Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W25X40AVSSIG IC FLASH 4M SPI 100MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q128FWFIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q64JVSSIQ IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q32FVTCIP Image W25Q32FVTCIP IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA Έρευνα
W25Q16DWSNIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W29GL032CH7T Image W29GL032CH7T IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP Έρευνα
W29N02GZBIBA Image W29N02GZBIBA IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA Έρευνα
W25P20VSNIG T&R IC FLASH 2M SPI 40MHZ 8SOIC Έρευνα
W949D2DBJX5I TR Image W949D2DBJX5I TR IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W29N01GVBIAA Image W29N01GVBIAA IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA Έρευνα
W971GG8SB25I Image W971GG8SB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W632GG8KB12I TR Image W632GG8KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W949D6DBHX5I Image W949D6DBHX5I IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W25Q80JVZPIQ IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W9816G6JB-6 Image W9816G6JB-6 IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W25Q40BWSNIG IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q128FVEJQ IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W988D6FBGX7E TR Image W988D6FBGX7E TR IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA Έρευνα
W25Q80BVDAIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8DIP Έρευνα
W25Q40BWUXIE TR Image W25Q40BWUXIE TR IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8USON Έρευνα
W948D2FBJX6E Image W948D2FBJX6E IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W25Q32DWSFIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q16CVSNJG IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W25Q32BVZPJP TR IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W25Q80DVSNIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W9425G6KH-5I Image W9425G6KH-5I IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W631GG6KB15J IC SDRAM 1GBIT 96BGA Έρευνα
W948D6FBHX5I Image W948D6FBHX5I IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W972GG8JB-25 IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W25Q16DVZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q128BVFJG IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W25Q64FWZPIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W632GG6MB-11 TR Image W632GG6MB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Έρευνα
W631GU6MB-11 IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA Έρευνα
W25Q64JVZEIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q32JVSTIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8VSOP Έρευνα
W25Q16DWSFIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q32FWZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q64JVSFIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q40EWSNIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W987D2HBJX7E Image W987D2HBJX7E IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W25Q32FVSSIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25N01GVZEIT TR IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W631GU6KS-15 TR IC SDRAM 1GBIT 96BGA Έρευνα
W29GL128PH9T TR IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP Έρευνα
W25Q80JVSVIQ TR IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8VSOP Έρευνα
W25Q128FVFIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W97BH2KBQX2I IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA Έρευνα
W25Q64FWSTIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP Έρευνα
W25Q128FVFJQ IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
εγγραφές 1,271