العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > بطاقة خط > Winbond Electronics Corporation

بطاقة خط

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- شركة Winbond Electronics Corporation هي شركة تعمل في مجال الذاكرة IC تعمل في مجال التصميم والتصنيع وخدمة المبيعات لتوفير حلول الذاكرة عالية الجودة للعملاء العالميين. تشمل خطوط منتجات Winbond ذاكرة التخزين المؤقت للذاكرة ، و NAND Serial و Parallel NAND ، و DRAM الخاص و DRAM المحمول.
تستخدم منتجات Winbond على نطاق واسع من قبل الشركات في أسواق IoT العمودية مثل الحوسبة وأجهزة الوسائط المتعددة المتصلة والسيارات وأنظمة الشبكات والصناعية. تقدم شركة Winbond منتجات الفلاش والدرام ذات التصنيف الصناعي والعلوي مع دعم طويل العمر. لدى Winbond ما يقرب من 2200 موظف حول العالم ، والتي تشمل FAB 12 بوصة في مقرها الرئيسي في تايشونج ، تايوان.
صورة رقم القطعة وصف رأي
W25P40VSNIG T&R IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC تحقيق
W25M512JVFIQ TR IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W97BH6KBQX2I IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA تحقيق
W9464G6KH-5I TR Image W9464G6KH-5I TR IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II تحقيق
W632GU8MB12I TR Image W632GU8MB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ تحقيق
W25Q16FWSNIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W987D2HBJX7E TR Image W987D2HBJX7E TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q16FWUXIE TR Image W25Q16FWUXIE TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8USON تحقيق
W25Q128FVFIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 16SOIC تحقيق
W25X40VSSIG T&R IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
W631GU8KB15I Image W631GU8KB15I IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA تحقيق
W25Q16FWZPIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W29GL032CH7B Image W29GL032CH7B IC FLASH 32M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W25Q80EWBYIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WLCSP تحقيق
W25X40CLSNIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W632GG8MB15I Image W632GG8MB15I IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ تحقيق
W25Q20CLZPIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W9751G6KB25I Image W9751G6KB25I IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q32JVZPIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON تحقيق
W25Q32FVDAIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8DIP تحقيق
W25P80VSSIG IC FLASH 8M SPI 50MHZ 8SOIC تحقيق
W25X80VSFIG IC FLASH 8M SPI 75MHZ 16SOIC تحقيق
W989D2DBJX6I Image W989D2DBJX6I IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W947D2HBJX6E Image W947D2HBJX6E IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
W25Q128FWEIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W25Q40CLSNIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W971GG8JB25I Image W971GG8JB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q128BVEJG TR IC FLASH MEMORY 128MB تحقيق
W25Q32FWBYIC TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 12WLCSP تحقيق
W29GL512SL9B Image W29GL512SL9B IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA تحقيق
W25X80VSFIG T&R IC FLASH 8M SPI 75MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q80BVSSIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC تحقيق
W25X40VSNIG IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
W25Q16CVSSJP TR IC FLASH MEMORY 16MB تحقيق
W25Q128FVAIQ TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8DIP تحقيق
W25Q256JVBIQ TR Image W25Q256JVBIQ TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA تحقيق
W97AH2KBVX2E Image W97AH2KBVX2E IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W9816G6JH-6 Image W9816G6JH-6 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II تحقيق
W25X32VSFIG T&R IC FLASH 32M SPI 75MHZ 16SOIC تحقيق
W25Q128JVCIM TR Image W25Q128JVCIM TR IC FLASH 128M SPI 24TFBGA تحقيق
W9725G6JB25I Image W9725G6JB25I IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA تحقيق
W25Q16JLZPIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SWSON تحقيق
W25Q64DWZEIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W979H6KBVX2I Image W979H6KBVX2I IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA تحقيق
W25Q128FVEIG TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON تحقيق
W971GG8KB-25 TR Image W971GG8KB-25 TR IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA تحقيق
W25Q32BVSFJP IC FLASH MEMORY 32MB تحقيق
W9825G6JB-6 TR Image W9825G6JB-6 TR IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA تحقيق
W25Q256FVEJQ TR IC FLASH MEMORY 256MB تحقيق
W25X16AVSNIG IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC تحقيق
سجلات 1,271
سابق123456789101112131415التالينهاية