العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25Q128FVTIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W9812G6JB-6I Image W9812G6JB-6I IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA تحقيق
W631GU6MB-11 TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA تحقيق
W979H6KBVX2E TR Image W979H6KBVX2E TR IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25Q16JVSNIQ TR IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W631GG8KB-11 TR Image W631GG8KB-11 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q128FVFJQ TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W979H2KBVX2E Image W979H2KBVX2E IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25Q128FVSIF TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W631GU6MB12I IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA تحقيق
W25Q257FVFIQ TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q32JVZPIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25X10CLUXIG TR Image W25X10CLUXIG TR IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W25Q16DVZPJG IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q64FVSSJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25P16VSFIG IC FLASH 16M SPI 50MHZ 16SOIC تحقيق
W98AD6KBGX6E IC MEMORY SDRAM 1GB 54VFBGA تحقيق
W25Q32FVZPJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25X10VZPIG T&R IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8WSON تحقيق
W29GL032CB7S Image W29GL032CB7S IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP تحقيق
W9751G8KB-25 Image W9751G8KB-25 IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q16JVUUIQ TR Image W25Q16JVUUIQ TR IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8USON تحقيق
W632GU8MB12I Image W632GU8MB12I IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W979H6KBQX2E IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W25Q257FVEIF TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q256FVBIF Image W25Q256FVBIF IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W94AD6KBHX5E TR Image W94AD6KBHX5E TR IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W29GL128CH9T Image W29GL128CH9T IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W631GU8MB-12 TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA تحقيق
W632GU6KB15I TR Image W632GU6KB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W631GG6KB-12 Image W631GG6KB-12 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25X10CLZPIG TR IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q80DLZPIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W29GL256PH9B Image W29GL256PH9B IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W29GL256SL9C IC FLASH 256M PARALLEL 56TFBGA تحقيق
W25Q20EWSVIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W97BH2KBVX2I Image W97BH2KBVX2I IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25Q128JVAIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8DIP تحقيق
W25Q80DVZPIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64FVSSIF IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16DVSSJP IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W29GL128CH9B TR Image W29GL128CH9B TR IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W25Q32FVTBIG TR Image W25Q32FVTBIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W632GG8KB-15 TR Image W632GG8KB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W987D6HBGX6E TR Image W987D6HBGX6E TR IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W632GU8MB15I Image W632GU8MB15I IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W25Q64CVSSIG IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W9725G6KB-18 Image W9725G6KB-18 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W978H2KBVX2I Image W978H2KBVX2I IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W98AD6KBGX6I 1GB MSDR X16 166MHZ IND تحقيق
سجلات 1,271
سابق34567891011121314151617التالينهاية