العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W972GG8JB25I TR IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q64FVSCB1 IC FLASH 64M SPI 104MHZ تحقيق
W25Q80JVUXIQ TR IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8USON تحقيق
W631GU6KB-11 IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W25Q80BWSSIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W9425G6JB-5I Image W9425G6JB-5I IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA تحقيق
W25Q32FVSFIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W9725G6KB25I TR Image W9725G6KB25I TR IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q128FVBJQ IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W9812G2KB-6I TR Image W9812G2KB-6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W971GG6SB25I TR Image W971GG6SB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W631GU6MB-15 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
W9812G6KH-6 Image W9812G6KH-6 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W25Q80DVZPIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25X40BVSNIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32BVSSJP TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q32FVSSJF IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q64FVDAIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8DIP تحقيق
W25Q16FWSSIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64DWSSIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25M02GVTBIT TR Image W25M02GVTBIT TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W971GG6SB25I Image W971GG6SB25I IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q32FWSSIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W29GL064CB7B Image W29GL064CB7B IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W25Q32FVSSJF TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W9816G6JH-5 Image W9816G6JH-5 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II تحقيق
W631GG8KB-15 TR Image W631GG8KB-15 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q128FVPJP IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q64FVSFIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25X20CLSNIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W9412G6JH-5I Image W9412G6JH-5I IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25Q64FVZEJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q20EWSNIG TR IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W29GL064CH7B Image W29GL064CH7B IC FLASH 64M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W632GG8KB-11 Image W632GG8KB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q32DWSFIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q256FVCIP TR Image W25Q256FVCIP TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W632GU8MB-15 TR Image W632GU8MB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W25Q16DVSNJG IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q80JVSVIQ IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q128FVSJQ IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W988D2FBJX6I TR Image W988D2FBJX6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W9825G6EH-6 Image W9825G6EH-6 IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W94AD2KBJX5E Image W94AD2KBJX5E IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q128FVFIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W9725G6KB-25 TR Image W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q128FVSJP TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q32FVSFIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W29N02GVBIAF Image W29N02GVBIAF IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA تحقيق
W631GU6KB15I TR Image W631GU6KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
سجلات 1,271
سابق789101112131415161718192021التالينهاية