العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25Q256FVFJQ TR IC FLASH MEMORY 256MB تحقيق
W988D2FBJX7E TR Image W988D2FBJX7E TR IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W631GG6MB-11 TR Image W631GG6MB-11 TR IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA تحقيق
W25Q64JVSTIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8VSOP تحقيق
W25X40CLSSIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16FWSSIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128FVEIQ TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q128JVCIQ TR Image W25Q128JVCIQ TR IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q256FVBIG TR Image W25Q256FVBIG TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q40CLSSIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W9825G2JB-6 Image W9825G2JB-6 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W971GG6KB-25 Image W971GG6KB-25 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W29GL128CL9T TR Image W29GL128CL9T TR IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q32FVZPIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q256FVEIQ IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q80BVZPIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64FVTBJQ IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W9864G6KH-6 Image W9864G6KH-6 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W25Q128BVFJG TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W9816G6JH-6 TR Image W9816G6JH-6 TR IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II تحقيق
W25Q32JVSSIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64CVZEJP IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q16DVUUIG TR Image W25Q16DVUUIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W972GG6JB-3 TR Image W972GG6JB-3 TR IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W29GL032CL7T Image W29GL032CL7T IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q256JVFIM TR IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q80EWZPIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W631GG6MB-15 TR Image W631GG6MB-15 TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
W632GG8MB12I Image W632GG8MB12I IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W631GU6KS-15 IC SDRAM 1GBIT 96BGA تحقيق
W25Q64FWSSIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q257FVFIF IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W9812G6JB-6 TR Image W9812G6JB-6 TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA تحقيق
W25Q128JVBIM Image W25Q128JVBIM IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W948D6FBHX6E TR Image W948D6FBHX6E TR IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W9825G6JH-6I Image W9825G6JH-6I IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W25Q128FVCJQ TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q128FVPIQ TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W632GG6KB15J Image W632GG6KB15J IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W25Q128FWPIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W29GL512SH9B Image W29GL512SH9B IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W631GU8MB12I IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA تحقيق
W25Q32FWSTIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25Q64FVSSIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64JVSFIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC تحقيق
W25X64VSFIG IC FLASH 64M SPI 75MHZ 16SOIC تحقيق
W632GU6MB-12 Image W632GU6MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 96VFBGA تحقيق
W25Q128JVBIQ TR Image W25Q128JVBIQ TR IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q64CVZPJP TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W966D6HBGX7I TR Image W966D6HBGX7I TR IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
سجلات 1,271
سابق456789101112131415161718التالينهاية