العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25Q80BWSVIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP تحقيق
W632GG6KB-11 TR Image W632GG6KB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q64FVSFIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W29GL128PH9T IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W632GG6MB-15 Image W632GG6MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W979H6KBQX2I IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W631GG8MB-12 Image W631GG8MB-12 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA تحقيق
W25Q128BVBJP TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W29GL512PL9T TR Image W29GL512PL9T TR IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q64CVSSJP TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25X20BVSNIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W632GG6KB-11 Image W632GG6KB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W971GG8KB25I Image W971GG8KB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q256FVFIP IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W988D2FBJX6E TR Image W988D2FBJX6E TR IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W94AD2KBJX5I TR Image W94AD2KBJX5I TR IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q16BVZPIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25M512JVEIQ IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W9825G6JH-6I TR Image W9825G6JH-6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W9412G6KH-5I Image W9412G6KH-5I IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W25Q64JVZEIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W632GG8KB-15 Image W632GG8KB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q80BVSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q256FVFJF TR IC FLASH MEMORY 256MB تحقيق
W25Q32BVTBJG TR IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W19B320ATT7H Image W19B320ATT7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP تحقيق
W25Q80DVSSIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16DVSFIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W632GU8KB-15 TR Image W632GU8KB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W631GG8MB-11 IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA تحقيق
W25P80VSSIG T&R IC FLASH 8M SPI 50MHZ 8SOIC تحقيق
W25X10VSNIG T&R IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16DVDAIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8DIP تحقيق
W29N02GVBIAA Image W29N02GVBIAA IC FLASH 2G PARALLEL 63FBGA تحقيق
W29GL512PH9T TR Image W29GL512PH9T TR IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W632GU8MB-12 TR Image W632GU8MB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W25Q16CVSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q256FVCIF Image W25Q256FVCIF IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W9812G6KH-5 TR Image W9812G6KH-5 TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W9864G2JH-6 TR IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II تحقيق
W25Q32FVZPIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W632GG8KB-11 TR Image W632GG8KB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W9725G6KB-25 Image W9725G6KB-25 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W632GG6MB-11 Image W632GG6MB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W25Q16DVSSIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16DWBYIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WLCSP تحقيق
W9864G6KH-6I Image W9864G6KH-6I IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP تحقيق
W632GU8KB12I TR Image W632GU8KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q80BLSVIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية