العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W631GU6KB-15 Image W631GU6KB-15 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W29N02GVSIAF Image W29N02GVSIAF IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP تحقيق
W25Q16CVSNJP TR IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W957D6HBCX7I TR Image W957D6HBCX7I TR IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W25Q64CVZEJG IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W9412G6KH-5I TR Image W9412G6KH-5I TR IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W631GG6MB-12 TR Image W631GG6MB-12 TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA تحقيق
W9725G8KB25I Image W9725G8KB25I IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q256FVCIG TR Image W25Q256FVCIG TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q32FWSFIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W631GG8KB15I TR Image W631GG8KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W632GU6KB12I TR Image W632GU6KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA تحقيق
W25Q32BVSSIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W631GG8MB-15 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA تحقيق
W25Q128FVPJQ TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W94AD6KBHX5I TR Image W94AD6KBHX5I TR IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W631GG6MB-12 Image W631GG6MB-12 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA تحقيق
W25Q64FWSFIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25M512JVCIQ TR Image W25M512JVCIQ TR IC FLASH 512M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q256FVCIP Image W25Q256FVCIP IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W25Q16CLSSIG TR IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC تحقيق
W9751G6KB-25 Image W9751G6KB-25 IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25X10AVSNIG IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q128FVAIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8DIP تحقيق
W9425G6JB-5I TR Image W9425G6JB-5I TR IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA تحقيق
W9412G6KH-5 Image W9412G6KH-5 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W631GG8MB-15 TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA تحقيق
W25Q128FVSJP IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q80BLSSIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC تحقيق
W631GU8MB11I IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA تحقيق
W29N02GVSIAA Image W29N02GVSIAA IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP تحقيق
W25Q128FVEIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W631GU8MB15I TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA تحقيق
W631GG6MB11I IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA تحقيق
W25Q128JVEIQ IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W632GU6MB11I Image W632GU6MB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W947D6HBHX5I TR Image W947D6HBHX5I TR IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q128FVCJQ IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W971GG6KB-18 TR Image W971GG6KB-18 TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q64FVTCIG Image W25Q64FVTCIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA تحقيق
W988D6FBGX6E Image W988D6FBGX6E IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA تحقيق
W29GL128CL9B Image W29GL128CL9B IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W97BH2KBQX2E IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W25Q64FVSH02 IC FLASH 64M SPI 104MHZ تحقيق
W29GL128CL9T Image W29GL128CL9T IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP تحقيق
W947D6HBHX5I Image W947D6HBHX5I IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA تحقيق
W25Q32FVSSIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W632GU6KB11I Image W632GU6KB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ تحقيق
W25Q64CVSFJP IC FLASH MEMORY 64MB تحقيق
W29N01HVSINA Image W29N01HVSINA IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية