Tarjeta de línea

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.

Número de pieza	Descripción	Ver
1N3890R	DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4	Investigación
GHXS050A060S-D3	DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227	Investigación
GP2D003A065C	DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2	Investigación
S16J	DIODE GEN PURP 600V 16A DO203AA	Investigación
GP2D010A120U	DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247	Investigación
FR12JR02	DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4	Investigación
GP2M002A065CG	MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK	Investigación
GP1M010A080N	MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN	Investigación
GCMS080A120B1H1	SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1	Investigación
1N3673A	DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4	Investigación
1N2135A	DIODE GEN PURP 400V 60A DO5	Investigación
FR20A02	DIODE GEN PURP 50V 20A DO5	Investigación
GP1M005A050H	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220	Investigación
GP1M013A050H	MOSFET N-CH 500V 13A TO220	Investigación
FST12030	DIODE MODULE 30V 120A TO249AB	Investigación
FR20JR02	DIODE GEN PURP REV 600V 20A DO5	Investigación
FR30DR02	DIODE GEN PURP REV 200V 30A DO5	Investigación
GSXD160A008S1-D3	DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227	Investigación
1N1186	DIODE GEN PURP 200V 35A DO5	Investigación
1N3768	DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5	Investigación
GKN71/04	DIODE GEN PURP 400V 95A DO5	Investigación
FR16JR05	DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4	Investigación
GP1M005A050FH	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F	Investigación
FR30MR05	DIODE GEN PURP REV 1KV 30A DO5	Investigación
GP2M004A060PG	MOSFET N-CH 600V 4A IPAK	Investigación
GP2M005A050FG	MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F	Investigación
FST16060	DIODE MODULE 60V 160A TO249AB	Investigación
GP2M010A060H	MOSFET N-CH 600V 10A TO220	Investigación
GP2D005A065C	DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO252	Investigación
GCMS020A120B1H1	SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1	Investigación
FR40GR05	DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5	Investigación
GP2D010A065C	DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO252	Investigación
GP2M008A060FGH	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F	Investigación
GKR26/16	DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4	Investigación
1N1204AR	DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4	Investigación
GP1M008A050HG	MOSFET N-CH 500V 8A TO220	Investigación
FST12020	DIODE MODULE 20V 120A TO249AB	Investigación
FR40DR05	DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5	Investigación
GP1M020A060N	MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN	Investigación
FST16045	DIODE MODULE 45V 160A TO249AB	Investigación
GHIS025A120T1P2	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	Investigación
S16D	DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA	Investigación
GPA042A100L-ND	IGBT 1000V 60A 463W TO264	Investigación
GP2D015A120A	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO220-2	Investigación
GSXF060A040S1-D3	DIODE FAST REC 400V 60A SOT227	Investigación
FR6BR05	DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4	Investigación
S6GR	DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4	Investigación
FR40DR02	DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5	Investigación
S16B	DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA	Investigación
GP1M016A060N	MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN	Investigación

registros 639

Página actual:12/13Anterior 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111213 Próximo Final