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Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.
Image Artikelnummer Beschreibung Aussicht
GSXD120A018S1-D3 Image GSXD120A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227 Anfrage
GHIS030A060B2P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Anfrage
GP2M010A065F Image GP2M010A065F MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F Anfrage
GSID300A120S5C1 Image GSID300A120S5C1 IGBT MODULE 1200V 430A Anfrage
1N2130A Image 1N2130A DIODE GEN PURP 150V 60A DO5 Anfrage
1N1202AR DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO5 Anfrage
GSID200A120S3B1 SILICON IGBT MODULES Anfrage
GSXD050A018S1-D3 Image GSXD050A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227 Anfrage
GP1M016A060FH Image GP1M016A060FH MOSFET N-CH 600V 16A TO220F Anfrage
S16BR DIODE GEN REV 100V 16A DO203AA Anfrage
S12DR DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 Anfrage
GP1M003A050HG Image GP1M003A050HG MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 Anfrage
GHXS045A120S-D1E Image GHXS045A120S-D1E MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227 Anfrage
1N8028-GA Image 1N8028-GA DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 Anfrage
GP2D010A120A Image GP2D010A120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 Anfrage
FR12BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 Anfrage
GP2M008A060PGH Image GP2M008A060PGH MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK Anfrage
FR20AR02 DIODE GEN PURP REV 50V 20A DO5 Anfrage
S12Q Image S12Q DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4 Anfrage
GP2M002A065HG Image GP2M002A065HG MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220 Anfrage
GSID200A120S5C1 Image GSID200A120S5C1 IGBT MODULE 1200V 335A Anfrage
GSXF100A100S1-D3 Image GSXF100A100S1-D3 DIODE FAST REC 1000V 100A SOT227 Anfrage
GSXD050A012S1-D3 Image GSXD050A012S1-D3 DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227 Anfrage
GSXD100A008S1-D3 Image GSXD100A008S1-D3 DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227 Anfrage
MUR2540R DIODE GEN PURP REV 400V 25A DO4 Anfrage
GKN26/14 DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4 Anfrage
FR16G02 DIODE GEN PURP 400V 16A DO4 Anfrage
FR20MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 20A DO5 Anfrage
GB05SLT12-220 Image GB05SLT12-220 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC Anfrage
GSXF030A040S1-D3 Image GSXF030A040S1-D3 DIODE FAST REC 400V 30A SOT227 Anfrage
GCMS012A120S1-E1 SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C Anfrage
GSXF060A060S1-D3 Image GSXF060A060S1-D3 DIODE FAST REC 600V 60A SOT22 Anfrage
MUR2505R DIODE GEN PURP REV 50V 25A DO4 Anfrage
GP2M002A060HG Image GP2M002A060HG MOSFET N-CH 600V 2A TO220 Anfrage
GHIS030A120S-A1 Image GHIS030A120S-A1 IGBT BOOST CHOP 1200V 60A SOT227 Anfrage
GSID200A170S3B1 SILICON IGBT MODULES Anfrage
GHIS080A120S-A2 Image GHIS080A120S-A2 IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227 Anfrage
GP1M009A020CG Image GP1M009A020CG MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Anfrage
GSXD120A015S1-D3 Image GSXD120A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227 Anfrage
FR6D05 DIODE GEN PURP 200V 16A DO4 Anfrage
GP2M008A060PG Image GP2M008A060PG MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK Anfrage
GSXD100A018S1-D3 Image GSXD100A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227 Anfrage
GP2M002A060CG Image GP2M002A060CG MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Anfrage
S6JR DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 Anfrage
1N3893 DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 Anfrage
GP1M013A050FH Image GP1M013A050FH MOSFET N-CH 500V 13A TO220F Anfrage
S25MR DIODE GEN REV 1KV 25A DO203AA Anfrage
S6KR DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4 Anfrage
GP1M006A070F Image GP1M006A070F MOSFET N-CH 700V 5A TO220F Anfrage
GP2M012A060H Image GP2M012A060H MOSFET N-CH 600V 12A TO220 Anfrage
Aufzeichnungen 639