Line Card

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation เป็น บริษัท ด้านหน่วยความจำ IC ที่ดำเนินธุรกิจด้านการออกแบบการผลิตและการขายเพื่อให้บริการโซลูชั่นหน่วยความจำคุณภาพระดับโลก สายผลิตภัณฑ์ของ Winbond ประกอบด้วยหน่วยความจำแฟลชที่เก็บข้อมูล, NAND แบบขนานและขนาน, DRAM พิเศษและ Mobile DRAM
ผลิตภัณฑ์ Winbond ใช้กันอย่างแพร่หลายโดย บริษัท ในตลาดแนวตั้งของ IoT เช่นคอมพิวเตอร์อุปกรณ์เชื่อมต่อมัลติมีเดียรถยนต์ระบบเครือข่ายและอุตสาหกรรม Winbond นำเสนอผลิตภัณฑ์ Flash และ DRAM สำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์และอุตสาหกรรมโดยมีการสนับสนุนระยะยาว Winbond มีพนักงานประมาณ 2,200 คนทั่วโลกซึ่งประกอบด้วย FAB ขนาด 12 นิ้วที่สำนักงานใหญ่ในเมืองไทจงประเทศไต้หวัน
ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ลักษณะ ดู
W631GU6KB-15 Image W631GU6KB-15 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA การสอบสวน
W29N02GVSIAF Image W29N02GVSIAF IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP การสอบสวน
W25Q16CVSNJP TR IC FLASH MEMORY 16MB การสอบสวน
W957D6HBCX7I TR Image W957D6HBCX7I TR IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA การสอบสวน
W25Q64CVZEJG IC FLASH MEMORY 64MB การสอบสวน
W9412G6KH-5I TR Image W9412G6KH-5I TR IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II การสอบสวน
W631GG6MB-12 TR Image W631GG6MB-12 TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA การสอบสวน
W9725G8KB25I Image W9725G8KB25I IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA การสอบสวน
W25Q256FVCIG TR Image W25Q256FVCIG TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA การสอบสวน
W25Q32FWSFIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC การสอบสวน
W631GG8KB15I TR Image W631GG8KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA การสอบสวน
W632GU6KB12I TR Image W632GU6KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA การสอบสวน
W25Q32BVSSIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W631GG8MB-15 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA การสอบสวน
W25Q128FVPJQ TR IC FLASH MEMORY 128MB การสอบสวน
W94AD6KBHX5I TR Image W94AD6KBHX5I TR IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA การสอบสวน
W631GG6MB-12 Image W631GG6MB-12 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA การสอบสวน
W25Q64FWSFIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC การสอบสวน
W25M512JVCIQ TR Image W25M512JVCIQ TR IC FLASH 512M SPI 24TFBGA การสอบสวน
W25Q256FVCIP Image W25Q256FVCIP IC FLASH 256M SPI 24TFBGA การสอบสวน
W25Q16CLSSIG TR IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC การสอบสวน
W9751G6KB-25 Image W9751G6KB-25 IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA การสอบสวน
W25X10AVSNIG IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8SOIC การสอบสวน
W25Q128FVAIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8DIP การสอบสวน
W9425G6JB-5I TR Image W9425G6JB-5I TR IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA การสอบสวน
W9412G6KH-5 Image W9412G6KH-5 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II การสอบสวน
W631GG8MB-15 TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA การสอบสวน
W25Q128FVSJP IC FLASH MEMORY 128MB การสอบสวน
W25Q80BLSSIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC การสอบสวน
W631GU8MB11I IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA การสอบสวน
W29N02GVSIAA Image W29N02GVSIAA IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP การสอบสวน
W25Q128FVEIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON การสอบสวน
W631GU8MB15I TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA การสอบสวน
W631GG6MB11I IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA การสอบสวน
W25Q128JVEIQ IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON การสอบสวน
W632GU6MB11I Image W632GU6MB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ การสอบสวน
W947D6HBHX5I TR Image W947D6HBHX5I TR IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA การสอบสวน
W25Q128FVCJQ IC FLASH MEMORY 128MB การสอบสวน
W971GG6KB-18 TR Image W971GG6KB-18 TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA การสอบสวน
W25Q64FVTCIG Image W25Q64FVTCIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA การสอบสวน
W988D6FBGX6E Image W988D6FBGX6E IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA การสอบสวน
W29GL128CL9B Image W29GL128CL9B IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA การสอบสวน
W97BH2KBQX2E IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA การสอบสวน
W25Q64FVSH02 IC FLASH 64M SPI 104MHZ การสอบสวน
W29GL128CL9T Image W29GL128CL9T IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP การสอบสวน
W947D6HBHX5I Image W947D6HBHX5I IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA การสอบสวน
W25Q32FVSSIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC การสอบสวน
W632GU6KB11I Image W632GU6KB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ การสอบสวน
W25Q64CVSFJP IC FLASH MEMORY 64MB การสอบสวน
W29N01HVSINA Image W29N01HVSINA IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP การสอบสวน
ประวัติ 1,271
ก่อน123456789101112131415ต่อไปปลาย