Κάρτα Γραμμής

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Η Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG"), που ιδρύθηκε το 2007, είναι μια ολοκληρωμένη εταιρία ανάπτυξης και κατασκευής προϊόντων που βασίζεται σε τεχνολογίες καρβιδίου του πυριτίου (SiC). Τα προϊόντα αυτά θα είναι θεμελιώδη για τις βιομηχανίες ηλεκτρονικών ισχύος και ενέργειας κατά τα επόμενα έτη, όπου απαιτούνται προηγμένες τεχνολογίες για χαμηλού κόστους, υψηλής αποδοτικότητας παραγωγή, μετατροπή και μετάδοση ενέργειας.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
GP1M005A050CH Image GP1M005A050CH MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK Έρευνα
GP2D036A060B DIODE SCHOTTKY 600V 82A TO247-2 Έρευνα
FR30M05 DIODE GEN PURP 1KV 30A DO5 Έρευνα
GSXD160A020S1-D3 Image GSXD160A020S1-D3 DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227 Έρευνα
GP1M023A050N Image GP1M023A050N MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN Έρευνα
GSXF120A040S1-D3 Image GSXF120A040S1-D3 DIODE FAST REC 400V 120A SOT227 Έρευνα
S25JR DIODE GEN REV 600V 25A DO203AA Έρευνα
FST100100 Image FST100100 DIODE MODULE 100V 100A TO249AB Έρευνα
FR16BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 Έρευνα
GSXF030A100S1-D3 Image GSXF030A100S1-D3 DIODE FAST REC 1000V 30A SOT227 Έρευνα
GP1M007A090H Image GP1M007A090H MOSFET N-CH 900V 7A TO220 Έρευνα
GSXD100A010S1-D3 Image GSXD100A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227 Έρευνα
GHIS080A060S-A1 Image GHIS080A060S-A1 IGBT BOOST CHOP 600V 160A SOT227 Έρευνα
S40JR DIODE GEN PURP REV 600V 40A DO5 Έρευνα
GP2M005A060PG Image GP2M005A060PG MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK Έρευνα
GHIS075A120T2P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Έρευνα
1N1188AR DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5 Έρευνα
FR6GR02 DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 Έρευνα
FST16080 Image FST16080 DIODE MODULE 80V 160A TO249AB Έρευνα
FST10030 Image FST10030 DIODE MODULE 30V 100A TO249AB Έρευνα
S6DR DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4 Έρευνα
GSXF100A020S1-D3 Image GSXF100A020S1-D3 DIODE FAST REC 200V 120AA SOT227 Έρευνα
GP2D010A170B DIODE SCHOTTKY 1.7KV 10A TO247-2 Έρευνα
FR6DR02 DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4 Έρευνα
FR20BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 20A DO5 Έρευνα
GP2D020A120B Image GP2D020A120B DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247-2 Έρευνα
1N2129A DIODE GEN PURP 100V 60A DO5 Έρευνα
FR20D02 DIODE GEN PURP 200V 20A DO5 Έρευνα
GP1M016A025PG Image GP1M016A025PG MOSFET N-CH 250V 16A IPAK Έρευνα
FR30JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 30A DO5 Έρευνα
GP1M007A065CG Image GP1M007A065CG MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK Έρευνα
GP1M008A080FH Image GP1M008A080FH MOSFET N-CH 800V 8A TO220F Έρευνα
GSXD050A020S1-D3 Image GSXD050A020S1-D3 DIODE SCHOTTKY 200V 50A SOT227 Έρευνα
GHXS030A120S-D1E Image GHXS030A120S-D1E MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227 Έρευνα
GHXS020A060S-D1 Image GHXS020A060S-D1 MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227 Έρευνα
GSXF060A120S1-D3 Image GSXF060A120S1-D3 DIODE FAST REC 1200V 60A SOT227 Έρευνα
GP1M020A060M Image GP1M020A060M MOSFET N-CH 600V 20A TO3P Έρευνα
GP2M005A060HG Image GP2M005A060HG MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220 Έρευνα
GP1M005A040PG Image GP1M005A040PG MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK Έρευνα
GSXD030A004S1-D3 Image GSXD030A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 30A SOT227 Έρευνα
1N1184A Image 1N1184A DIODE GEN PURP 100V 40A DO5 Έρευνα
GSID150A120S5C1 Image GSID150A120S5C1 IGBT MODULE 1200V 285A Έρευνα
GP1M009A060H Image GP1M009A060H MOSFET N-CH 600V 9A TO220 Έρευνα
GP1M003A040PG Image GP1M003A040PG MOSFET N-CH 400V 2A IPAK Έρευνα
GSXD160A010S1-D3 Image GSXD160A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227 Έρευνα
GCMS040A120B1H1 SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1 Έρευνα
GPA060A060MN-FD Image GPA060A060MN-FD IGBT 600V 120A 347W TO3PN Έρευνα
GP1M003A050FG Image GP1M003A050FG MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F Έρευνα
GP2M004A065CG Image GP2M004A065CG MOSFET N-CH 650V 4A DPAK Έρευνα
GHXS045A120S-D3 Image GHXS045A120S-D3 DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227 Έρευνα
εγγραφές 639