العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W9725G8KB25I TR Image W9725G8KB25I TR IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA تحقيق
W631GG8MB-12 TR Image W631GG8MB-12 TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA تحقيق
W25Q128JVPIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25P20VSNIG IC FLASH 2M SPI 40MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32BVSSJP IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W29GL256PH9T Image W29GL256PH9T IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W25Q16CVZPJG IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q128FVSIF IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W948D6KBHX5E IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA تحقيق
W25Q32JWSSIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q256FVFIF IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q16DVSSIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W631GU8KB15I TR Image W631GU8KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q64CVZEIG IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64FVZPIF TR IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W25Q80DVSSIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W29GL512SL9B TR Image W29GL512SL9B TR IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W25Q128JVPIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25X40CLZPIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q16DVZPJP TR IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W972GG8JB-25 TR IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W9864G2JB-6I TR Image W9864G2JB-6I TR IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA تحقيق
W25Q128FVEIF IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W29GL512PH9B TR Image W29GL512PH9B TR IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W631GU8KB-15 TR Image W631GU8KB-15 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q16VSSIG IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q32JWZPIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W9816G6JH-5 TR Image W9816G6JH-5 TR IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II تحقيق
W9864G2JH-6 IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II تحقيق
W25M02GVTBIG TR Image W25M02GVTBIG TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W9464G6JH-5I Image W9464G6JH-5I IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W632GG6KB-12 Image W632GG6KB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q16DVSNJP IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q32JWZPIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32BVSFJG IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W25Q128FVEIF TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W972GG8JB25I IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W632GU8KB15I TR Image W632GU8KB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25X80VZPIG IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8WSON تحقيق
W25Q64FVSTIM IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP تحقيق
W25M02GVZEIG TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W631GU8MB15I IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA تحقيق
W971GG6SB-18 Image W971GG6SB-18 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W9816G6JB-6I TR Image W9816G6JB-6I TR IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q128FVBJQ TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W631GG6MB15I TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA تحقيق
W25Q80BVDAIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8DIP تحقيق
W29GL256SH9B TR Image W29GL256SH9B TR IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W947D2HBJX5E TR Image W947D2HBJX5E TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W988D6FBGX7E Image W988D6FBGX7E IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية