Kartu garis

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation adalah perusahaan IC memori yang bergerak di bidang desain, manufaktur, dan layanan penjualan untuk memberikan solusi memori kualitas terbaik kepada pelanggan globalnya. Lini produk Winbond termasuk Memori Flash Penyimpanan Kode, NAND Serial dan Paralel, DRAM Khusus, dan DRAM Seluler.
Produk Winbond banyak digunakan oleh perusahaan di pasar vertikal IoT seperti komputasi, perangkat multimedia yang terhubung, mobil, sistem jaringan dan industri. Winbond menawarkan produk Flash dan DRAM kelas Industri otomotif dan Industrial dengan dukungan jangka panjang. Winbond memiliki sekitar 2.200 karyawan di seluruh dunia, yang mencakup FAB 12 inci di kantor pusatnya di Taichung, Taiwan.
Gambar Nomor bagian Deskripsi Melihat
W25X40AVSSIG IC FLASH 4M SPI 100MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q128FWFIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25Q64JVSSIQ IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q32FVTCIP Image W25Q32FVTCIP IC FLASH 32M SPI 104MHZ 24TFBGA Penyelidikan
W25Q16DWSNIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W29GL032CH7T Image W29GL032CH7T IC FLASH 32M PARALLEL 56TSOP Penyelidikan
W29N02GZBIBA Image W29N02GZBIBA IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA Penyelidikan
W25P20VSNIG T&R IC FLASH 2M SPI 40MHZ 8SOIC Penyelidikan
W949D2DBJX5I TR Image W949D2DBJX5I TR IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA Penyelidikan
W29N01GVBIAA Image W29N01GVBIAA IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA Penyelidikan
W971GG8SB25I Image W971GG8SB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Penyelidikan
W632GG8KB12I TR Image W632GG8KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Penyelidikan
W949D6DBHX5I Image W949D6DBHX5I IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Penyelidikan
W25Q80JVZPIQ IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8WSON Penyelidikan
W9816G6JB-6 Image W9816G6JB-6 IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA Penyelidikan
W25Q40BWSNIG IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25Q128FVEJQ IC FLASH MEMORY 128MB Penyelidikan
W988D6FBGX7E TR Image W988D6FBGX7E TR IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA Penyelidikan
W25Q80BVDAIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8DIP Penyelidikan
W25Q40BWUXIE TR Image W25Q40BWUXIE TR IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8USON Penyelidikan
W948D2FBJX6E Image W948D2FBJX6E IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Penyelidikan
W25Q32DWSFIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25Q16CVSNJG IC FLASH MEMORY 16MB Penyelidikan
W25Q32BVZPJP TR IC FLASH MEMORY 32MB Penyelidikan
W25Q80DVSNIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W9425G6KH-5I Image W9425G6KH-5I IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Penyelidikan
W631GG6KB15J IC SDRAM 1GBIT 96BGA Penyelidikan
W948D6FBHX5I Image W948D6FBHX5I IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Penyelidikan
W972GG8JB-25 IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA Penyelidikan
W25Q16DVZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q128BVFJG IC FLASH MEMORY 128MB Penyelidikan
W25Q64FWZPIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W632GG6MB-11 TR Image W632GG6MB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Penyelidikan
W631GU6MB-11 IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA Penyelidikan
W25Q64JVZEIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q32JVSTIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8VSOP Penyelidikan
W25Q16DWSFIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25Q32FWZPIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W25Q64JVSFIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 16SOIC Penyelidikan
W25Q40EWSNIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W987D2HBJX7E Image W987D2HBJX7E IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Penyelidikan
W25Q32FVSSIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Penyelidikan
W25N01GVZEIT TR IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
W631GU6KS-15 TR IC SDRAM 1GBIT 96BGA Penyelidikan
W29GL128PH9T TR IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP Penyelidikan
W25Q80JVSVIQ TR IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8VSOP Penyelidikan
W25Q128FVFIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC Penyelidikan
W97BH2KBQX2I IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA Penyelidikan
W25Q64FWSTIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP Penyelidikan
W25Q128FVFJQ IC FLASH MEMORY 128MB Penyelidikan
catatan 1,271