العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25X40AVSSIG IC FLASH 4M SPI 100MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128FWFIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q64JVSSIQ IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32FVTCIP Image W25Q32FVTCIP IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W25Q16DWSNIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W29GL032CH7T Image W29GL032CH7T IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W29N02GZBIBA Image W29N02GZBIBA IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA تحقيق
W25P20VSNIG T&R IC FLASH 2M SPI 40MHZ 8SOIC تحقيق
W949D2DBJX5I TR Image W949D2DBJX5I TR IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W29N01GVBIAA Image W29N01GVBIAA IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA تحقيق
W971GG8SB25I Image W971GG8SB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W632GG8KB12I TR Image W632GG8KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W949D6DBHX5I Image W949D6DBHX5I IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q80JVZPIQ IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W9816G6JB-6 Image W9816G6JB-6 IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q40BWSNIG IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128FVEJQ IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W988D6FBGX7E TR Image W988D6FBGX7E TR IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W25Q80BVDAIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8DIP تحقيق
W25Q40BWUXIE TR Image W25Q40BWUXIE TR IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8USON تحقيق
W948D2FBJX6E Image W948D2FBJX6E IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q32DWSFIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q16CVSNJG IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q32BVZPJP TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q80DVSNIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W9425G6KH-5I Image W9425G6KH-5I IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W631GG6KB15J IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W948D6FBHX5I Image W948D6FBHX5I IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W972GG8JB-25 IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q16DVZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q128BVFJG IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q64FWZPIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W632GG6MB-11 TR Image W632GG6MB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W631GU6MB-11 IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA تحقيق
W25Q64JVZEIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32JVSTIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q16DWSFIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q32FWZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64JVSFIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q40EWSNIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W987D2HBJX7E Image W987D2HBJX7E IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q32FVSSIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25N01GVZEIT TR IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W631GU6KS-15 TR IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W29GL128PH9T TR IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q80JVSVIQ TR IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q128FVFIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W97BH2KBQX2I IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W25Q64FWSTIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q128FVFJQ IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية