Kartu garis

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") didirikan pada tahun 2007 adalah pengembangan terintegrasi dan perusahaan manufaktur yang didedikasikan untuk produk berbasis pada teknologi Silicon Carbide (SiC). Produk-produk ini akan menjadi dasar bagi industri elektronika dan energi listrik di tahun-tahun mendatang di mana teknologi maju diperlukan untuk pembangkitan, konversi dan transmisi biaya rendah yang sangat efisien.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
GSXD120A018S1-D3	DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227	Penyelidikan
GHIS030A060B2P2	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Penyelidikan
GP2M010A065F	MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F	Penyelidikan
GSID300A120S5C1	IGBT MODULE 1200V 430A	Penyelidikan
1N2130A	DIODE GEN PURP 150V 60A DO5	Penyelidikan
1N1202AR	DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO5	Penyelidikan
GSID200A120S3B1	SILICON IGBT MODULES	Penyelidikan
GSXD050A018S1-D3	DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227	Penyelidikan
GP1M016A060FH	MOSFET N-CH 600V 16A TO220F	Penyelidikan
S16BR	DIODE GEN REV 100V 16A DO203AA	Penyelidikan
S12DR	DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4	Penyelidikan
GP1M003A050HG	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220	Penyelidikan
GHXS045A120S-D1E	MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227	Penyelidikan
1N8028-GA	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257	Penyelidikan
GP2D010A120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2	Penyelidikan
FR12BR05	DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4	Penyelidikan
GP2M008A060PGH	MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK	Penyelidikan
FR20AR02	DIODE GEN PURP REV 50V 20A DO5	Penyelidikan
S12Q	DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4	Penyelidikan
GP2M002A065HG	MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220	Penyelidikan
GSID200A120S5C1	IGBT MODULE 1200V 335A	Penyelidikan
GSXF100A100S1-D3	DIODE FAST REC 1000V 100A SOT227	Penyelidikan
GSXD050A012S1-D3	DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227	Penyelidikan
GSXD100A008S1-D3	DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227	Penyelidikan
MUR2540R	DIODE GEN PURP REV 400V 25A DO4	Penyelidikan
GKN26/14	DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4	Penyelidikan
FR16G02	DIODE GEN PURP 400V 16A DO4	Penyelidikan
FR20MR05	DIODE GEN PURP REV 1KV 20A DO5	Penyelidikan
GB05SLT12-220	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC	Penyelidikan
GSXF030A040S1-D3	DIODE FAST REC 400V 30A SOT227	Penyelidikan
GCMS012A120S1-E1	SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C	Penyelidikan
GSXF060A060S1-D3	DIODE FAST REC 600V 60A SOT22	Penyelidikan
MUR2505R	DIODE GEN PURP REV 50V 25A DO4	Penyelidikan
GP2M002A060HG	MOSFET N-CH 600V 2A TO220	Penyelidikan
GHIS030A120S-A1	IGBT BOOST CHOP 1200V 60A SOT227	Penyelidikan
GSID200A170S3B1	SILICON IGBT MODULES	Penyelidikan
GHIS080A120S-A2	IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227	Penyelidikan
GP1M009A020CG	MOSFET N-CH 200V 9A DPAK	Penyelidikan
GSXD120A015S1-D3	DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227	Penyelidikan
FR6D05	DIODE GEN PURP 200V 16A DO4	Penyelidikan
GP2M008A060PG	MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK	Penyelidikan
GSXD100A018S1-D3	DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227	Penyelidikan
GP2M002A060CG	MOSFET N-CH 600V 2A DPAK	Penyelidikan
S6JR	DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4	Penyelidikan
1N3893	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4	Penyelidikan
GP1M013A050FH	MOSFET N-CH 500V 13A TO220F	Penyelidikan
S25MR	DIODE GEN REV 1KV 25A DO203AA	Penyelidikan
S6KR	DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4	Penyelidikan
GP1M006A070F	MOSFET N-CH 700V 5A TO220F	Penyelidikan
GP2M012A060H	MOSFET N-CH 600V 12A TO220	Penyelidikan

catatan 639

Halaman saat ini:6/13Sebelumnya 1 2 3 4 567 8 9 10 11 12 13 Berikutnya Akhir