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Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fundada en 2007 es una compañía de desarrollo y fabricación integrada dedicada a productos basados ​​en tecnologías de carburo de silicio (SiC). Estos productos serán fundamentales para las industrias de electrónica de potencia y energía en los próximos años, donde se necesitan tecnologías avanzadas para la generación, conversión y transmisión de energía altamente eficiente y de bajo costo.
Imagen Número de pieza Descripción Ver
FR16G05 DIODE GEN PURP 400V 16A DO4 Investigación
GP1M018A020PG Image GP1M018A020PG MOSFET N-CH 200V 18A IPAK Investigación
GSID080A120B1A5 SILICON IGBT MODULES Investigación
GP2D020A060U DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247 Investigación
GP3D050A120B DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2 Investigación
FST12060 Image FST12060 DIODE MODULE 60V 120A TO249AB Investigación
GSXD120A008S1-D3 Image GSXD120A008S1-D3 DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227 Investigación
S40QR Image S40QR DIODE GEN PURP REV 1.2KV 40A DO5 Investigación
1N3891R DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 Investigación
GP2D024A060U DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247 Investigación
GHXS015A120S-D4 Image GHXS015A120S-D4 DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227 Investigación
1N1206A Image 1N1206A DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 Investigación
GP2D006A060C Image GP2D006A060C DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2 Investigación
GP1M006A065FH Image GP1M006A065FH MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F Investigación
S25KR DIODE GEN REV 800V 25A DO203AA Investigación
FR12BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 Investigación
GP1M012A060H Image GP1M012A060H MOSFET N-CH 600V 12A TO220 Investigación
GP1M016A025CG Image GP1M016A025CG MOSFET N-CH 250V 16A DPAK Investigación
GP2M020A050F Image GP2M020A050F MOSFET N-CH 500V 18A TO220F Investigación
GP2M005A050PG Image GP2M005A050PG MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK Investigación
GP1M011A050H Image GP1M011A050H MOSFET N-CH 500V 11A TO220 Investigación
GHXS010A060S-D3 Image GHXS010A060S-D3 DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227 Investigación
GKR26/12 DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4 Investigación
GB50SLT12-247 Image GB50SLT12-247 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC Investigación
GB05SLT12-252 Image GB05SLT12-252 DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252 Investigación
FR16J05 DIODE GEN PURP 600V 16A DO4 Investigación
GHXS060A120S-D4 Image GHXS060A120S-D4 DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227 Investigación
GHIS050A060B3P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Investigación
GP1M005A050PH Image GP1M005A050PH MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK Investigación
GSXD100A004S1-D3 Image GSXD100A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT227 Investigación
GP2M002A060FG Image GP2M002A060FG MOSFET N-CH 600V 2A TO220F Investigación
1N3212R DIODE GEN PURP REV 400V 15A DO5 Investigación
FST16030 Image FST16030 DIODE MODULE 30V 160A TO249AB Investigación
FR40J02 DIODE GEN PURP 600V 40A DO5 Investigación
GHXS010A060S-D1 Image GHXS010A060S-D1 MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227 Investigación
GP2D003A060C Image GP2D003A060C DIODE SCHOTTKY 600V 3A DPAK-2 Investigación
GPI040A060MN-FD Image GPI040A060MN-FD IGBT 600V 80A 231W TO3PN Investigación
GP2M007A080F Image GP2M007A080F MOSFET N-CH 800V 7A TO220F Investigación
GSXD050A010S1-D3 Image GSXD050A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 50A SOT227 Investigación
GCMS040A120B3C1 SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY Investigación
GP1M009A090N Image GP1M009A090N MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN Investigación
GPA040A120L-ND Image GPA040A120L-ND IGBT 1200V 80A 455W TO264 Investigación
FST10035 Image FST10035 DIODE MODULE 35V 100A TO249AB Investigación
FR30BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 30A DO5 Investigación
S12JR DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 Investigación
GP1M012A060FH Image GP1M012A060FH MOSFET N-CH 600V 12A TO220F Investigación
FST12035 Image FST12035 DIODE MODULE 35V 120A TO249AB Investigación
GSXD030A010S1-D3 Image GSXD030A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 30A SOT227 Investigación
FR16K05 Image FR16K05 DIODE GEN PURP 800V 16A DO4 Investigación
GP1M008A050FG Image GP1M008A050FG MOSFET N-CH 500V 8A TO220F Investigación
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