Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
1N2135AR	DIODE GEN PURP REV 400V 60A DO5	Penyelidikan
GSXD080A015S1-D3	DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227	Penyelidikan
1N3880	DIODE GEN PURP 100V 6A DO4	Penyelidikan
FR6JR05	DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4	Penyelidikan
1N3671A	DIODE GEN PURP 800V 12A DO4	Penyelidikan
GP1M011A050FSH	MOSFET N-CH 500V 10A TO220F	Penyelidikan
GSXD100A006S1-D3	DIODE SCHOTTKY 60V 100A SOT227	Penyelidikan
1N2137AR	DIODE GEN PURP REV 500V 60A DO5	Penyelidikan
GP1M011A050HS	MOSFET N-CH 500V 10A TO220	Penyelidikan
1N3214R	DIODE GEN PURP REV 600V 15A DO5	Penyelidikan
1N8033-GA	DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276	Penyelidikan
FR12J02	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4	Penyelidikan
GKN26/08	DIODE GEN PURP 800V 25A DO4	Penyelidikan
GSID150A120S3B1	SILICON IGBT MODULES	Penyelidikan
GP1M009A090H	MOSFET N-CH 900V 9A TO220	Penyelidikan
GSXD080A006S1-D3	DIODE SCHOTTKY 60V 80A SOT227	Penyelidikan
S6G	DIODE GEN PURP 400V 6A DO4	Penyelidikan
GHXS050A170S-D3	1700V 50A SIC SBD PARALLEL	Penyelidikan
MUR2520R	DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4	Penyelidikan
S6M	DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4	Penyelidikan
GHXS030A060S-D1	MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227	Penyelidikan
GP1M016A060H	MOSFET N-CH 600V 16A TO220	Penyelidikan
FR6K05	DIODE GEN PURP 800V 6A DO4	Penyelidikan
GKN26/04	DIODE GEN PURP 400V 25A DO4	Penyelidikan
GP1M003A080CH	MOSFET N-CH 800V 3A DPAK	Penyelidikan
GHXS060A120S-D3	MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227	Penyelidikan
GSXD120A006S1-D3	DIODE SCHOTTKY 60V 240A SOT227	Penyelidikan
FR6AR02	DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4	Penyelidikan
GSXF030A120S1-D3	DIODE FAST REC 1200V 30A SOT227	Penyelidikan
S16MR	DIODE GEN REV 1KV 16A DO203AA	Penyelidikan
1N1199A	DIODE GEN PURP 50V 12A DO4	Penyelidikan
GP2D030A120U	DIODE SIC 1200V 50A TO24	Penyelidikan
FST10080	DIODE MODULE 80V 100A TO249AB	Penyelidikan
GP2M008A060HG	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220	Penyelidikan
GP1M003A090C	MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK	Penyelidikan
S12M	DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4	Penyelidikan
GSXD160A012S1-D3	DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227	Penyelidikan
GP1M008A025PG	MOSFET N-CH 250V 8A IPAK	Penyelidikan
GP1M005A050HS	MOSFET N-CH 500V 4A TO220	Penyelidikan
S25GR	DIODE GEN REV 400V 25A DO203AA	Penyelidikan
GP1M003A040CG	MOSFET N-CH 400V 2A DPAK	Penyelidikan
S25BR	DIODE GEN REV 100V 25A DO203AA	Penyelidikan
GHIS060A060S-A2	IGBT BUCK CHOP 600V 120A SOT227	Penyelidikan
GCMS008A120B1B1	SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL	Penyelidikan
GSXD100A012S1-D3	DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227	Penyelidikan
MUR2560R	DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4	Penyelidikan
1N1202A	DIODE GEN PURP 200V 12A DO4	Penyelidikan
GP1M005A050FSH	MOSFET N-CH 500V 4A TO220F	Penyelidikan
GP2M010A060F	MOSFET N-CH 600V 10A TO220F	Penyelidikan
GKN71/16	DIODE GEN PURP 1.6KV 95A DO5	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:5/13Sebelumnya 1 2 3 456 7 8 9 10 11 12 13 Berikutnya Akhir