Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W25Q80BWSVIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP Έρευνα
W632GG6KB-11 TR Image W632GG6KB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W25Q64FVSFIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W29GL128PH9T IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP Έρευνα
W632GG6MB-15 Image W632GG6MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Έρευνα
W979H6KBQX2I IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Έρευνα
W631GG8MB-12 Image W631GG8MB-12 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA Έρευνα
W25Q128BVBJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W29GL512PL9T TR Image W29GL512PL9T TR IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP Έρευνα
W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q64CVSSJP TR IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W25X20BVSNIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W632GG6KB-11 Image W632GG6KB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W971GG8KB25I Image W971GG8KB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W25Q256FVFIP IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W988D2FBJX6E TR Image W988D2FBJX6E TR IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W94AD2KBJX5I TR Image W94AD2KBJX5I TR IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W25Q16BVZPIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25M512JVEIQ IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W9825G6JH-6I TR Image W9825G6JH-6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W9412G6KH-5I Image W9412G6KH-5I IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W25Q64JVZEIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W632GG8KB-15 Image W632GG8KB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W25Q80BVSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q256FVFJF TR IC FLASH MEMORY 256MB Έρευνα
W25Q32BVTBJG TR IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W19B320ATT7H Image W19B320ATT7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP Έρευνα
W25Q80DVSSIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q16DVSFIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W632GU8KB-15 TR Image W632GU8KB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W631GG8MB-11 IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA Έρευνα
W25P80VSSIG T&R IC FLASH 8M SPI 50MHZ 8SOIC Έρευνα
W25X10VSNIG T&R IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q16DVDAIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8DIP Έρευνα
W29N02GVBIAA Image W29N02GVBIAA IC FLASH 2G PARALLEL 63FBGA Έρευνα
W29GL512PH9T TR Image W29GL512PH9T TR IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP Έρευνα
W632GU8MB-12 TR Image W632GU8MB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Έρευνα
W25Q16CVSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q256FVCIF Image W25Q256FVCIF IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Έρευνα
W9812G6KH-5 TR Image W9812G6KH-5 TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W9864G2JH-6 TR IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Έρευνα
W25Q32FVZPIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W632GG8KB-11 TR Image W632GG8KB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W9725G6KB-25 Image W9725G6KB-25 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W632GG6MB-11 Image W632GG6MB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Έρευνα
W25Q16DVSSIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q16DWBYIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WLCSP Έρευνα
W9864G6KH-6I Image W9864G6KH-6I IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W632GU8KB12I TR Image W632GU8KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W25Q80BLSVIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP Έρευνα
εγγραφές 1,271