100A040S1-D3	DIODE FAST REC 400V 100A SOT227	Penyelidikan
GKN71/12	DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO5	Penyelidikan
MBRT200150R	DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:10/13Sebelumnya 1 2 3 4 5 6 7 8 91011 12 13 Berikutnya Akhir