Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W631GU6KB-15 Image W631GU6KB-15 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W29N02GVSIAF Image W29N02GVSIAF IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP Έρευνα
W25Q16CVSNJP TR IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W957D6HBCX7I TR Image W957D6HBCX7I TR IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Έρευνα
W25Q64CVZEJG IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W9412G6KH-5I TR Image W9412G6KH-5I TR IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W631GG6MB-12 TR Image W631GG6MB-12 TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Έρευνα
W9725G8KB25I Image W9725G8KB25I IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W25Q256FVCIG TR Image W25Q256FVCIG TR IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Έρευνα
W25Q32FWSFIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W631GG8KB15I TR Image W631GG8KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W632GU6KB12I TR Image W632GU6KB12I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W25Q32BVSSIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W631GG8MB-15 IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA Έρευνα
W25Q128FVPJQ TR IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W94AD6KBHX5I TR Image W94AD6KBHX5I TR IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W631GG6MB-12 Image W631GG6MB-12 IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Έρευνα
W25Q64FWSFIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25M512JVCIQ TR Image W25M512JVCIQ TR IC FLASH 512M SPI 24TFBGA Έρευνα
W25Q256FVCIP Image W25Q256FVCIP IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Έρευνα
W25Q16CLSSIG TR IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC Έρευνα
W9751G6KB-25 Image W9751G6KB-25 IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W25X10AVSNIG IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q128FVAIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8DIP Έρευνα
W9425G6JB-5I TR Image W9425G6JB-5I TR IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Έρευνα
W9412G6KH-5 Image W9412G6KH-5 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W631GG8MB-15 TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA Έρευνα
W25Q128FVSJP IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W25Q80BLSSIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Έρευνα
W631GU8MB11I IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA Έρευνα
W29N02GVSIAA Image W29N02GVSIAA IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP Έρευνα
W25Q128FVEIG IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W631GU8MB15I TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA Έρευνα
W631GG6MB11I IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA Έρευνα
W25Q128JVEIQ IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W632GU6MB11I Image W632GU6MB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Έρευνα
W947D6HBHX5I TR Image W947D6HBHX5I TR IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W25Q128FVCJQ IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W971GG6KB-18 TR Image W971GG6KB-18 TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W25Q64FVTCIG Image W25Q64FVTCIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA Έρευνα
W988D6FBGX6E Image W988D6FBGX6E IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA Έρευνα
W29GL128CL9B Image W29GL128CL9B IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W97BH2KBQX2E IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA Έρευνα
W25Q64FVSH02 IC FLASH 64M SPI 104MHZ Έρευνα
W29GL128CL9T Image W29GL128CL9T IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP Έρευνα
W947D6HBHX5I Image W947D6HBHX5I IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W25Q32FVSSIQ IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W632GU6KB11I Image W632GU6KB11I IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Έρευνα
W25Q64CVSFJP IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W29N01HVSINA Image W29N01HVSINA IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP Έρευνα
εγγραφές 1,271