العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W631GU6KB11I IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W9712G6KB-25 Image W9712G6KB-25 IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA تحقيق
W25Q32FVXGJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q16DVSSJG IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q16CLZPIG TR IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8WSON تحقيق
W25Q256JVEIQ IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q80BWBYIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WLCSP تحقيق
W9412G6JH-4 Image W9412G6JH-4 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25Q32FVTCIG TR Image W25Q32FVTCIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W29GL064CT7S Image W29GL064CT7S IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP تحقيق
W632GU6MB12I TR Image W632GU6MB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W25Q80BWZPIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON تحقيق
W25Q128BVBJP IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W971GG6KB25I Image W971GG6KB25I IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q256FVBIF TR Image W25Q256FVBIF TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q80BWSVIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q16CVSSJP IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W632GU8MB-12 Image W632GU8MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W631GU6MB15I IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
W978H6KBVX2I Image W978H6KBVX2I IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W947D6HBHX6E TR Image W947D6HBHX6E TR IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q32JVSSIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128JVSIQ IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W632GU8KB-12 TR Image W632GU8KB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q257FVFIQ IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W971GG8SB25I TR Image W971GG8SB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W972GG6JB-18 TR Image W972GG6JB-18 TR IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W9812G6IH-6 Image W9812G6IH-6 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W25Q40BWSVIG TR IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q80BVSNIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25X80VZPIG T&R IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8WSON تحقيق
W25Q40CLUXIG TR Image W25Q40CLUXIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W29GL064CL7T Image W29GL064CL7T IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q64DWSFIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25X20CLSVIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q32BVZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64FVSCA2 IC FLASH 64M SPI 104MHZ تحقيق
W947D6HBHX6E Image W947D6HBHX6E IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W972GG6KB-25 Image W972GG6KB-25 IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 84BGA تحقيق
W25Q40EWSVIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W947D2HBJX5I TR Image W947D2HBJX5I TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25X20VSNIG T&R IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
W25X32VSSIG IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
W25X80AVDAIZ IC FLASH 8M SPI 100MHZ 8DIP تحقيق
W25Q16DVSNIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16CLZPIG IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8WSON تحقيق
W632GU6MB-15 Image W632GU6MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W966D6HBGX7I Image W966D6HBGX7I IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W631GG8MB12I IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA تحقيق
W25Q128FWSIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية