العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W632GU6KB15I Image W632GU6KB15I IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q32FVSSIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25M512JVBIQ Image W25M512JVBIQ IC FLASH 512M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q64JVSSIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16BVSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q80BLZPIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON تحقيق
W25P10VSNIG IC FLASH 1M SPI 40MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16CVSSIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W631GU8KB-12 Image W631GU8KB-12 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W631GG8KB15I Image W631GG8KB15I IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W631GG8KB-12 Image W631GG8KB-12 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W632GU6MB15I TR Image W632GU6MB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W631GU6MB12I TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA تحقيق
W25Q16DVSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32DWSSIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W988D6FBGX6I Image W988D6FBGX6I IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W948D6FBHX5E TR Image W948D6FBHX5E TR IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q40BWSNIG TR IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W949D6DBHX5E Image W949D6DBHX5E IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W632GG6MB-09 Image W632GG6MB-09 IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ تحقيق
W25Q80EWSNIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W632GG6KB15I TR Image W632GG6KB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q64FVSF00 IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q32JVDAIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8DIP تحقيق
W631GG6MB15J IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
W631GU6MB-15 TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
W25Q32FVSSIP TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W9751G6KB-18 TR Image W9751G6KB-18 TR IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W98AD2KBJX6I TR 1GB MSDR X32 166MHZ IND تحقيق
W25Q256FVFIF TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W631GU8MB12I TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA تحقيق
W25Q128BVEJP IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q32BVTBJP IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W631GG6KB-15 Image W631GG6KB-15 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q128FVFJP IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q32JVTBIQ Image W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 24TFBGA تحقيق
W971GG8KB25I TR Image W971GG8KB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q128JVBIQ Image W25Q128JVBIQ IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W631GU6KB12I TR Image W631GU6KB12I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q32FVSSJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q80JVSNIQ IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32JVTCIQ Image W25Q32JVTCIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 24TFBGA تحقيق
W9751G8KB25I TR Image W9751G8KB25I TR IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA تحقيق
W948D6FB2X5J IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA تحقيق
W25Q64FVZEIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25X10BVSNIG IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W948D2FBJX5E TR Image W948D2FBJX5E TR IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q64FVSSJQ IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q80JVSNIQ TR IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W29GL128CH9B Image W29GL128CH9B IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية