Line Card

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation เป็น บริษัท ด้านหน่วยความจำ IC ที่ดำเนินธุรกิจด้านการออกแบบการผลิตและการขายเพื่อให้บริการโซลูชั่นหน่วยความจำคุณภาพระดับโลก สายผลิตภัณฑ์ของ Winbond ประกอบด้วยหน่วยความจำแฟลชที่เก็บข้อมูล, NAND แบบขนานและขนาน, DRAM พิเศษและ Mobile DRAM
ผลิตภัณฑ์ Winbond ใช้กันอย่างแพร่หลายโดย บริษัท ในตลาดแนวตั้งของ IoT เช่นคอมพิวเตอร์อุปกรณ์เชื่อมต่อมัลติมีเดียรถยนต์ระบบเครือข่ายและอุตสาหกรรม Winbond นำเสนอผลิตภัณฑ์ Flash และ DRAM สำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์และอุตสาหกรรมโดยมีการสนับสนุนระยะยาว Winbond มีพนักงานประมาณ 2,200 คนทั่วโลกซึ่งประกอบด้วย FAB ขนาด 12 นิ้วที่สำนักงานใหญ่ในเมืองไทจงประเทศไต้หวัน
ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ลักษณะ ดู
W25Q80BWSVIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP การสอบสวน
W632GG6KB-11 TR Image W632GG6KB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA การสอบสวน
W25Q64FVSFIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC การสอบสวน
W29GL128PH9T IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP การสอบสวน
W632GG6MB-15 Image W632GG6MB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ การสอบสวน
W979H6KBQX2I IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA การสอบสวน
W631GG8MB-12 Image W631GG8MB-12 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA การสอบสวน
W25Q128BVBJP TR IC FLASH MEMORY 128MB การสอบสวน
W29GL512PL9T TR Image W29GL512PL9T TR IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP การสอบสวน
W25Q16JVSSIQ TR IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q64CVSSJP TR IC FLASH MEMORY 64MB การสอบสวน
W25X20BVSNIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W632GG6KB-11 Image W632GG6KB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA การสอบสวน
W971GG8KB25I Image W971GG8KB25I IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA การสอบสวน
W25Q256FVFIP IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC การสอบสวน
W988D2FBJX6E TR Image W988D2FBJX6E TR IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA การสอบสวน
W94AD2KBJX5I TR Image W94AD2KBJX5I TR IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA การสอบสวน
W25Q16BVZPIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W25M512JVEIQ IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W9825G6JH-6I TR Image W9825G6JH-6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP การสอบสวน
W9412G6KH-5I Image W9412G6KH-5I IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II การสอบสวน
W25Q64JVZEIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON การสอบสวน
W632GG8KB-15 Image W632GG8KB-15 IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA การสอบสวน
W25Q80BVSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q256FVFJF TR IC FLASH MEMORY 256MB การสอบสวน
W25Q32BVTBJG TR IC FLASH MEMORY 32MB การสอบสวน
W19B320ATT7H Image W19B320ATT7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP การสอบสวน
W25Q80DVSSIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q16DVSFIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC การสอบสวน
W632GU8KB-15 TR Image W632GU8KB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA การสอบสวน
W631GG8MB-11 IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA การสอบสวน
W25P80VSSIG T&R IC FLASH 8M SPI 50MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25X10VSNIG T&R IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q16DVDAIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8DIP การสอบสวน
W29N02GVBIAA Image W29N02GVBIAA IC FLASH 2G PARALLEL 63FBGA การสอบสวน
W29GL512PH9T TR Image W29GL512PH9T TR IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP การสอบสวน
W632GU8MB-12 TR Image W632GU8MB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ การสอบสวน
W25Q16CVSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q256FVCIF Image W25Q256FVCIF IC FLASH 256M SPI 24TFBGA การสอบสวน
W9812G6KH-5 TR Image W9812G6KH-5 TR IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP การสอบสวน
W9864G2JH-6 TR IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II การสอบสวน
W25Q32FVZPIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W632GG8KB-11 TR Image W632GG8KB-11 TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA การสอบสวน
W9725G6KB-25 Image W9725G6KB-25 IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA การสอบสวน
W632GG6MB-11 Image W632GG6MB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ การสอบสวน
W25Q16DVSSIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q16DWBYIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8WLCSP การสอบสวน
W9864G6KH-6I Image W9864G6KH-6I IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP การสอบสวน
W632GU8KB12I TR Image W632GU8KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA การสอบสวน
W25Q80BLSVIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP การสอบสวน
ประวัติ 1,271
ก่อน123456789101112131415ต่อไปปลาย