Линейна карта

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG"), основана през 2007 г., е интегрирана компания за разработка и производство, посветена на продукти, базирани на технологии на силициев карбид (SiC). Тези продукти ще бъдат основополагащи за силовата електроника и енергийната индустрия през следващите години, когато са необходими модерни технологии за нискостойностно и високоефективно производство, преобразуване и пренос на електроенергия.
Изображение Номер на частта описание изглед
GSXD120A018S1-D3 Image GSXD120A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227 Разследване
GHIS030A060B2P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Разследване
GP2M010A065F Image GP2M010A065F MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F Разследване
GSID300A120S5C1 Image GSID300A120S5C1 IGBT MODULE 1200V 430A Разследване
1N2130A Image 1N2130A DIODE GEN PURP 150V 60A DO5 Разследване
1N1202AR DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO5 Разследване
GSID200A120S3B1 SILICON IGBT MODULES Разследване
GSXD050A018S1-D3 Image GSXD050A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227 Разследване
GP1M016A060FH Image GP1M016A060FH MOSFET N-CH 600V 16A TO220F Разследване
S16BR DIODE GEN REV 100V 16A DO203AA Разследване
S12DR DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 Разследване
GP1M003A050HG Image GP1M003A050HG MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 Разследване
GHXS045A120S-D1E Image GHXS045A120S-D1E MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227 Разследване
1N8028-GA Image 1N8028-GA DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 Разследване
GP2D010A120A Image GP2D010A120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 Разследване
FR12BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 Разследване
GP2M008A060PGH Image GP2M008A060PGH MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK Разследване
FR20AR02 DIODE GEN PURP REV 50V 20A DO5 Разследване
S12Q Image S12Q DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4 Разследване
GP2M002A065HG Image GP2M002A065HG MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220 Разследване
GSID200A120S5C1 Image GSID200A120S5C1 IGBT MODULE 1200V 335A Разследване
GSXF100A100S1-D3 Image GSXF100A100S1-D3 DIODE FAST REC 1000V 100A SOT227 Разследване
GSXD050A012S1-D3 Image GSXD050A012S1-D3 DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227 Разследване
GSXD100A008S1-D3 Image GSXD100A008S1-D3 DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227 Разследване
MUR2540R DIODE GEN PURP REV 400V 25A DO4 Разследване
GKN26/14 DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4 Разследване
FR16G02 DIODE GEN PURP 400V 16A DO4 Разследване
FR20MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 20A DO5 Разследване
GB05SLT12-220 Image GB05SLT12-220 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC Разследване
GSXF030A040S1-D3 Image GSXF030A040S1-D3 DIODE FAST REC 400V 30A SOT227 Разследване
GCMS012A120S1-E1 SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C Разследване
GSXF060A060S1-D3 Image GSXF060A060S1-D3 DIODE FAST REC 600V 60A SOT22 Разследване
MUR2505R DIODE GEN PURP REV 50V 25A DO4 Разследване
GP2M002A060HG Image GP2M002A060HG MOSFET N-CH 600V 2A TO220 Разследване
GHIS030A120S-A1 Image GHIS030A120S-A1 IGBT BOOST CHOP 1200V 60A SOT227 Разследване
GSID200A170S3B1 SILICON IGBT MODULES Разследване
GHIS080A120S-A2 Image GHIS080A120S-A2 IGBT BUCK CHOP 1200V 160A SOT227 Разследване
GP1M009A020CG Image GP1M009A020CG MOSFET N-CH 200V 9A DPAK Разследване
GSXD120A015S1-D3 Image GSXD120A015S1-D3 DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227 Разследване
FR6D05 DIODE GEN PURP 200V 16A DO4 Разследване
GP2M008A060PG Image GP2M008A060PG MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK Разследване
GSXD100A018S1-D3 Image GSXD100A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227 Разследване
GP2M002A060CG Image GP2M002A060CG MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Разследване
S6JR DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 Разследване
1N3893 DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 Разследване
GP1M013A050FH Image GP1M013A050FH MOSFET N-CH 500V 13A TO220F Разследване
S25MR DIODE GEN REV 1KV 25A DO203AA Разследване
S6KR DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4 Разследване
GP1M006A070F Image GP1M006A070F MOSFET N-CH 700V 5A TO220F Разследване
GP2M012A060H Image GP2M012A060H MOSFET N-CH 600V 12A TO220 Разследване
Записва 639