بطاقة خط

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- شركة Global Power Technologies Group Inc. ("GPTG") التي تأسست في عام 2007 هي شركة تطوير وتصنيع متكاملة مخصصة لمنتجات تعتمد على تقنيات كربيد السيليكون (SiC). وستكون هذه المنتجات مؤسسية لصناعات الطاقة الكهربائية والإلكترونية في السنوات المقبلة حيث تحتاج إلى تقنيات متطورة لتكلفة منخفضة ، وتوليد طاقة عالية الكفاءة ، وتحويل ونقل.
صورة رقم القطعة وصف رأي
1N3890R DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 تحقيق
GHXS050A060S-D3 Image GHXS050A060S-D3 DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227 تحقيق
GP2D003A065C Image GP2D003A065C DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2 تحقيق
S16J Image S16J DIODE GEN PURP 600V 16A DO203AA تحقيق
GP2D010A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 تحقيق
FR12JR02 Image FR12JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 تحقيق
GP2M002A065CG Image GP2M002A065CG MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK تحقيق
GP1M010A080N Image GP1M010A080N MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN تحقيق
GCMS080A120B1H1 SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1 تحقيق
1N3673A Image 1N3673A DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 تحقيق
1N2135A DIODE GEN PURP 400V 60A DO5 تحقيق
FR20A02 DIODE GEN PURP 50V 20A DO5 تحقيق
GP1M005A050H Image GP1M005A050H MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220 تحقيق
GP1M013A050H Image GP1M013A050H MOSFET N-CH 500V 13A TO220 تحقيق
FST12030 Image FST12030 DIODE MODULE 30V 120A TO249AB تحقيق
FR20JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 20A DO5 تحقيق
FR30DR02 DIODE GEN PURP REV 200V 30A DO5 تحقيق
GSXD160A008S1-D3 Image GSXD160A008S1-D3 DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227 تحقيق
1N1186 DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 تحقيق
1N3768 Image 1N3768 DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5 تحقيق
GKN71/04 DIODE GEN PURP 400V 95A DO5 تحقيق
FR16JR05 DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4 تحقيق
GP1M005A050FH Image GP1M005A050FH MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F تحقيق
FR30MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 30A DO5 تحقيق
GP2M004A060PG Image GP2M004A060PG MOSFET N-CH 600V 4A IPAK تحقيق
GP2M005A050FG Image GP2M005A050FG MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F تحقيق
FST16060 Image FST16060 DIODE MODULE 60V 160A TO249AB تحقيق
GP2M010A060H Image GP2M010A060H MOSFET N-CH 600V 10A TO220 تحقيق
GP2D005A065C DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO252 تحقيق
GCMS020A120B1H1 SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1 تحقيق
FR40GR05 DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5 تحقيق
GP2D010A065C DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO252 تحقيق
GP2M008A060FGH Image GP2M008A060FGH MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F تحقيق
GKR26/16 DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4 تحقيق
1N1204AR Image 1N1204AR DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4 تحقيق
GP1M008A050HG Image GP1M008A050HG MOSFET N-CH 500V 8A TO220 تحقيق
FST12020 Image FST12020 DIODE MODULE 20V 120A TO249AB تحقيق
FR40DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5 تحقيق
GP1M020A060N Image GP1M020A060N MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN تحقيق
FST16045 Image FST16045 DIODE MODULE 45V 160A TO249AB تحقيق
GHIS025A120T1P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES تحقيق
S16D DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA تحقيق
GPA042A100L-ND Image GPA042A100L-ND IGBT 1000V 60A 463W TO264 تحقيق
GP2D015A120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO220-2 تحقيق
GSXF060A040S1-D3 Image GSXF060A040S1-D3 DIODE FAST REC 400V 60A SOT227 تحقيق
FR6BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 تحقيق
S6GR DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 تحقيق
FR40DR02 DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5 تحقيق
S16B DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA تحقيق
GP1M016A060N Image GP1M016A060N MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN تحقيق
سجلات 639
سابق12345678910111213التالينهاية